Hewlett Packard AT-32011, ein kleiner, schneller Transistor: https://www.richis-lab.de/BipolarA50.htm Kantenlänge 230µm, ihr könnt euch vorstellen wieviel Spaß es macht dieses Teilchen aus dem Package heraus zu graben, sauber zu machen und auszurichten. :)
BLX15, ein HF-Leistungstransistor: https://www.richis-lab.de/BipolarA51.htm Diese zwei Vertreter haben schon sehr stark gelitten.
Richard K. schrieb: > Diese zwei Vertreter haben schon sehr stark gelitten. Aber das BeO blieb drin. :-)
H. H. schrieb: > Richard K. schrieb: >> Diese zwei Vertreter haben schon sehr stark gelitten. > > Aber das BeO blieb drin. :-) Immerhin! Zur explosiven Zerlegung hat es dann doch nicht gereicht. In dem Fall hätte ich aber auch nicht mehr viel zu dokumentieren gehabt. :)
Obwohl das Datenbuch von Philips 1978 beim BLX15 keinen Hinweis zu BeO drinstehen hat. http://www.bitsavers.org/components/philips/_dataBooks/1978_Philips_Semiconductors_and_Integrated_Circuits_Part_4a_Transmitting_Transistors_and_Modules.pdf
Kann schon sein, dass das kein BeO ist. Ich weiß nicht wie ordentlich das früher angegeben wurde. Man sieht es dem Material leider nicht an. Die Keramiken selbst sind meistens weiß. Eventuell vorhandene Farbtöne entstehen üblicherweise von Verunreinigungen.
Stimmt! Dieses Datenblatt habe ich auch. Den BeO-Hinweis habe ich aber diskret überlesen. :)
Richard K. schrieb: > BLX15, ein HF-Leistungstransistor: > > https://www.richis-lab.de/BipolarA51.htm Ach, der wird mit Flachsteckhülsen angeschlossen! Sicher aus dem Automobil-Bereich ;-)
Daher auch das Gewinde: Wird direkt in den Rahmen geschraubt. :)
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Richard K. schrieb: > Daher auch das Gewinde: Wird direkt in den Rahmen geschraubt. :) "Mount on the engine coolant radiator!"
Richard K. schrieb: > Heute nur ein kleiner Kleinsignaltransistor, ein BC178: > > https://www.richis-lab.de/BipolarA52.htm Valvo? Dem Topmarking nach auf jeden Fall.
H. H. schrieb: > Richard K. schrieb: >> Heute nur ein kleiner Kleinsignaltransistor, ein BC178: >> >> https://www.richis-lab.de/BipolarA52.htm > > Valvo? Dem Topmarking nach auf jeden Fall. Valvo/Philips wäre auf Grund des Alters wahrscheinlich, ich könnte es aber nicht sicher sagen. Wenn du sagst, dass das Valvo ist, dann muss es ja fast so sein. :)
Richard K. schrieb: > H. H. schrieb: >> Richard K. schrieb: >>> Heute nur ein kleiner Kleinsignaltransistor, ein BC178: >>> >>> https://www.richis-lab.de/BipolarA52.htm >> >> Valvo? Dem Topmarking nach auf jeden Fall. > > Valvo/Philips wäre auf Grund des Alters wahrscheinlich, ich könnte es > aber nicht sicher sagen. > Wenn du sagst, dass das Valvo ist, dann muss es ja fast so sein. :) Die haben die Teile ja unter beiden Namen vermarktet. Bei beiden ist das Marking auf dem Deckel, aber bei Philips wäre auch "PH" oben drauf. Bei Valvo stünde der Name normalerweise auf dem Mantel, aber ich hatte schon welche wo der fehlte, die kamen als Muster direkt aus Hamburg.
Wir hatten ja schon mal ein paar IRF3708. In der Zwischenzeit habe ich noch ein paar mehr dieser Transistoren bekommen und analysiert: https://www.richis-lab.de/Transistoren_FET_IRF3708.htm Ich bin mittlerweile der Meinung, dass #1 doch keine Fälschung ist. Das Design des Dies findet sich in diversen anderen Chargen und mittlerweile habe ich auch mehrere IR-Transistoren gesehen, die dieses IR-Logo mit dem Zylinder auf dem Kreis tragen. Auch der Transistor #7, der eine sehr ursprüngliche Beschriftung trägt, beinhaltet das gleiche Die. #4a und #4b sind interessante Fälschungen von Aliexpress.
Richard K. schrieb: > Ich bin mittlerweile der Meinung, dass #1 doch keine Fälschung ist. Auch die Streifenstruktur passt zu einem IR-MOSFET aus dem Jahr 2000. Im Jahr 1999 hatte IR neue MOSFETs eingeführt und als "Benchmark" HEXFET® bezeichnet: https://www.irf.com/pressroom/pressreleases/nr990728.html "The chips used in the new low voltage Benchmark HEXFET® products are manufactured using IR's brand new low voltage planar stripe HEXFET® power MOSFET technology." Bei Infineon findet man ein Paper mit der Beschreibung der Technologie: https://www.infineon.com/dgdl/q101fets.pdf?fileId=5546d462533600a401535748449d3fc3 Richard K. schrieb: > #4a und #4b sind interessante Fälschungen von Aliexpress. Ja, sehr interessant, dass da in gleich aussehenden MOSFETs aus der gleichen Lieferung unterschiedliche Dies sind. Der hier vermessene dürfte einer mit dem großen Die gewesen sein und hatte sogar einen niedrigeren RDS(on) als das Original: Beitrag "Re: Transistor zum Schalten von 24V/12V"
Stefan K. schrieb: > Auch die Streifenstruktur passt zu einem IR-MOSFET aus dem Jahr 2000. > Im Jahr 1999 hatte IR neue MOSFETs eingeführt und als "Benchmark" > HEXFET® bezeichnet: Darauf hatte mich Stefan früher schon mal hingewiesen. Das hatte ich unterschlagen, ist jetzt aber korrigiert. Danke! :) Stefan K. schrieb: > Ja, sehr interessant, dass da in gleich aussehenden MOSFETs aus der > gleichen Lieferung unterschiedliche Dies sind. Das war wahrscheinlich ein Charge, bei der man alles zusammengesammelt hat, was ansatzweise ein MOSFET war und dann die gewünschte Beschriftung aufgebracht.
Ein RCA 2N3878 inklusive Basis-Emitter-Durchbruch und IR-Bildern: https://www.richis-lab.de/BipolarA54.htm
Wir hatten uns im Rahmen der IRF3708 (https://www.richis-lab.de/Transistoren_FET_IRF3708.htm) über die HEXFET-Strukturen unterhalten. Hier haben wir jetzt mit einem IRLZ44 einen HEXFET mit der Wabenstruktur: https://www.richis-lab.de/FET38.htm
Danke. Genau genommen ist es ein IRLZ44NPbF. Das "N" steht wie bei vielen IR MOSFETs für eine neure Generation und damit geändertem Strukturen als das Bauteil ohne "N" und natürlich neuem Datenblatt. Das "PbF" steht für bleifrei. Bei IR gab es für die bleifreie Version ein neues Datenblatt mit neuer Datenblattnummer. Inzwischen gibt es auch einen IRLZ44ZPbF mit "Z" statt des "N", mit wieder leicht anderen Daten. Bei dem wird keine HEXFET Generation mehr genannt und er wird wohl keine Wabenstruktur mehr haben. Die Assembly Line "J" ist die gleiche wie bei #7 des IRF3708NPbF, daher wohl auch die sehr ähnliche Art der Beschriftung. Die Aufteilung des Lot Codes wurde hier gemacht weil der Auswerferabdruck im Weg war, die Beschriftng ist leichter zu ändern als das Werkzeug zum Umspritzen. Bei Assembly Sites bei denen der Auswerferabruck eher an der oberen Gehäusekante ist wird der vierstellige Lot Code nicht aufgeteilt. Als das Datenblatt des als Vorlage genutzen IRF1010 erstellt wurde war wohl zufällig der Auswerferabdruck unten, wurde so im Datenblatt dargestellt und in allen späteren Datenblättern der IR MOSFETs im TO-220 Gehäuse beibehalten. Inzwischen könnte es auch schon IRLZ44N mit Infineon Logo geben: https://www.mouser.com/PCN/Infineon_20176A.pdf Interessant ist dieser Hinweis in der PCN über der Zeichnung: "Note: Existing there are slight variations in the marking layout across different production site." Ich warte schon gespannt auf den HEXSense mit der vermutlich gröberen Wabenstruktur der HEXFETs der dritten Generation und auch sonst interessanterem Aufbau.
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Gerne! Ich stimme dir in allen Punkten zu. Ich vermute das N mit dem PbF einher. Ein Datenblatt für einen IRLZ44PbF habe ich nicht gefunden.
Richard K. schrieb: > Ich vermute das N mit dem PbF einher. PbF später. Die N gabs ab der zweiten Hälfte der '90er.
H. H. schrieb: > Richard K. schrieb: >> Ich vermute das N mit dem PbF einher. > > PbF später. Die N gabs ab der zweiten Hälfte der '90er. Oh, mein Satz war nicht so wirklich deutsch. Naja, wurde richtig verstanden. Würde man die verschiedenen Varianten herbekommen, dann könnte man sie vergleichen...
Bei Alldatasheets git es ein Datenblatt des IRLZ44N aus dem Jahr 1997. Die Datenblattnummer endet mit einem "B", wahrscheinlich ist es nicht die erste Version. Da es in International Rectifier Datenblättern seltenst eine "revision history" gibt ist nicht feststellbar wann die erste Version erstellt wurde. Jetzt noch einen IRLZ44 ohne N zu finden dürfte schwer sein, selbst bei Pollin gibt es keine HEXFETs der dritten Generation (mehr).
Nach der Vorgeschichte mit den verschiedenen IRF3708 haben wir jetzt endlich auch einen HEXFET der dritten Generation, noch dazu einen HEXSense-MOSFET. Es handelt sich außerdem um eine Fälschung, einen IRCZ34 der sich als sein großer Bruder IRC540 ausgibt: https://www.richis-lab.de/FET39.htm ...aus einer Sammlung von Stefan K. (stk)...
Angehängte Dateien:
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IRFBC20_01.jpg
240 KB -
IRFBC20_02.jpg
250 KB -
IRFBC20_03.jpg
320 KB -
IRC540_Pollin.jpg
33 KB
Richard K. schrieb: > ...aus einer Sammlung von Stefan K. (stk)... Damit keine Missverständnisse aufkommen: ich sammele nicht MOSFETs ;-) Ich hatte anfangs nur etwas Zweifel ob Reichelt wirklich gefälschte IRF3708 verkauft hat, ich hatte dort früher selbst welche gekauft (#5). Ich habe dann im Internet nach Informationen zu den HEXFETs und deren verschiedenen Generationen gesucht, einige gekauft und zusammen mit einzelnen aus meinem Bastelvorrat nach Absprache an Richi geschickt. Später habe ich einen IRFBC20, einen aus einem Netzteil ausgeschlachteten 600V Third Generation HEXFET, nicht an Richi geschickt sondern leider selbst geöffnet. Erstaulicherweise hat das sogar recht gut geklappt, das Gehäusmaterial war damals wohl noch nicht so hitzebeständig. Bei der Suche nach anderen Third Generation HEXFETs fand ich die IRC540 bei Pollin, habe die dort bei meiner nächsten Bestellung mitbestellt und gleich weitergeschickt. Bei mir angekommen waren sie in einem Pollintypischen LDPE-Tütchen im Karton.
Ich meinte aus der Sammlung, die du mir zukommen hast lassen. :) Eine gute Informationssammlung zu dieser Generation der HEXFETs ist das "HEXFET Power MOSFET Designer´s Manual" von International Rectifier. Es handelt sich dabei um eine Sammlung von Application Notes und ein paar zusätzlichen Informationen.
IRF530, die gleiche Generation MOSFET, die auch im IRF3708 zu finden war: https://www.richis-lab.de/FET40.htm
Hier mal wieder etwas älteres, ein Siemens ADY13 Germaniumtransistor: https://www.richis-lab.de/BipolarA55.htm
Nexperia PMPB19, ein etwas modernerer MOSFET, dieses Mal auch mit Link: https://www.richis-lab.de/FET44.htm :)
Moin, Richard K. schrieb: > https://www.richis-lab.de/FET44.htm Daraus: "Der PMPB19 enthält eine Schutzstruktur zwischen Gate und Source." Nur wo ist sie? Versteckt unter der Metallschicht? Oder ist diese Schutzfunktion eigentlich nur ein kontrollierter parasitärer Effekt (Durchschlag durch Isolation) den eigentlich jeder Mosfet hat, nur eben meistens nicht zerstörungsfrei funktioniert? Gruß, Roland
Ohne Weiteres ist die Schutzstruktur nicht sichtbar. Einen reversiblen Durchbruch in "normalen" Gatestrukturen würde ich ausschließen. Ist das Gateoxid einmal durchschlagen, dann ist die Isolation irreversibel zerstört. Ich werde bei nächster Gelegenheit versuchen die Metallschicht abzutragen. Vielleicht findet sich darunter eine Struktur, die das Gate schützt. Grüße, Richard
Sanyo 2SC4632, ein kleiner Hochspannungstransistor mit interessanten Strukturen: https://www.richis-lab.de/BipolarA57.htm
Richard K. schrieb: > Sanyo 2SC4632, ein kleiner Hochspannungstransistor mit interessanten > Strukturen: Schoen!
SM200, ein Dual-Gate-MOSFET entwickelt im Funkwerk Erfurt: https://www.richis-lab.de/FET45.htm Der zweite Baustein scheint ein Entwicklungsmodell gewesen zu sein.
Roland D. schrieb: > Moin, > > Richard K. schrieb: > >> https://www.richis-lab.de/FET44.htm > > Daraus: "Der PMPB19 enthält eine Schutzstruktur zwischen Gate und > Source." > > Nur wo ist sie? Versteckt unter der Metallschicht? Oder ist diese > Schutzfunktion eigentlich nur ein kontrollierter parasitärer Effekt > (Durchschlag durch Isolation) den eigentlich jeder Mosfet hat, nur eben > meistens nicht zerstörungsfrei funktioniert? > > Gruß, Roland Ich habe versucht die Metallschicht abzutragen. So wirklich erfolgreich war ich leider nicht: https://www.richis-lab.de/FET44.htm#strip
Moin, Richard K. schrieb: > Roland D. schrieb: >> ... > Ich habe versucht die Metallschicht abzutragen. So wirklich erfolgreich > war ich leider nicht: > > https://www.richis-lab.de/FET44.htm#strip Danke für die Mühe. Wie immer sehr interessant, deine Seiten. Gruß, Roland
Gerne! Ich werde noch eine weiteren Versuch mit Flusssäure starten. Vielleicht lässt sich die aktive Ebene doch noch freilegen. Grüße, Richard
Richard K. schrieb: > Ich werde noch eine weiteren Versuch mit Flusssäure starten. Boah. Davor habe ich Respekt. Das ist so ziemlich das Einzige, was ich nicht im Haus haben möchte, naja, von Plutonium vielleicht mal abgesehen.
Jörg W. schrieb: > Richard K. schrieb: >> Ich werde noch eine weiteren Versuch mit Flusssäure starten. > > Boah. Davor habe ich Respekt. Das ist so ziemlich das Einzige, was ich > nicht im Haus haben möchte, naja, von Plutonium vielleicht mal > abgesehen. Ich arbeite nur mit dieser Glasätzpaste, die Flusssäure freisetzt. Ein gutes Gefühl hat man damit auch nicht, aber es ist doch deutlich ungefährlicher.
Jörg W. schrieb: > Richard K. schrieb: >> Ich werde noch eine weiteren Versuch mit Flusssäure starten. > > Boah. Davor habe ich Respekt. Das ist so ziemlich das Einzige, was ich > nicht im Haus haben möchte, naja, von Plutonium vielleicht mal > abgesehen. Es geht doch nichts über einen eigenen RTG.
Moin, Richard K. schrieb: > Ich werde noch eine weiteren Versuch mit Flusssäure starten. Vielleicht > lässt sich die aktive Ebene doch noch freilegen. Ich habe für ein gescheitertes Kunstwerk mal versucht, die Verspiegelung von einem Spiegel teilweise zu entfernen. Den Lack abkratzen, war einfach. Die Metallisierung ging aber zunächst nicht ab. Die konnte ich dann aber mit Zahnbürste und Zahnpasta mit Schleifmittel drin verblüffend einfach wegbekommen. Immerhin ist das Silizium oder Siliziumoxid unter dem Metall eher härter als Glas. Und auf jeden Fall härter als die Metalllage. Bliebe aber die Frage, was man am Ende überhaupt noch sehen kann. Vielleicht Unterschiede zwischen Si und SiO2? Unterschiedliche Dotierungen dürfte man auf einem Foto ja kaum erkennen können. Gruß, Roland
Schleifen beziehungsweise Polieren ist bei einem solchen Die nicht so einfach. Das geht schon los damit, dass die Teile so klein sind und dann muss man die Schichten noch hochgenau und plan abtragen. Es gibt aber Leute (im Hobby-Bereich), die damit experimentieren und ganz ansehnliche Ergebnisse vorweisen können. Unterschiedliche Dotierungen sieht man nicht, das hast du schon recht. (Wobei es angeblich Chemikalien gibt, die derartige Unterschiede sichtbar machen können.) Meist befinden sich über den unterschiedlichen Bereichen aber immer noch unterschiedliche Schichtdicken und die kann man dann üblicherweise erkennen. Entweder zeigen sie sich über den bekannten Resonanzeffekt, der dann die Farben erzeugt oder einfach durch die Unregelmäßigkeit der Oberfläche, wie man hier sieht: https://www.richis-lab.de/REF19.htm Grüße, Richard
Moin, Richard K. schrieb: > Schleifen beziehungsweise Polieren ist bei einem solchen Die nicht so > einfach. Das geht schon los damit, dass die Teile so klein sind und dann > muss man die Schichten noch hochgenau und plan abtragen. Meine Idee wäre gewesen, den erheblichen Unterschied in der Härte zwischen Metall und Silizium auszunutzen. Also mit einem Schleifmittel arbeiten, welches härter als Metall aber weicher als Silizium ist. Deswegen Zahnpasta - die Schleifpartikel darin sollten ja nach Möglichkeit Zahnschmelz nicht abtragen. Härte nach Mohs: Silber - 2,5; SiO2 - 7; Si - 6,5; Kalk - 3; Fluorit - 4 Die Idee wäre ein Schleifmittel zu nehmen, welches Metall abträgt, das Si aber nicht. Dann ist das mit dem Planschleifen nicht so wichtig bzw. ergibt sich von alleine. Und natürlich das noch: https://www.notebookcheck.com/Solarzellen-recyceln-in-3-Minuten-mit-Salzwasser.844935.0.html Und müsste man das nicht auch noch elektrisch (Elektrolyse) unterstützen können? Gruß, Roland
Probieren könnte man das Schleifen mal. Wobei das Handling trotzdem noch schwierig sein dürfte. Aluminium lässt sich recht gut mit Salzsäure auflösen, da braucht es eigentlich keinen Elektrolyse-Ansatz. Der Prozess lässt sich noch mit H2O2 unterstützen, aber ich war bisher mit der Reaktionsgeschwindigkeit immer sehr zufrieden. Bei diesen "Grenzflächenmaterialien" fängt das Problem schon damit an, dass man nicht genau weiß was verwendet wurde. Wolfram und Titan sind gängig, aber wer weiß... Und dann bin ich mir auch nicht sicher, was mit welchen Stoffen legiert und wie sich diese Legierungen dann wiederum verhalten. Grüße, Richard
Hier haben wir nun erst mal einen schnellen Schalttransistor, etwas was man heute nicht mehr oft sieht: Motorola MMBT2369 https://www.richis-lab.de/BipolarA58.htm
Richard K. schrieb: > Hier haben wir nun erst mal einen schnellen Schalttransistor, > etwas was > man heute nicht mehr oft sieht: > > Motorola MMBT2369 > > https://www.richis-lab.de/BipolarA58.htm MMBT2369AL ist noch aktiv.
Stimmt, da gibt es tatsächlich noch eine "aktive" Variante! Also doch noch nicht ganz angeschrieben...
Richard K. schrieb: > Hier haben wir nun erst mal einen schnellen Schalttransistor, etwas was > man heute nicht mehr oft sieht: > > Motorola MMBT2369 > > https://www.richis-lab.de/BipolarA58.htm Sehr schön! Die beiden Transistoren (MMBT2369 und PMBT2369) kamen frisch vom Distributor und sind beide noch aktiv. Hier hatte ich sie charakterisiert: https://hackaday.io/project/170697-evaluating-transistors-for-bipolar-logic-rtl/log/175352-fast-switching-transistors-pmbt2369-vs-mmbt2369
Damit ordne ich den MMBT2369 ON Semiconductor zu. Der PMBT2369 folgt noch... :)
Beide Transistoren sind Nachfolger des 2N709 https://cpldcpu.com/2020/02/14/what-made-the-cdc6600-fast/ Hier ist ein die-bild des 2N709: https://web.archive.org/web/20230308033536mp_/https://images.computerhistory.org/siliconengine/1961-1-2.jpg
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Bearbeitet durch User
Und hier haben wir jetzt den PMBT2369: https://www.richis-lab.de/BipolarA59.htm Es ist immer wieder ein riesiger Spaß diese kleinen Siliziumbrösel zu finden, herauszuarbeiten, sauber zu machen und richtig ausgerichtet vor der Kamera zu platzieren! :)
Interessant, der Die sieht ganz anders aus, als der den Zeptobars gefunden hat: https://zeptobars.com/en/read/NXP-PMBT2369-supercomputer-NPN-BJT-logic-resistor-logic Evtl. war das eine ältere Version. Der Die ist auch deutlich größer.
Stimmt! Das scheinen unterschiedliche Generationen zu sein. Interessant...
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