Diskussion:Kennzeichnung von Halbleitern
Allgemein: Vorsicht, Vergleichslisten sind fehlerhaft, auch ECA Typen sind oft mehrfach mit unterschiedlichen Werten registriert, Herstellerdaten variieren teils enorm Anschlussbelegung oft anders
zu JEDEC zuerst war der Vorläufer ein RMA-Röhren-Code, mit dem Aufkommen der Halbleiter:
1 = No heating N = crystal, Halbleiter
die erste Zahl war beim ersten EIA/JEDEC-370-Code der "p-n junction count" = Anzahl der Halbleiter- Übergänge, erst später bürgerte sich ein Anschlußzahl-1
1 - Diode u.ä. (a.Diacs) 2 - Transistor, (a. Thyristoren und Triacs) 3 - Doppelgate-FET
erst ab 1982 kam mit der Norm JESD370B zusätzlich zu N die nackte C- Version engl. die von dice - dem Wafer- Chip
Die Folgezahlen sind reine Registrierungsnummern, auch die Buchstaben danach wie ABC dienen für Varianten und sind oft inkonsistent also entsprechen nicht immer aufsteigenden Werten, oft umgekehrt.
vor Pro-Electron (~ 1966) gabs auch in EU ein Misch-Code aus dem alten (~1934) Mullard–Philips - Röhrencode, später an Halbleiter angepasst: erster Buchstabe O = unbeheizt oder Halbleiter zweiter Buchstabe: A-Diode C-Triode, bei Halbleiter Transistor D-Leistungstype Y-Gleichrichter
Standard-Typen 2 Buchstaben + 3 Zahlen Industrietypen 3 Buchstaben + 2 Zahlen als dritter meist XYZ Pro-Elektron übernahm 1966 nur bedingt die alte Bedeutung des zweiten Buchstabens, viele Bauteile wurden in der Übergangszeit nochmals registriert und hatten Doppelbezeichnungen und dasselbe gilt für viele Doppelregistrierungen sowohl bei JEDEC + wie bei Pro-Elektron.
Vorsicht, angebliche Verstärkungsklassen sind inkonsistent, frühe Typen hatten Farbkleckse, römische Zahlen, Arabische und Buchstaben teils mit verschiedenster Bedeutung.
Au bei Pro-Elektron ab 1966 sind anhängende Buchstaben inkonsistent und bedeuten keinesfalls dasselbe, d.h. es muß stets das Datenblatt konsultiert werden.
Bei JAPAN-Transistoren wird der Vorsatz 2S oft nicht aufgedruckt, die Bezeichnung war einmal etwas eindeutiger 2SA 2SB Ge 2SC 2SD Si 2SK 2SJ FET 3S. Doppelgate-FET ebenfalls inkonsistent, Typen öfters vergeben, Unterschiede in der Registrierung und Belegung