Power Gating n-Kanal/p-Kanal

[Thomas L. (tom)]

Hallo

Irgendwie versteh ich es momentan nicht oder ich hab einen Knoten im 
Hirn.
Ich würde gerne Teile meiner Schaltung abschalten, sprich die 
Stromversorgung kappen. Die gesamte Schaltung läuft auf 3V3.
Meine Ansätze bis jetzt:
n-Kanal MOSFET (z.b. BSS123 oder FDC645N):

     3V3
      |
      |
     2PD
      |
      D
      |
---G--|
      |
      S
      |
     GND

(Bitte entschuldigt die nicht ganz korrekte Darstellung des FET).

Über UGS könnte ich dann die 2te Power Domain (2PD) ein / abschalten. 
Das Problem dabei: Ich habe ein anderes GND Potential für die 2te Power 
Domain. Das würde ich gerne vermeiden, ist ja nicht schön.

p-Kanal MOSFET (z.b. FDC645P).

      3V3
       |
       |
       S
       |
 o--G--|
       |
       D
       |
      2PD
       |
       |
      GND

Bei dieser Schaltung weiss ich nicht ob das so funktionieren könnte. 
Eigentlich müsste ich ja an UGS eine negative Spannung anlegen. Ich hab 
ja aber nur 0V oder 3V3.

Daher jetzt meine Frage, wie macht man sowas wirklich mit einem 
diskreten Aufbau?
ODER
Gibt es irgendwelche ICs die dafür ausgelegt sind, sowas zu machen und 
selbst (keinen) Strom benötigen.


Danke :)

[Jörg W. (dl8dtl) (Moderator)]

Das ist OK so.  Die ,,negative Spannung'' ist ja auf das Source
des FETs bezogen, und der liegt an +3,3 V.  Wenn du dessen Gate
also auf 0 V legst, ist Ugs = -3,3 V.

[Thomas L. (tom)]

danke

Knoten gelöst ... wenns doch immer so einfach wäre ...
Also Zusammenfassung: Ich nehme den p-Kanal, häng einen PullUp dran und 
schalt auf Low, wenn ich die restliche Peripherie brauche. So korrekt?

[Jörg W. (dl8dtl) (Moderator)]

Den Pullup brauchst du nur, wenn die Ausgangsstufe nicht sowieso
schon push-pull ist.