Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik Frage zum 2N3055


von Thomas (Gast)


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guten Abend zusammen,

für eine Stromsenke möchte ich den 2N3055 so dimensionieren,
dass an R2 ein Strom von etwa 3A fliesst. An U1 liegt die Spannung 1.25V 
an (Annahme hier: ideale Quelle). Meine Frage hierzu: Wie muss ich R1 
und R2
wählen, damit der Emitterstrom 3A beträgt? Ist das so ohne weiteres 
möglich?
Besten Dank im Voraus und Grüße,

Thomas

von crazy horse (Gast)


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nicht wirklich.
Alle Parameter sind von allem abhängig :-)
Mit einem einfachen OP sind aber alle Probleme ziemlich leicht zu lösen, 
indem der Spannungsabfall über dem Emitterwiderstand als Ist-Grösse in 
einen Regelkreis eingeht.
Ohne Regelung wird das nichts.
Allerdigs sind nur wenige OPs in der Lage, den benötigten Basisstrom zu 
liefern. Also Treiberstufe dazwischen. Oder Mosfet statt Saurier 
benutzen.

von Uwe N. (ulegan)


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zwischen Basis und Emitter liegen etwa 0,7V.
Die Stromverstärkung vom 2N3055 ist klein, etwa 15.
Liefert deine 1,25V Quelle einen Strom von 200mA (3A/15) ?
Wähle R2 zB. 0,1Ohm, dann fällt darüber 0,3V ab, plus 0,7V
zwischen Basis und Emitter, bleiben 0,25V für R1.
0,25V/200mA=1,25Ohm wäre dann R1.
Vernünftig funktionieren tut das aber nicht, da die 0,7V und die 
Stromverstärkung nur ungefähr bekannt ist. Und falls die 1,25V, wie ich 
vermute, aus einer Referenzspannungsquelle stammt, liefert diese sicher 
keine 200mA...

Uwe

von Thomas (Gast)


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Hallo nochmal,

erstmal Danke für die schnellen Antworten. Ich habe mir aus euren 
Hinweisen folgenden Ansatz überlegt (siehe hierzu auch Anhang): Um 
ausreichend Strom
für die drei 2N3055 sicherzustellen, soll der vierte Transistor, hier
ein ZTX1048, als Treiber dienen. Für einen möglichst konstanten Strom 
wird
ein Operationsverstärker an die Basis des Treibertransistors 
geschaltet..
Alles was ich eigentlich will ist, dass an den drei 2N3055 Transistoren 
3A
fliessen.. nur weiss ich halt nicht wie die Emitterwiderstände zu 
dimensionieren sind, damit da auch die 3A fliessen.. kann man das so 
machen?

viele Grüße,
Thomas

von Wolf (Gast)


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crazy horse schrieb:
"indem der Spannungsabfall über dem Emitterwiderstand als Ist-Grösse in
einen Regelkreis eingeht."
Und wo hängt der OP in Deiner Schaltung?
Alle Basen zusammengehängt sind sehr sensibel wegen Exemplarstreuung, da 
muß man jede einzelne Basis mit einem symmetrierenden Basiswiderstand 
beglücken.

von Thomas (Gast)


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>Alle Basen zusammengehängt sind sehr sensibel wegen Exemplarstreuung, da
>muß man jede einzelne Basis mit einem symmetrierenden Basiswiderstand
>beglücken.

was meinst du genau mit einer symmetrischen Last?

Der Op hängt doch schon an dem erstem Transistor..

von Uwe N. (ulegan)


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Crazy Horse meint es etwa wie im Anhang.
R3/R4 teilen die 1,25V auf 1V. Der OP sorgt dafür, dass an  R1 auch 1V 
liegt. 1V/0,33Ohm=3A. Wenn du R3/R4 weg lässt, muss R1 den exotischen 
Wert 0,4166Ohm haben, deshalb der Teiler.
Wenn du das ganze dreimal haben willst, brauchst du 3 OpAmps.

Wolf meint einen Serienwiderstand  in jeder Basis, nicht einfach die 
Basen verbinden.

Uwe

von Peter D. (peda)


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crazy horse wrote:
> Oder Mosfet statt Saurier
> benutzen.

Ich nehme generell für analoge Leistung nur MOSFETs, die sind wesentlich 
unempfindlicher gegen Durchbruch.

Schau mal in die Kennlinien, bei hoher Kollektorspannung sinkt der 
erlaubte Strom extrem ab.

Und daß MOSFET keine Treiberleistung benötigen, ist ja auch nett.


Peter

von Andreas K. (a-k)


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Wolf wrote:

> Alle Basen zusammengehängt sind sehr sensibel wegen Exemplarstreuung,

Symmetriert wird üblicherweise über Emitterwiderstände. Und die sind 
hier ja drin. Nur wird die Regelung eher über den Daumen peilen, wenn 
nur über einem davon gemessen wird, und deshalb die verbleibende 
Asymmetrie den Strom verfälscht. Müsste sich aber mit Mittelung über 
Widerstände vor dem OP lösen lassen.

von Wolf (Gast)


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Habe geschrieben:
..."symmetrierenden Basiswiderstand" (nicht: Last).
Jeder einzelne (einzufügende) Basiswiderstand ist nur für 1 
dazugehörigen Transistor als Stromsteuerwiderstand zuständig.
Halbleiterbauteile in dieser Technik können nicht direkt miteinander 
verbunden werden weil sie in ihrem Verhalten zu sehr streuen.
Wenn der Regelmechanismus des Emitterwiderstandes einsetzt, darf er die 
übrigen Basen nicht beeinflussen, das verhindert der Basiswiderstand.

von Thomas (Gast)


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Hallo Uwe,

Vielen Dank für den Anhang und für die Erklärung. Jetzt leuchtet
mir einiges besser ein...

@Andreas Kaiser,

ja so hab'ich das auch gedacht. Die Symmetrierung erfolgt nur über die 
Emitterwiderstände..

von Wolf (Gast)


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überschnitten

von Wolf (Gast)


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..ist auch nur einer da.
Er will oder braucht aber mehr Saft.

von Wolf (Gast)


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ja so hab'ich das auch gedacht. Die Symmetrierung erfolgt nur über die
Emitterwiderstände..
Das war und bleibt weiterhin heikel.

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