www.mikrocontroller.net

Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik an Bipolar-Basis höhere Spg erlaubt ?


Autor: Maik (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Ich hab mal gehört, dass man bei einem P-Kanal-FET an seinem Gate keine 
höhere Spannung anlegen sollte.
Wie sieht es bei PNP- bzw. bei NPN-Transistoren aus? Darf da an der 
Basis eine höre Spannung an liegen als an seinem Collector oder Emitter?

Autor: Marius Wensing (mw1987)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Du solltest dir mal die Grundlagen eines BPT anschauen.

Du wirst sehen, dass die Basis IMMER ca. 0,7 Volt über dem Emitter liegt 
(einfache Diodenstrecke). Was den Kollektor angeht musst du einfach ins 
Datenblatt schauen, was da maximal angegeben ist.

MfG
Marius

Autor: yalu (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Bei den meisten PNP-Transistoren darf die Basis-Emitter-Spannung nicht
höher als etwa 6V liegen, bei NPNs entsprechend nicht niedriger als
-6V.

Autor: JensG (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
>Ich hab mal gehört, dass man bei einem P-Kanal-FET an seinem Gate keine
>höhere Spannung anlegen sollte.

höher als was? Generel vertragen übliche Leistungs-Mosfets +/- 15V, 
manche auch bis 20 V (z.B. IRF9522 oder so) gegenüber Source (genaueres 
siehe Datenblatt des jeweiligen Typs).
Bei den Bipolaren T's ist es wie breits oben geschildert.

Autor: Wolf (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
yalu,
> Bei den meisten PNP-Transistoren darf die Basis-Emitter-Spannung nicht
> höher als etwa 6V liegen, bei NPNs entsprechend nicht niedriger als -6V.

>>  bei NPNs entsprechend nicht niedriger als -6V

Ich würde schreiben:  "bei NPNs entsprechend nicht höher als -6V."

Autor: Johannes M. (johnny-m)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Wolf wrote:
> Ich würde schreiben:  "bei NPNs entsprechend nicht höher als -6V."
Schreib lieber "Das Potenzial an der Basis darf um nicht mehr als 6 V 
niedriger sein als am Emitter". Dann ist es eindeutig und keiner kommt 
mit irgendwelchen Vorzeichen durcheinander.

Autor: yalu (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
> Ich würde schreiben:  "bei NPNs entsprechend nicht höher als -6V."

> Schreib lieber "Das Potenzial an der Basis darf um nicht mehr als 6
> V niedriger sein als am Emitter"

Danke, damit dürften die letzten potenziellen Missverständnisse
ausgeräumt sein.

Letztendlich geht es darum, dass die maximale Sperrspannung der
Basis-Emitter-Diode sehr gering ist (nämlich eben diese 6V oder
vielleicht auch ein paar mehr) und ein Durchbruch vermieden werden
sollte. Im Gegensatz zur Isolationsschicht beim MOSFET führt ein
Durchbruch der Basis-Emitter-Diode bei geeigneter Strombegrenzung zwar
nicht undbedingt zum Tod, aber der maximal erlaubte Strom ist sehr
gering, bei Kleinleistungstransistoren liegt teilweise er unter 1mA,
wie ich schon erfahren durfte :)

Autor: Wolf (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Der Nullpunkt liegt zwischen -0 und +0.

Autor: Michael (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Ich würde ja sagen, er liegt bei -0 und auch bei +0. ^^

Generell kann man auch die Basis-Emitter Diode in Sperrbetrieb sowie die 
Collektor-Basis Diode in Flußbetrieb betreiben...das ist dann halt nur 
net der Normalbetrieb eines Bipolartransistors

Autor: Karl Zeilhofer (griffin27)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Ich hab mich schon öfters gefragt, wie viel Strom da in die falsche 
Richtung fließen darf. Man betreibt somit die BE-Strecke als 
Zener-Diode... Ich hab oft sicherheitshalber noch eine Diode 
vorgeschaltet, wenn ich wissentlich negative Spannung an die Basis 
anlegte.

Doch bei einem 100kOhm Basis-Vorwiderstand (bei zB -10V) sollte das 
nicht mehr nötig sein, oder?

Autor: Michael U. (amiga)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Hallo,

früher (tm) habe ich die BE-Strecke schonmal als Z-Diodenersstz genutzt, 
wenn gerade keine zur Hand war...

Allerdings hätte ich in einer normalen Schaltung da Bedenken über das 
Verhalten. Eine entsprechend gepolte Diode parallel zu BE wäre mir da 
lieber und so teuer sind die ja auch nicht.

Kommt natärlich auf den Zweck der Schaltung an, bei 100k Basiswiderstand 
denke ich aber, daß es ohnehin nicht um sonderlich hohe Frequenzen geht.

Gruß aus Berlin
Michael

Autor: Wolf (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Oder doch.
Es kann sein, daß mit diesem hohen Basiswiderstand der Durchbruchstrom 
so niedrig ist, daß die BE-Diode nicht zerstört wird.
Ob das elektrische Feld das jedoch anders sieht, ist sehr möglich.

Autor: Karl Zeilhofer (griffin27)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Das ist eben die Frage.
Machts das Elektrische Feld, oder der Strom...

Autor: Falk Brunner (falk)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Schalte einfach eine 1N4148 antiparallel zur BE Strecke und gut ist.

Autor: Karl Zeilhofer (griffin27)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Ja, schon klar, dass das funktioniert, aber dann mache ich es immer, 
obwohl ich gar nicht weiß, ob sie eigentlich notwendig ist...
Im Allgemeinen möchte ich WISSEN, was ich da tu.

Autor: Michael U. (amiga)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Hallo,

@Karl Zeilhofer: Die Datenblätter geben doch die maximale Ube in 
Sperrichtung an. Du kennst Deine Schaltung und Du muß dafür sorgen, daß 
das so eingehalten wird. Daß die BE-Diode z-Dioden öhnliches Verhalten 
hat, ist sicher auch den Herstellern bekannt und wohl technologisch 
bedingt.

Es interesiert aber für die Verwendung eines Transistors nicht und somit 
gibt es dazu keine Daten.

Es hindert Dich natürlich niemand, ein paar 100 Stück zu nehmen, eine 
Messreihe zu machen, Kennlinien aufzunehmen usw. usw., um besagte 
Paralleldiode einzusparen. ;)

Gruß aus Berlin
Michael

Antwort schreiben

Die Angabe einer E-Mail-Adresse ist freiwillig. Wenn Sie automatisch per E-Mail über Antworten auf Ihren Beitrag informiert werden möchten, melden Sie sich bitte an.

Wichtige Regeln - erst lesen, dann posten!

  • Groß- und Kleinschreibung verwenden
  • Längeren Sourcecode nicht im Text einfügen, sondern als Dateianhang

Formatierung (mehr Informationen...)

  • [c]C-Code[/c]
  • [avrasm]AVR-Assembler-Code[/avrasm]
  • [code]Code in anderen Sprachen, ASCII-Zeichnungen[/code]
  • [math]Formel in LaTeX-Syntax[/math]
  • [[Titel]] - Link zu Artikel
  • Verweis auf anderen Beitrag einfügen: Rechtsklick auf Beitragstitel,
    "Adresse kopieren", und in den Text einfügen




Bild automatisch verkleinern, falls nötig
Bitte das JPG-Format nur für Fotos und Scans verwenden!
Zeichnungen und Screenshots im PNG- oder
GIF-Format hochladen. Siehe Bildformate.
Hinweis: der ursprüngliche Beitrag ist mehr als 6 Monate alt.
Bitte hier nur auf die ursprüngliche Frage antworten,
für neue Fragen einen neuen Beitrag erstellen.

Mit dem Abschicken bestätigst du, die Nutzungsbedingungen anzuerkennen.