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Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik Diode für Schaltnetzteil gesucht


Autor: Felix H. (Gast)
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Für einen Schaltregler brauche ich eine Diode, die folgendes Verträgt:
Us=60V
If=20A
und wie immer möglichst wenig trr, so 30ns

Find einfach keine Diode die 20A kann, und preislich zu verkraften ist.

MFG

Autor: Gast (Gast)
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MBR2060 bei Angelika für 0,44.

Autor: Felix H. (Gast)
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Danke erstmals,
nur kann ich aus dem Datanblatt die reverse recovery Zeit nicht 
rauslesen!?

Autor: Jörg Rehrmann (Firma: Rehrmann Elektronik) (j_r)
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Felix H. wrote:

> nur kann ich aus dem Datanblatt die reverse recovery Zeit nicht
> rauslesen!?

Das ist eine Schottky-Diode und die hat demzufolge keine reverse 
recovery time, ist also auf jeden Fall schnell genug.

Jörg

Autor: GB (Gast)
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> die hat demzufolge keine reverse
> recovery time, ist also auf jeden Fall schnell genug.

Die einzigen Zero-Recovery-Dioden, die es gibt, sind SiC-Dioden.

Schottkys sind bloß schnell.

GB

Autor: Jörg Rehrmann (Firma: Rehrmann Elektronik) (j_r)
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GB wrote:

> Die einzigen Zero-Recovery-Dioden, die es gibt, sind SiC-Dioden.
>
> Schottkys sind bloß schnell.

Wikipedia sagt etwas anderes:

"Where in a p-n diode the reverse recovery time can be in the order of 
hundreds of nanoseconds and less than 100ns for fast diodes, Schottky 
diodes do not have a recovery time, as there is nothing to recover 
from."

Nachzulesen hier:
http://en.wikipedia.org/wiki/Schottky_diode

Die dynamischen Eigenschaften der Schottky-Diode werden eher durch die 
Sperrschichtkapazität bestimmt.
Ich denke eher, dass es sich um reine Werbung handelt, wenn diese 
Eigenschaft von Schottky-Dioden im Datenblatt der SiC-Schottky-Dioden 
extra herausgehoben wird. Schließlich ist das der einzige Vorteil dieser 
recht teuren Dioden gegenüber normalen preiswerten Ultrafast-Dioden.

Jörg

Autor: Thomas Pototschnig (pototschnig)
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Jörg R. wrote:
> GB wrote:
>
>> Die einzigen Zero-Recovery-Dioden, die es gibt, sind SiC-Dioden.
>>
>> Schottkys sind bloß schnell.
>
> Wikipedia sagt etwas anderes:
>
> "Where in a p-n diode the reverse recovery time can be in the order of
> hundreds of nanoseconds and less than 100ns for fast diodes, Schottky
> diodes do not have a recovery time, as there is nothing to recover
> from."
>
> Nachzulesen hier:
> http://en.wikipedia.org/wiki/Schottky_diode

Das könnte Jörg auch selber reingeschrieben haben ;-)
Ne, dachte auch, dass es eine Recovery-Zeit gäbe ... Verwundert mich 
jetzt irgendwie ...

MfG
Thomas Pototschnig

Autor: Freizeitbastler (Gast)
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Hallo,

das ganze ist wohl mehr oder weniger Wortklauberei. Nach Tietze/Schenk 
haben auch Schottky-Dioden eine tRR. Das Dioden-Kapitel ist frei 
runterladbar und auf den Seiten 8 und 9 finden sich die Erholzeiten.

Schöne Grüße, Peter

Autor: Jens G. (jensig)
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Es gibt natürlich auch andere Quellen im internet (die Jörg nicht 
geschrieben hat ;-), die ähnliches sagen - praktisch zu 
vernachlässigende Recovery time, statt dessen wird die Umschaltzeit 
praktisch nur durch die Sperrschicht-C  bestimmt.

http://www.microsemi.com/micnotes/401.pdf

Autor: Alexander Schmidt (esko) Benutzerseite
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> http://www.microsemi.com/micnotes/401.pdf

Schottky rectifiers seldom exceed 100 volts in their working peak 
reverse voltage (VRWM), since devices moderately above this rating level 
will result in forward voltages equal to or greater than equivalent pn 
junction rectifiers.

Wieder was dazugelernt.

Autor: Johannes M. (johnny-m)
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SiC-Dioden sind auch Schottky-Dioden (sie haben keinen pn-Übergang). Nur 
wird eben anstelle von Silizium als Basismaterial der 
Verbindungshalbleiter Siliziumcarbid verwendet. Auch mit GaAs 
(Galliumarsenid) erreicht man deutlich höhere Sperrspannungen bei 
gleichzeitig niedriger Vorwärtsspannung und hoher Schaltgeschwindigkeit.

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