hallo Leute, ich möchte für mein Igbt den Verlustleistung berechnen; aber ich finde dafür den Rds(on) nicht im Datenblatt. Kann Jemand mir behilflich sein ??? mein versorgungsspannug ist 15 V und der betriebstrom durch meine last soll max 6A. ich verwende diese Igbt isl9v3040p3 wie komme ich auf die Impulsansteuerung bei 40% von gesamtperiode danke
Kleiner Nachtrag: bei 15V Versorgungsspannung ist ein Mosfet besser geeignet.
aber es gibt doch eine Statische verlust und dynamische verlust oder ??? Stationäre betrieb Pv=I*I*Rdson
>Was hälst du von der Sättigungsspannung Vsat? Eben. Der IGBT hat einen Transistor am Ausgang und deshalb keinen RDSon, sondern einen weitgehend festen Spannungsabfall (im On-Zustand) zwischen C und E. http://de.wikipedia.org/wiki/IGBT
ok dann lässt sich der Verlust aus Pv=Uce(sat)*I(betrieb)=1,6*6=9,6 W berechnen? oder soll ich eher der Verlust beim Abschalten betrachten Pv=Ubvcer*I(betrieb)=430*6=2,5kW wegen den induzierte Spannung ??? Aber sollte mann nicht den verlust bei Pulsbetrieb betrachten ? und wie sie die formel aus ?
>oder soll ich eher der Verlust beim Abschalten betrachten > Pv=Ubvcer*I(betrieb)=430*6=2,5kW wegen den induzierte Spannung ??? So einfach ist das nicht. Wenn die 430V auftreten, fließen ja nicht mehr die 6A. Da müsstest du schon den zeitlichen Verlauf von UCE und des IC kennen und miteinander multiplizieren. Das ergibt dann eine sich über der Zeit ändernde Verlustleistung. Bei Pulsbetrieb sind einmal die Umschaltverluste zu sehen (wie genannt) und dann hast du ja noch das Tastverhältnis, das deine mittlere Verlustleistung entsprechend reduziert (wenn du häufig genug umschaltest).
hallo was für einen Wert ist Pdm im datenblatt bei der Kurvvenverlauf mit Impulsansteuerung? bei t1= 4ms ==> Zjc=0,6K/W ich kann dann die Verlustleistung so berechnen Pdm = (Tj-Tc)/(Zjc*Rjc)
Kann mir wirklich niemand helfen ? es ist etwa komplex mit diese Leistungberechnung und ableitung entsprechende kühlkörper. lg Yannick
Ich würde dir ja gerne weiterhelfen, aber die Parameter in deiner angegeben Formel finde ich im Datenblatt nicht. Hast du einen Link zu deinem Datenblatt? Vielleicht erzählst du auch mal, was du mit dem Teil machen willst: - gelegentliches oder häufiges Ein- und Ausschalten einer Last oder - einen linearen Betrieb oder - eine PWM, dann mit welcher Frequenz, und - welche Art von Last willst du schalten, und/oder usw. Möglicherweise ist das alles gar kein Problem und durch eine einfache statische Betrachtung und eine Überschlagsrechnung löst sich alles in Wohlgefallen auf ...
Thank you hier ist der Link: http://www.fairchildsemi.com/ds/IS%2FISL9V3040P3.pdf die Formel befindet sich im der Letzten kurvenabbildung fig.18 ich will eine Spule als Last schalten, diese haüfig mit einer frequenz von 100 Hz. Mit einem Tastverhältnis von 40% d. h 40% in On-zustand und 60% in Off-Zustand. Uo=15V erreichte Strom durch impuls ist 7,5 A= Imax ich habe mal gelesen , dass bei pulsbetrieb , soll man die Impulsverlustleistung betrachten
Es ist wohl Bild 16, welches du meinst!? Das Bild ist nicht leicht zu interpretieren. Ich weiß nicht, ob es mir gelungen ist. PD kann ich jetzt nicht sicher zuordnen; ist das die Verlustleistung P multipliziert mit dem Tastverhältnis oder einfach nur die Spitzenleistung während der Ein-Phase. Ich vermute mal letzteres. Du hast 10ms Periode, davon 4ms ein. Demnach ist ZthJC ca. 0.8, die Kurve ist ja fast oben für Pulsdauern, die größer als 1ms sind. Selbst bei extremen Tastverhältnissen. Das interpretiere ich mal so, dass der wesentliche Teil alleine durch die Erwärmung im eingeschaltete Zustand auftritt. Die durch Umschaltverluste hervorgerufene Erwärmung ist erst relevant im linken Teil der Kurve. Je länger der eigentliche Puls ist, desto weniger spielt es eine Rolle, dass der Transistor auch mal wieder ausgeschaltet wird - zumindest für die Temperaturerhöhung. Im vorliegenden Fall würde ich mal so überschlagen: 7,5A * 1.7V = PD (1.7V sei max.Sättigung bei 7.5A, interpoliert) ZthJC = 0.8 RthJC = 1K/W Also wirst du eine Temperaturerhöhung der Sperrschicht von rund 10K über dem Gehäuse erhalten. Welchen KK braucht man? Dazu muss man folgendes definieren: Wie groß ist die max. Umgebungstemperatur, welche max. Temperatur willst du der Sperrschicht zumuten?
Hallo, sieh dir mal diese Seite an, dort ist das erklärt. http://www.semikron.com/internet/index.jsp?language=de&sekId=229
Als Anhaltspunkt für die dynamischen Verluste bei bekannter Schaltfrequenz f dient die Angabe der Schaltverlustenergie (Turn-on-energy Eon und Turn-off-energy Eoff), die sich in jedem IGBT-Datenblatt findet. Die Schaltverlustleistung Pdyn ergibt sich dann zu Pdyn = f * (Eon + Eoff) Der so errechnete Wert gilt dann aber genaugenommen nur für die im Datenblatt angegebenen "Conditions". Das ist zumindest schonmal eine Größenordnung, mit der Du Deine Kühlung dimensionieren kannsr. Jörg
Danke für die Hilfe, >Also wirst du eine Temperaturerhöhung der Sperrschicht von rund 10K über dem Gehäuse erhalten. bist du auf diesem wert gekommen mittel dem 12 W ?? >sieh dir mal diese Seite an, dort ist das erklärt. danke für den link , es ist auch dort etwas gut erklärt , es kann mir nicht so sehr behilflich sein, da ich die dort eingegebene Parametter (Eon, Eoff) im dattenblatt nicht finden kann. >Schaltverlustenergie (Turn-on-energy Eon und Turn-off-energy Eoff), die sich in jedem IGBT-Datenblatt findet. Die Schaltverlustleistung Pdyn ergibt sich dann zu Pdyn = f * (Eon + Eoff) ist diese On- und Off-energie im Datenblatt unter SCIS Energie zusammengefasst ???
yannick wrote: > ist diese On- und Off-energie im Datenblatt unter SCIS Energie > zusammengefasst ??? Der Begriff sagt mir jetzt nichts. Aus welchem Datenblatt stammt er ? Die Schaltverluste werden in allen mir bekannten Datenblättern mit Eon und Eoff bezeichnet. Oftmals werden sie auch zur "Total Switching Energy" oder "Total Switching Loss" Ets zusammengefaßt, was aber nur die Summe beider Werte ist. Jörg
yannick wrote: > hier ist der link > > http://www.fairchildsemi.com/ds/FG%2FFGB3040CS.pdf Achso, das ist ja auch kein normaler IGBT. Der ist speziell für Zündanlagen in Autos gedacht. Da bei diesen Anwendungen Frequenzen unter 1 kHz üblich sind, sind die Schaltverluste gegenüber den statischen eher vernachlässigbar und werden vermutlich deshalb nicht angegeben. Wichtiger ist hier die Begrenzung der C-E-Spannung. Wie auch bei MOSFETs, die ebenfalls grundsätzlich eine D-S-Spannungsbegrenzung haben, wird die Energie angegeben, die der Transistor im Falle eines Überspannungsimpulses absorbieren kann. Mit den Schaltverlusten hat das nichts zu tun. Jörg
Ich stimme Hilde + Jörg zu. Bei automotive ignition IGBTs wird Eon/Eoff scheinbar nicht angegeben? Das Zth bedeutet eigentlich nur, daß bei höherer Pulsfrequenz die Speicherung der thermischer Energie (Cth) mehr Gewicht im Verhältnis zur Wärmeleitung (Rth) bekommt.Man kann deshalb bei höherer Frequenz auch höhere Verlustleistungen fahren. http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-949.pdf Wenn Du Dich nicht so gut auskennst, vergiß Zth und nimm einfach Rth, dann bist Du immer auf der sicheren Seite.
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