Frage zu Datenblatt von P-Mosfet

[Puchi (Gast)]

Hallo an euch,

ich habe eine Frage zu einem P-Channel Mosfet.

Hier das Datenblatt:

http://www.datasheetcatalog.org/datasheets2/11/111100_1.pdf

Bitte seht euch die Diagramme auf Seite 4 an, Figure2 und Figure 4.

Mir geht es um den Drain-Source Widerstand. Ich habe eine Gatespannung 
von -4,5V.

Mir geht es um die Beschriftung der Y-Achsen: Bei dem einen Diagramm 
steht : Rds on Normalized Drain Source Resistance, bei dem zweiten 
Diagramm steht Rds on ON Resistance.

Was ist den der Unterschied zwischen den beiden? Was ist den nun der 
Widerstand bei 4,5 V: 1,4 Ohm oder 0,005 Ohm?

Kann mir das bitte einer erklären?

Danke
Peter

[yalu (Gast)]

In Abb. 2 ist RDSon auf das minimale RDSon (ca. 3,7mOhm, s. Abb. 4)
normiert, d.h. 3,7mOhm wird zu 1 gesetzt. Bei UGS=4,5V ist RDSon das
1,4-fache, also etwa 5,1mOhm.

[Puchi (Gast)]

Hallo,

danke dir sehr, hat mir wirklich geholfen.

Kann ich den Widerstand einfach so mit einem Multimeter testen, indem 
ich bei Drain und Source messe? Oder mache ich den Mosfet dabei kaputt?

Danke noch mal,

Peter

[aha (Gast)]

Den Widerstand wirst so mit dem Multimeter kaum messen koennen. Was 
bedeuten 4mOhm ? Das bedeutet, das bei 1A 4mV, resp 10A 40mV drueber 
abfallen.