www.mikrocontroller.net

Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Fragen zu Highside MosFET-Treibern


Autor: Leo B. (luigi)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Servus beieinander,

ich bin dazu übergegangen doch einen fertigen Treiberbaustein für meinen 
MosFET zu verwenden. (Fehlerquellen etc. ihr habt Recht, ich sehs ja 
ein).
Nur frag ich mich wie das funktioniert.
Ich will ja einen FET in einem Step-Down-wandler Antreiben.
- Wenn ich jetzt so einen FET-Treiber verwende, nehm ich dann einen 
N-Kanal oder P-Kanal FET für die Highside (so heist das doch, wenn der 
FET an V+ hängt)?

- Wenn N-Kanal: Dann brauch der ja zum durchsteuern fürs Gate ne höhere 
Spannung als meine Versorgungsspannung, da der/die/das Drain ja am Plus 
der Versorgunsspannung hängt. Da aber die ströme scheinbar relativ hoch 
sein können (Treibe haben ja scheinbar durchaus mal mehr als 1A) denke 
ich brauch die Versorgung des Treibers eine recht Stromstabile erhöhte 
Versorgunsspannung. Wo soll ich die denn bitte herbekommen?

- Wenn P-Kanal: Dann müsste das schon recht schön funktionieren, nur 
finde ich in den Datenblättern immer nur Schaltungen mit N-Kanal FETs. 
Meiner Meinung nach müsste trotzdem auch ein P-Kanal funktionieren 
(invertiert halt dann das signal), aber da ich nichts weiß frag ich 
nach.

(Nebenbei:
- Was für einen Treiber könnt ihr bei preis-leistung empfehlen?)

Autor: Düsentrieb (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
du kannst zb nen simplen lo-side treiber nehmen, und mit nem übertrager 
das gate ansteuern
guch mal ins db vom icl7667
http://www.intersil.com/data/fn/fn2853.pdf

Autor: Jörg Rehrmann (Firma: Rehrmann Elektronik) (j_r)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Hans Wurst wrote:

> - Wenn ich jetzt so einen FET-Treiber verwende, nehm ich dann einen
> N-Kanal oder P-Kanal FET für die Highside (so heist das doch, wenn der
> FET an V+ hängt)?

N-Kanal nimmt man vorzugsweise, bei hohen Strömen und/oder hohen 
Spannungen. P-Kanal-MOSFETs mit Spannungen über 200 V sind rar und 
teuer. Bei hohen Strömen verursachen sie durch ihren höheren Rdson 
größere Verlustleistungen. Bei kleineren Spannungen sind sie einfacher 
anzusteuern als ein N-Kanal mit High-Side-Driver.

> - Wenn N-Kanal: Dann brauch der ja zum durchsteuern fürs Gate ne höhere
> Spannung als meine Versorgungsspannung, da der/die/das Drain ja am Plus
> der Versorgunsspannung hängt. Da aber die ströme scheinbar relativ hoch
> sein können (Treibe haben ja scheinbar durchaus mal mehr als 1A) denke
> ich brauch die Versorgung des Treibers eine recht Stromstabile erhöhte
> Versorgunsspannung. Wo soll ich die denn bitte herbekommen?

Die Treiber erzeugen sich diese Spannung selbst mit einem Kondensator, 
der mit Source verbunden ist und während der Sperrphase, wenn Source auf 
null Volt liegt (liegen sollte) auf ca. 15 V aufgeladen wird. Wenn der 
Transistor durchschaltet, liegt an dem Kondensator immer eine Spannung 
von ca. 15 V über Sourcepotenzial. Das funktioniert natürlich nur bei ED 
< 100% und wenn die Sourcspannung periodisch immer bis auf null Volt 
sinkt.

> - Wenn P-Kanal: Dann müsste das schon recht schön funktionieren, nur
> finde ich in den Datenblättern immer nur Schaltungen mit N-Kanal FETs.
> Meiner Meinung nach müsste trotzdem auch ein P-Kanal funktionieren
> (invertiert halt dann das signal), aber da ich nichts weiß frag ich
> nach.

Bei Spannungen bis ca. 15 V braucht der P-Kanal einen einfachen Low-Side 
Driver. Den kann man meistens diskret aufbauen. Bei höheren Spannungen 
kann man es z.B. so machen:
http://www.trifolium.de/netzteil/kap6_1.html

Jörg

Autor: Daniel V. (volte)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Sieh mal unter "Bootstrap - Verfahren" nach, da siehst du gleich wie das 
mit N - Kanal Mosfets funktioniert. Ist recht unproblematisch, nur ein C 
ein R und ne Diode mehr.
Wie bereits erwähnt wurde wird dies haupts. bei höheren Strömen 
verwendet, vor Allem z.B. in Bridge mit PWM wegen der niedrigen Verluste 
bei den N - Kanälern.

Mfg

Autor: Leo B. (luigi)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Ah ja danke. So gefällt mir das schon eher wobei ich immernoch nicht zu 
100% zufrieden bin, da ja die Source des N-Kanal-FET in einem Stepdown, 
der nicht belastet wird aber volle Ausgangsspannung liefert, abenfalls 
annähernd dauerhaft auf V+ steht. Abenso bei 100% last. Hier soll der 
FET dauerhaft durchsteuern.
Es liegt dann also keine Spannung über den FET an.
Ich vermute aber es wird am sinnvollsten mit einer kleinen Ladungspumpe, 
die ich ja auch mit Netzfrequenz aus dem Travo direkt bedienen kann. Mit 
einem Kondensator sollte sich ja dann das kleine C im FET ausreichend 
bedienen lassen.

Trotzdem DANKE für eure Tips.
Da hab ich wieder einiges gelernt und kanns ja evtl. in zukünftigen 
Schaltungen anwenden.

Autor: gast (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Der Highside Treiber ist eine Ladungspumpe für den Highside N-Mosfet. 
Alles brav in einem Chip, mit einsprechendem Timing.

Antwort schreiben

Die Angabe einer E-Mail-Adresse ist freiwillig. Wenn Sie automatisch per E-Mail über Antworten auf Ihren Beitrag informiert werden möchten, melden Sie sich bitte an.

Wichtige Regeln - erst lesen, dann posten!

  • Groß- und Kleinschreibung verwenden
  • Längeren Sourcecode nicht im Text einfügen, sondern als Dateianhang

Formatierung (mehr Informationen...)

  • [c]C-Code[/c]
  • [avrasm]AVR-Assembler-Code[/avrasm]
  • [code]Code in anderen Sprachen, ASCII-Zeichnungen[/code]
  • [math]Formel in LaTeX-Syntax[/math]
  • [[Titel]] - Link zu Artikel
  • Verweis auf anderen Beitrag einfügen: Rechtsklick auf Beitragstitel,
    "Adresse kopieren", und in den Text einfügen




Bild automatisch verkleinern, falls nötig
Bitte das JPG-Format nur für Fotos und Scans verwenden!
Zeichnungen und Screenshots im PNG- oder
GIF-Format hochladen. Siehe Bildformate.
Hinweis: der ursprüngliche Beitrag ist mehr als 6 Monate alt.
Bitte hier nur auf die ursprüngliche Frage antworten,
für neue Fragen einen neuen Beitrag erstellen.

Mit dem Abschicken bestätigst du, die Nutzungsbedingungen anzuerkennen.