Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik suche passenden FET und bitte dabei um Hilfe.


von Paul (Gast)


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Hallo,

wie gesagt bin ich auf der suche nach einem FET, bestimmte Anforderungen 
sollen erfüllt werden:

das Elektronik-Kompendium.de spricht von:
"... Power-FETs genügt eine Gate-Source-Spannung von weniger als 5 V 
damit der Drain-Source-Kanal vollständig leitet. Es gibt moderne 
Power-MOSFETs die im eingeschalteten Zustand derart niederohmige 
Drain-Source-Widerstände haben, dass sie es mit massiven Relaiskontakten 
im Milliohm-Bereich durchaus aufnehmen können."

Und ganu so was will ich, am liebsten ein Datenblatt oder eine 
Typenbezeichnung oder eine Idee wie ich den passenden finden kann, denn 
auf Conrad und Co. finde ich nur ewig lange Listen aber keine gescheite 
Auswahlmöglichkeit... Auch der Mann am Telfon wollte mir nicht helfen 
und sagen was für ein Modell ich brauche...

meine Kriterien sind:

selbstsperrend - "Steurspannung soll bei 3,3V liegen und drain-source 
soll so niederohmig wie möglich sein..."

soweit ich weiss kann sowas "lowpower-FET" heissen...

Aber wirklich ich habe keine Ahnung wie ich den Richtig Typ finden 
soll...

für die Drain-Source Spannung und Stromstärke kann ich sagen das die 
extrem niedrig ist,
für jede Hilfe bin ich dankbar...
viele Grüße

Paul

von Gast (Gast)


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P oder N-Kanal?
für P-Kanal hätte ich jezt sofort IRF7314 im Kopf.

von Gast (Gast)


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suche mal nach "logic level FET".

von Jens G. (jensig)


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>für die Drain-Source Spannung und Stromstärke kann ich sagen das die
>extrem niedrig ist,

Wenn auch Stromstärke extrem niedrig sein soll, dann braucht man doch 
keine Mosfet-Monster mit extrem niedrigen R. Wenn es hier wirklich nur 
um niedrige Spannungen/Ströme geht, sind solche Dinger vielleicht eher 
ungeeignet, denn es gibt ja auch noch einige andere Parameter, die man 
neben U/I/R beachten sollte, und die sich evtl. recht ungünstig 
auswirkken können (Stichpunkt parasitäre Kapazitäten). Vielleicht 
erzählst Du mal, wozu du den brauchst bzw. in welcher Umgebung 
(schaltungstechnisch betrachtet).

von Mike J. (Gast)


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@ Gast
Wenn er sagt:
> Gate-Source-Spannung von weniger als 5 V
und
> Steurspannung soll bei 3,3V liegen
müsste man von einem N-Kanal MosFET ausgehen, ansonsten hätte er -5V 
gesagt oder Source-Gate-Spannung von 5V.


Der AP9918H ist ein LogicLevel-MosFET und bei 3V UGS kann er 45A 
schalten.
Auf alten Mainboards findet man den oft, aber bei Reichelt bekommt man 
den nicht.

von Paul (Gast)


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Hey danke ihr seid echt super hier,

also ich haybe noch mal ganz genau drauf geachtet und es muss ein 
N-Kanal sein...

Gekauft wird das teil (oder die weil 12 Stück) sowieso...

gebaraucht wird es zum umschalten von einem Messgerät, schätzungsweise 
liegen 700mV bei max 3A an... parasitäre Ströme und Spannungen wären 
extrem ungut... ein hoher Widerstand aber auch, gewünschter Widerstand 
liegt so bei 0,1 Ohm und kleiner.

Schalktgeschwindigkeit soll möglichst schnell sein ich selle mir da so 
20ms vor...

Supertip mit dem "logic level FET"

hab dann auch die Tabelle gefunden, Frage passt sowas?
IRF1404 TO-220AB  UGS 4.0 UDS/V 40 ID/A 202 P/W 333 RDS/mOhm 4

ich selber habe bei Farnell 2 gefunden, passen die?
FDMS5672 UGS 4 UDS/V 40 ID/A 10,6 P/W 2,5 RDS/Ohm 0,0115
und
IRFB3206PBF UGS 4 UDS/V 60 ID/A 840 P/W 300 RDS/Ohm 0,003

ich aktualisier mal den Schaltplan und versuch ihn hier noch 
reinzustellen...

danke für die Hilfe und würde mich über einen Tip freuen welcher FET 
jetzt nun mehr sinn macht..

von Analog (Gast)


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Äh laß das mal Meßsignal durch einen MOSFET zu schicken. Da gibt es 
viele schlimme effekte. Nimm lieber Read-Relays die gibt es auch in 
ziemlich kleinen Bauformen.

von Paul (Gast)


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relais haben eine zu langsame schaltzeit... deswegen bin ich auf FETs 
gekommen... was sind denn die schlimmen effekte?

von Analog (Gast)


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Jo dann fange ich mal an:

- Einkopplungen durch die Gate-Drain-Kapazität
- thermisches Rauschen
- Schrottrauschen (Metallkontakte)
- 1/f-Rauschen
- nichtlineare Einflüße auf das über (2!) PN-Übergänge eingespeisste 
Meßsignal

und vieles mehr.

von Analog (Gast)


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LOL ... äh ich meine Schrotrauschen nicht Schrottrauschen, sorry

von Paul (Gast)


Angehängte Dateien:

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Okay ich habe den Schaltplan mal angefügt, bitte nehmt mir nicht übel 
das es eine AutoCAD zeichnung ist die nicht ganz nach den 
Schaltungzeichnungsnormen ist... das Prizip sollte aber klar werden.

3 variable Spannungsquellen sollen über verschieden Widerstände gemessen 
werden. Dafür werden auf den 15 Messleitungen (nach unten)die Spannungen 
gemessen

die 4 Leitung nach links sollen die Relais Schalten, mit einer 
Gegenleitung dem negativen Pol...

noch was zu Relais, meines wissens haben die neben der langsamen 
Schaltfrequenz und der Berenzten Lebensdauer sehr unangenehme 
selbstinduktionen... gerne lasse ich mich vom Gegenteil belehren, ich 
bin nicht froh über FETs da ich diese nicht voll und ganz verstehe...

grüße

Paul

von Jens G. (jensig)


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@ Analog
also das Rauschen und die Einkopplungen durch die Gate-Drain-Kapazität 
können wir hier sicherlich ignorieren - inzwischen wissen wir ja, daß es 
sich um einige Ampere handelt, und daß die Schaltgeschwindigkeit 
irgendwas bei 20ms liegen soll (also wenns hoch kommt gerade mal ein 
paar 100Hz oder paar kHz mit Oberwellen ;-).
Und wo der PN-Übergang sein soll, das musste mir auch noch erklären (ich 
sehe da nur einen von der parasitären Diode).
Wenn hier also nur Gleichströme/Spannungen geschaltet werden sollen, 
sehe ich da keine großen Probleme mit einem Mosfet (wobei ich die 
Schaltung trotzdem noch nicht so ganz verstehe).
Den IRF1404 kannste ja mal probieren, denn bei den paar Ampere kannste 
den eigentlich schon als LogicLevel Typen betrachten

von Analog (Gast)


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>Und wo der PN-Übergang sein soll, das musste mir auch noch erklären (ich
>sehe da nur einen von der parasitären Diode).

Also wenn das Signal durch Drain nach Source geschleift werden soll.

Hast Du einen Übergang von Metal nach n+ zum substrat p wieder nach n+ 
zu einem Metallkontakt. Das sind zwei Übergänge.

von Analog (Gast)


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von Paul (Gast)


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Danke Jens und Analog,

nu bin ich ein bisschen verunsichert - und suche bereits nach einer 
Lösung mit Reedrelais - die aber durch eine Lebensdauer unangenehm 
auffallen und sicherlich teurer sind...

zur Verdeutlichung: Es werden nur gleichspannungen genutzt...

es handelt sich maximal um einige Ampere... eher weniger... also im mA 
Bereich...

das p-Substrat wird doch passiviert und das schalten sollte doch nur 
gehen wenn die N-P-N Sperrschicht "geflutet" ist, demnach sollten das 
mit den Übergängen nicht sein, dennoch sehe ich gneu da die Gefahr das 
störungne auftreten können...

grüße

Paul

(PS den Schaltplan besser ich nach xD)

PPS: wie gr0ß ist denn die thermisch anfälligkeit der FETs?

von Analog (Gast)


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> das p-Substrat wird doch passiviert
Ja aber nur an der Oberfläche um Kantenkurzschlüsse zu vermeiden

>das schalten sollte doch nur
>gehen wenn die N-P-N Sperrschicht "geflutet" ist, demnach sollten das
>mit den Übergängen nicht sein

naja... Ein FET hat im Sättigungsbereich nie einen linearen Widerstand. 
Dies liegt wirklich daran das wir Elektron durch verschieden dotiertes 
Material leiten.

von Kupfer Michi (Gast)


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Lad dir zum Schaltplanzeichnen Eagle von Cadsoft herunter.

IRLZ34N, IRF7341, (siehe Standardbauteile in der Artileksammlung hier im 
Forum), gibts alle bei Reichelt.

Was soll die (verkehrtherum gepolte) Diode in Serie mit der 
Spannungsquelle?

von Analog (Gast)


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>noch was zu Relais, meines wissens haben die neben der langsamen
>Schaltfrequenz und der Berenzten Lebensdauer sehr unangenehme
>selbstinduktionen...

Die Selbstinduktion führt eigentlich dazu das sich durch das entladen 
der Spule einen Spannungsänderung dU=L*(dI/dt) zur Spulenspannung 
addiert. Die Zeitabhängigkeit zeigt, daß es eben beim Schaltung zu 
großen dUs kommen kann und dadurch Spannung an der Spule entstehen 
können, die die Schaltspannung massiv überschreiten bzw. unterschreiten. 
Abhilfe schafft hier eine entgegengesetzt gepolte 
Freilaufe(Shottky)-Diode. Den Einfluß durch das H-Feld auf den 
Metalkontakt, welcher das Meßsignal transportiert halte ich persönlich 
für vernachlässigbar. Aber da lehne ich mich mal nicht aus dem Fenster.

von Kupfer Michi (Gast)


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>Ein FET hat im Sättigungsbereich nie einen linearen Widerstand.

Da er sowiso hier nur im Schaltbetrieb eingesetzt wird spielt das hier 
keine Rolle. Was juckt eine Nichtlinearität von sagen wir 1% bei einem 
durchgeschalteten Widerstand von 30mOhm ? Das wären dann bei 3A in etwa 
ein Fehler von 0.9mV. Ich Wette sein ADC ist ungenauer.

von Paul (Gast)


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=) danke für den Tip Michi, leider kann ich hier keine Programm 
installieren bin kein admin, AutoCAD kann ich halt in 5 minuten so ne 
skizze machen... zu Hause werde ich aber deine Tips beherzigen, mir 
wurde auch schon Elektronik-Workbench oder so ähnlich empfohlen...

zur Diode... (und da merkt man leider wie wenig ahnung ich habe) ich 
"dachte" eine ??Shott-Diode?? verhindert das sich der Stomkreis umpolen 
kann, also beim Wasserrohr als Rückschlgventil sozusagen... einfach um 
auf nummer sicher zu gehen...
Alos muss ich die Diode umdrehen oder ist die Idee schon falsch?

@Analog, ja richtig verstehe ich sehr gut - gibt es denn außer das 
"nicht lineare" Widerstandsverhalten eine annäherung für die Varianz des 
Widerstandes? Dann könnt ichs einfach rausrechnen?!

grüße

Paul

von Analog (Gast)


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@Kupfer Michi

Paul wrote:
> es handelt sich maximal um einige Ampere... eher weniger... also im mA
>Bereich...

Aber im Ampere bereich mag das schon stimmen, wie sieht es darunter aus. 
Vielleicht ist das auch ein bißchen Übertrieben von mir. In nagelneuen 
teuren Meßinstrumenten hörst Du übrigens heute noch Relais klackern. 
Aber ich halte mich jetzt mal zurück. Wollte nur mal meine Meinung 
sagen.

von Paul (Gast)


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Die Durchgeschalteten Widerstände liegen bei:
0,002 Ohm
1 Ohm
3 Ohm
5 Ohm

Die gemessene Stromstäre liegt maximal bei 3A, eher aber im mA 
Bereich... sagen wir mal 0 bis 300mA

kommt es da zu Fehlern wegen den geringen Strömen?

von Kupfer Michi (Gast)


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>Alos muss ich die Diode umdrehen oder ist die Idee schon falsch?

Umdrehen ja, denn so betreibst du sie ja in Sperrichtung.

Ausserdem gehört die Diode nicht in den unteren Zweig (MOSFET Source -> 
Minus Pol der Spannungsquelle) sonder in den oberen Zweig (+Pol -> 
Messwiderstand).

Im unteren Zweig verschiebt die Diode nur unnötigerweise das Source 
Potential gegenüber dem Gate durch den Spannungsabfall an der Diode.

von Gast (Gast)


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na Hut ab!

>AutoCAD kann ich halt in 5 minuten so ne skizze machen...

gelernt ist gelernt.  :)

von Kupfer Michi (Gast)


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>Die Durchgeschalteten Widerstände liegen bei:
>0,002 Ohm
>1 Ohm
>3 Ohm
>5 Ohm

Oh je, das hättest du zu erst sagen müssen.

bei 0.002Ohm + 0.030Ohm vom durchgeschalteten MOSFET hast du ja ein 
riesen Messfehler. So wird das nix.

Bei 3Ohm währen das immer noch 1% durch den MOSFET.

von Paul (Gast)


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Nein Analog ich danke Dir sehr dafür das Du mich auf die Relais gebracht 
hast - bis jetzt war mir nicht bekannt das es solche schnellen Relais 
gibt...

ich habe mir einfach mal die beiden hier angeshen und cerstehe nicht 
ganz ob ich die mit meinem 3,3V analogen Output schalten kann und ob sie 
zu meiner Idee passen...

ersichtlich wird mir nur das sie einen Wiederstand habend er dazu noch 
dynamisch ist...

http://www.meder.com/fileadmin/meder/pdf/de/Produkte/Reedrelais/Relais_LP_Serie_D.pdf
http://www.meder.com/mre_relays0.html

Leider ist der Technische Support nicht mehr da sondern im WE...

grüße

Paul

von Jens G. (jensig)


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QAnalog
npn schon - im Ruhezustand (da macht ihn ja erst mal sperrend. Aber 
sobald das Gate die Thresholdspannung überschreitet, wird diese Strecke 
ebenfalls n-leitend, was ja erst den Stromfluß ermöglicht. Da haste also 
keine Sperrschichten mehr ...

von Paul (Gast)


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"Oh je, das hättest du zu erst sagen müssen.

bei 0.002Ohm + 0.030Ohm vom durchgeschalteten MOSFET hast du ja ein
riesen Messfehler. So wird das nix.

Bei 3Ohm währen das immer noch 1% durch den MOSFET."

1% ist völlig ok, der 0,002Ohm Widerstand muss einfach drin sein um eine 
Kurzschlussspannung zu messen... Wenn ich einen noch kleineren bekomme 
nehm ich den, aber ich muss über einen definierten Widerstand messen um 
aus einer Spannung einen Strom zu errrechnen...

deswegen will ich auch die ganze Zeit so niederohmige FETs, (die dann 
auch in der größenordnung von den Relais sind... als kommt man wohl 
nicht drum herrum)

vielleicht kann ich den Fehler auch rausrechnen, aber nur wenn er einer 
Gesetzmäßigkeit folgt... das angesprochene Rauschen ist da ssehr viel 
kritischer...

deswegen hatte ich auch gefragt ob der FET hier geht:
IRFB3206PBF UGS 4 UDS/V 60 ID/A 840 P/W 300 RDS/Ohm 0,003


grüße

Paul

von Analog (Gast)


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@ Jens G. (jensig)

Ja, dann musst Du gaaannz genau nach der Rise-Time den AD-Wandler 
anmachen und kurz vor der Fall-Time wieder aus. Wird ziemlich schwer zu 
synchronisieren sein.

von Gast (Gast)


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>vielleicht kann ich den Fehler auch rausrechnen, aber nur wenn er einer
>Gesetzmäßigkeit folgt... das angesprochene Rauschen ist da ssehr viel
>kritischer...

lass Dich nicht irre machen das Rauschen spielt keine Rolle
bei der Anwendung! :)

von Gast (Gast)


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>RDS/Ohm 0,003

zu spät gelesen : der ist um mindestens eine 10 Potenz
zugut und zu teuer!

von Kupfer Michi (Gast)


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>IRFB3206PBF UGS 4 UDS/V 60 ID/A 840 P/W 300 RDS/Ohm 0,003

der würde dann schon eher gehen, aber mit 3 mOhm + 2 mOhm verdoppelst du 
immer noch deinen Messwiderstand (unter der Annahme dass du sehr! 
niederohmig verkabelt hast)..

Ausserdem solltest du bedenken, dass RDS.on sehr Temperatur und GS 
Spannungsabhängig ist (schwierig zu kalibrieren).

Der IRFB sollte auch mit 10V am Gate angesteuert werden, sonnst erreicht 
er die 3mOhm nicht.

von pillepalle (Gast)


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moin

nicht suchen sondern aussuchen

http://www.irf.com/technical-info/appnotes.htm

ansonsten www.gimf.de

von pillepalle (Gast)


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'ansonsten www.gimf.de'

sorry falscher link :-)

http://www.gidf.de/

von Kupfer Michi (Gast)


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>der 0,002Ohm Widerstand muss einfach drin sein um eine
>Kurzschlussspannung zu messen... Wenn ich einen noch kleineren bekomme
>nehm ich den,

Wie misst du die Differenzspannung über dem 2mOhm Widerstand?
Bei 3A kurzschlussstrom wären das 6mV.

Um den einfluss des MOSFETs auf den Krurschlussstrom noch weiter zu 
minimieren kannst du mehre MOSFETs parallel schalten.

Für die grösseren Widerstände reichen dann die einfacheren Typen.

>aber ich muss über einen definierten Widerstand messen um
>aus einer Spannung einen Strom zu errrechnen...

D.h. dir kommt es auf den maximalen Kurzschlussstrom & Spannung an?
Und wie sieht dann deine Verkabelung aus (Steckkontakte ist ja nich)?

von Paul (Gast)


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=) zugut geht fast nicht, zuteuer - hmm naja denke so ein Bauteil kostet 
max 5 bis 10 Eur... die Angebote von Reichelt liegen ja eher im Cent 
bereich.. umso besser...

nein leider hab ich keine 10V am Gate... sonst müsste ich ne 
spannungsquelle einbauen, die dann wohl wieder mit FETs geschaltet 
werden müsste...

Was meinst du mit GS?

wie gesagt der 0,002 Ohm Widerstand ist nur damit ich einen definierten 
wiederstand habe der fast den Kurzschuss darstellt...

die Kontaktierung der Spannungsquelle kann als optimal angesehen werden 
wenn sie bei +/- 0,2 Ohm liegt im extremfall lieg ich aber um Faktor 10 
höher...

von Paul (Gast)


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Ja ich wollte Silberdraht nehmen... fest verdrahtet

das mit dem "über den Widerstand messen" wurde mir so erklärt... das 
kanze soll mit nem Datenlogger erfasst werden der sollte hoffentlich 
genau genug sein...

das mit den MOSFET parelle hört sich sehr gut an... gilt da das gleiche 
wie für zwei Widerstände die parallel sind!??

das würd ich dann mit allen MOSFETS machen also die immer doppelt 
nehmen...


(hey ich fahr jetzt erst mal nach hause und setzt mich da heute abend 
wieder an den Computer (die Zeichnung mach ich dann auch besser mit dem 
richtigen Programm...

bis gleich =) und bis jetzt schon mal vielen Dank auch wenn ich immer 
noch nich weiss wie es gehen soll =)

grüße

Paul

von Kupfer Michi (Gast)


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>Was meinst du mit GS?

Gate-Source Anschluss/Spannung

>die Kontaktierung der Spannungsquelle kann als optimal angesehen werden
>wenn sie bei +/- 0,2 Ohm liegt im extremfall lieg ich aber um Faktor 10
>höher...

OK, das änder wieder alles,
bei max 2 Ohm Anschlusswiderstand spielen zusätzliche 30 mOhm (bzw. 3 
mOhm) vom FET keine so grosse Rolle mehr.

Misst du die Spannung über den Widerstand mit einem Instrumenten OpAmp, 
sonst wird das bei den 6mV nix.
Alternative kann man in diesem Fall den Messwiderstand in den Source 
Zweig legen und mit einem einem einfachen Low Offset OpAmp messen.

(sach mal, könnte es sein, dass wir hier gerade deine Hausaufgaben 
machen und du damit am Montage bei deinem Chef glänzt?)

von Frank B. (frankman)


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von Frank B. (frankman)


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Analog wrote:
> Äh laß das mal Meßsignal durch einen MOSFET zu schicken. Da gibt es
> viele schlimme effekte. Nimm lieber Read-Relays die gibt es auch in
> ziemlich kleinen Bauformen.

So ein Bullshit! Sorry

von Paul (Gast)


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"(sach mal, könnte es sein, dass wir hier gerade deine Hausaufgaben
machen und du damit am Montage bei deinem Chef glänzt?)"

lol, jein - also ich mache das ganze für meine Diplomarbeit, 
dementsprechen ist es nicht für meinen Chef, ich bekomme keine 
Gehaltserhöhung und auch keine Schläge wennes nicht funktioniert...

Und um meine unwissenheit zu erklären - ich bin 
Umweltverfahrenstechniker, Mechatronik hatten wir zwar auch ein bisschen 
aber halt überhaupt nicht anwendungsbezogen noch ist das Wort MOSFET 
gefallen...

Ich tu mich sehr schwer mit Elektronik - die ganzen mechanischen 
Komponenten und auch die physikalischen Beweise habe ich alle schon...

Ich bin euch wirklich sehr dankbar - weil ohne eure Hilfe würde ich 
einfach nicht Land sehen, ich meine das Prinzip kann ich (muss ich auch) 
verstehen, aber welcher MOSFET nun passt, sry aber wenn mir da der 
Conrad Support nichts sagen kann und ich 3 Produktkataloge durchblätter 
und immer noch nicht verstehe welchen ich nehmen soll - dann scheint es 
mir das nur Spezialisten helfen können...

So jetzt mal ne Nachtschicht mit unter Anderem Schaltplan neu zeichenen 
:/

grüße

Paul

von Gast (Gast)


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>Umweltverfahrenstechniker

nagenau... so einem haben ich (wir) geholfen!

Der schaft die Messtechnik damit wir morgen mit unseren Autos
nicht mehr fahren dürfen.

schäm und groll Gast

von Paul (Gast)


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nein Leute wie ich schaffen Möglichkeiten das Du Auto fahren kannst mit 
Treibstoff der aus Abfallresten gewonnen wird...

Oder wir wollen das es ab sofort nur noch 2 Mülltonnen gibt für ALLES!

LoL

von Kupfer Michi (Gast)


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Mach dier nochmal etwas genauere Gedanken über dein Widerstands & Fehler 
Budget.

Wenn deine Verkabelungswiderstände so hoch sind, macht es keinen Sinn im 
Rest der Schaltung weit unter 10% dieses Wertes zu gehen.
Diese 10% kannst du dann zwischen Messwiderstand und MOSFET aufteilen.

Das mit der Schutzdiode macht dann eigentlich so auch keinen grossen 
Sinn, da sie ja ein weiterer, nicht zu vernachlässigender Widerstand 
ist.

Wenn du Verpolungssicherheit brauchst, mach statt dessen eine 5-10A 
Flink Sicherung rein und dahinter in Sperrichtung eine fette Schottky 
Diode nach V-.
Im Verpolungsfall wird sie leitend und reisst die Sicherung und es kann 
nichts mehr weiter passieren. (Ganz komfortionös kannst du zur Anzeige 
eines Fehlerfalls zwei LEDs antiparallel mit Vorwiderstand über die 
Sicherung brücken, sie leuchten dann bei durchgebrannter Sicherung auf).

>das kanze soll mit nem Datenlogger erfasst werden
... der natürlich hoffentlich einen Differenz Eingang hat.

Was ist das für eine Spannungsquelle, die vermessen werden soll?

von Paul (Gast)


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Hu Michi,

ich bin kurz vorm einschlafen und werd morgen weitermachen und dann 
kommen so viel gute Vorschläge von Dir... danke!

Das mit den LED hört sich schön an, werd ich schaun wenns einfach zu 
machen ist ist das wirklich ein hingucker...

Ja das mit dem Datenlogger sollte passen =)

und nun die auflösung des Rätsels mit der Stromquelle, es handelt sich 
um eine Solarzelle die Spannungsquelle ist. xD Deswegen auch die Messung 
und die Widerstände...

grüße und gute Nacht, bis morgen!

Paul

von Kupfer Michi (Gast)


Angehängte Dateien:

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>Solarzelle

Aha,
ihr wollt also die Strom/Spannungskennlinie der Zelle aufnehmen?

Wie hoch ist denn eure Leelaufspannung und euer maximale 
Krurzschlussstrom?

Lies dir mal zur allgemeinen Erbauung noch dies hier durch:

AN105 - Current Sense Circuit Collection
http://www.linear.com/pc/downloadDocument.do?navId=H0,C1,C1154,C1009,C1077,P12995,D12479

Da gibt es nämlich noch intelligentere Möglichkeiten.

Mit der Schaltung rechts unten kannst du das U vs. I Diagramm 
kontinuierlich aufnehmen und eliminierst gleichzeitig weitgehend deinen 
Fehler durch die Verkabelungswiderstände (Vierleiter Messung), dadurch 
dass du einen Sollstrom vorgibst und die resultierende Zellenspannung 
direkt an der Zelle selbst misst.

Die Kontrollspannung Vin kannst du über einen Rampengeneartor, DAC, 
Potentiometer oder wie auch immer einstellen.
Der FET muss natürlich gut gekühlt und der Sense Widerstand z.B. auf 0.1 
Ohm (oder was auch immer) runtergesetzt werden.

von Analog (Gast)


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>Der FET muss natürlich gut gekühlt und der Sense Widerstand z.B. auf 0.1
>Ohm (oder was auch immer) runtergesetzt werden.

Auja, die mühsam gewonnene Sonnenenergie gleich mal in Wärme umwandeln 
:)

von Paul (Gast)


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"Da gibt es nämlich noch intelligentere Möglichkeiten.

Mit der Schaltung rechts unten kannst du das U vs. I Diagramm
kontinuierlich aufnehmen und eliminierst gleichzeitig weitgehend deinen
Fehler durch die Verkabelungswiderstände (Vierleiter Messung), dadurch
dass du einen Sollstrom vorgibst und die resultierende Zellenspannung
direkt an der Zelle selbst misst."

Richtig, der beste Weg ist meines Wissens mit einer vierpolmessung und 
mit einer Gegenspannungsquelle, dies ist auf Grund der Konstruktion 
nicht möglich und auch nicht nötig, da wir keine ganze U/I-Kennlinie 
aufnehmen wollen...

danke für das PDF, auch wenn ichs nur schwer versthe lese ichs gerade 
durch... n bisschen was bleibt doch hängen...

müssen FETs immer gekühlt werden?!?

Die V_OC und I_SC sind abhängig von verschiedenen Zellen - deswegen will 
ich mich gerade nicht weiter festlegen als max: 1,5V und 3A, allerdings 
haben die Messungen auch Ströme von nur 300mA ergeben...

Und für Analog, nunja - ich würd auch lieber ne krisstallkugel nehmen 
und dann ohne Wärmeentwicklung die Solarzellen begutachten - leider sind 
die Messfehler sehr groß =)

von Analog (Gast)


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Jo dann such doch mal nach ner MPP-Regelung, da wirst Du Dir den Kram 
dann sparen können.

von Kupfer Michi (Gast)


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>nicht nötig, da wir keine ganze U/I-Kennlinie aufnehmen wollen...

Selbst wenn du nicht die ganze U/I Kennlinie brauchst, hast du immer 
noch das Problem der nicht vorhersagbaren Anschluss/Kabelwiderstände.

Dadurch verschiebt sich jeweils dein Arbeitspunkt und bei einem 
gemessenen U/I Paar weisst du nicht ob dies z.B. durch einen erhöhten 
Anschlusswiderstand, einen höheren Innenwiderstand der Zelle, oder 
geringere Effizienz oder Beleuchtung zustande kam.

Bei obiger Schaltung gibst du den Strom direkt vor, die Regelung sucht 
sich den richtigen Widerstand (Sens+FET+Verkabelung) dazu heraus und die 
Messungen werden damit automatisch untereinander Vergleichbar. Ausserdem 
sparst du jede Menge Verkabelung zum Datenschreiber.
... wollt ich nur zu Bendenken geben.

>müssen FETs immer gekühlt werden?!?

   P = U*I
im Linearbetrieb (Schaltung oben) ist U am FET und I gross

im Schaltbetrieb (deine erste Schaltung) ist I entweder 0 (Off) oder I 
gross und RDS.on sehr klein und damit U am FET ebenfalls klein.

Bei richtiger FET Auswahl reicht dann meist die Kühlung durch die 
Platine selbst.

>such doch mal nach ner MPP-Regelung

so wie ich Paul verstanden habe, möchte er seine Zellen nicht am 
optimalen Arbeitspunkt betreiben, sondern seine Zellen an verschiedenen 
Arbeitspunkten vermessen ... unterschiedliche Aufgabenstellung.

von Analog (Gast)


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>so wie ich Paul verstanden habe, möchte er seine Zellen nicht am
>optimalen Arbeitspunkt betreiben, sondern seine Zellen an verschiedenen
>Arbeitspunkten vermessen ... unterschiedliche Aufgabenstellung.

schon. Aber die Arbeitspunkte vermessen ist ein Abfallprodukt der 
MPP-Regelung.

von Paul (Gast)


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Hey noch mal ein Nachtrag, damit vielleicht jemand hier die Antwort 
findet die er braucht.

Die Schaltung funktioniert mit IRF1404 und den Widerständen 0,5/3/5,6/15 
Ohm sehr gut. Das Labviewprogramm kann in 1ms die gesammte MEssung 
durchführen, obwohl bereits 20ms ausreichend sind...

Ich danke allen die mir hier geholfen haben!!

grüße Paul

von Michael (Gast)


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>Und ganu so was will ich, am liebsten ein Datenblatt oder eine
>Typenbezeichnung oder eine Idee wie ich den passenden finden kann, denn
>auf Conrad und Co. finde ich nur ewig lange Listen aber keine gescheite
>Auswahlmöglichkeit... Auch der Mann am Telfon wollte mir nicht helfen
>und sagen was für ein Modell ich brauche...

Bei Farnell kann man diesbezüglich prima suchen, nur mal so als Tipp ;)

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