Hi, muss eigentlich zwischen Gate und Pot pin des µC ein Vorwiederstand ? Bisher habe ich da geteilte Meinungen drüber gelesen. mfg Yannic
jein also kommt drauf an was dein uc an kapazitiverlast abkann und welche kapazität dein gate darstellt. die größe des r hängt von der gewünschten schaltgeschwindigkeit ab. was ich aber auf jedenfall machen würde ich nen pull down/up fürs gate um ihm ne vrugslage zu geben. mfg marcel
ist allein abhängig von der schaltfrequenz und der damit verbunden stromaufnahme durch die kapazität des fet. wenn du so unter 1khz bleibts, gehts bei den meisten ohne vorwiderstand. musst du halt mal berechnen bzw. simulieren
Manchmal legt man in Serie zum Gate einen Widerstand in der Größenordnung einige 10 bis einige 100 Ohm, um EMV-Probleme zu vermeiden. Damit wird die Flankensteilheit verringert, weil der FET langsamer schaltet (der Gatewiderstand bildet mit den meist recht hohen Kapazitäten der Gate/Source-Kapazität sowie der Millerkapazität einen Tiefpass). Dies führt allerdings zu erhöhten Schaltverlusten, vor allem bei hohen Schaltfrequenzen. Bisweilen sieht man auch Widerstände im Bereich einige Kiloohm zwischen Gate und Source. Diese haben die Aufgabe, das Gate stets auf einen definierten Pegel zu legen, auch wenn die Ansteuerung deaktiviert bzw. hochohmig ist. Beispielsweise wenn ein Transistor zur Ansteuerung eines P-Kanal-MOSFETs verwendet wird.
Hi, ansteuern tue ich ein IRLZ34N mit einem Atmega 16. Was genau meinst du mit der Schaltfrequenz ? mfg Yannic
>Was genau meinst du mit der Schaltfrequenz ?
Denk mal an PWM, da wird sehr schnell ein- und ausgeschaltet.
Wenn Du nur ab und zu schalten willst, kannst Du den µ-Ausgang direkt
mit dem Gate verbinden.
Hi, danke für die Info, kann man das so pauschal sagen, wenn nur einmal kurz ein und wieder ausgeschaltet werden soll, oder ist das ganze abhängig vom jeweiligen Fet ? mfg Yannic
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