Dürfen MOSFETs parallel auch im Teillastbetrieb arbeiten? Oder müssen beide immer voll durchschalten? Ich habe hier im Forum einen Beitrag gefunden, in dem letzteres behauptet wird, aber ohne Begründung. Genauer geht es um den BUZ11: http://www.datasheetcatalog.org/datasheets/50/118235_DS.pdf
Jeweils eigene Sourcewiderstände (niederohmig) zum parallelschalten einsetzen und die FETs natürlich ausreichend kühlen.
Ok, aber warum? FETs leiten Strom ja schlechter, wenn sie wärmer werden. Müsste sich da nicht ein Gleichgewicht einstellen? Reichen 0.01-Ohm-Widerstände? Die FETs selbst werden so geregelt, dass sie insgesamt einen DS-Widerstand zwischen 0.04 und 1 Ohm haben (also R_FET1 + R_FET2)
Ja gut, kommt auch drauf an, ob sie thermisch gekoppelt sind oder jeweils einen eigenen Kühler erhalten. Vllt. sollte man das mal praktisch testen, wenns nicht geht muss man halt Sourcewiderstände nehmen. Darf man fragen, was du damit vorhast?
Bei den MOSFETs gibt es nomalerweise zwei Effekte mit steigen der Temperatur: 1) die Threschholdspannung wird kleiner -> mehr Strom 2) die Steilheit nimmt ab, bzw. Ron steigt -> weniger Strom Bei kleinen Spannungen überwiegt der 2 te Effekt bei größeren Spannungen eher der erste. Wo genau die Grenze liegt hängt wohl vom Typ ab. Außerdem gibt es ziehmliche Variationen zwischen den FETs sodass auch ohne den Temperatureffekt der Strom nicht unbedingt gleichmäßig verteilt wird. Die 0,01 Ohm reichen nicht. Am Widerstand wird schon eine Spannung von rund 0,5 V bei Volllast der Transistoren abfallen müssen, ähnlich wie bei den ´bipolaren Transistoren.
Vorsicht! MOSFETS leiten den Strom IM DURCHGESCHALTETEN Zustand schlechter bei Erwärmung, d.h. auf Symmetrierwiderstände kann nur im Schaltbetrieb verzichtet werden, weil der RDSon desjenigen, der mehr Strom nimmt und deswegen wärmer wird, steigt und somit der Strom geringer wird. Im Linearbetrieb ist dies ungleich vertrackter: Der Strom wird durch UGS bestimmt. Zum einen hat UGS selbst bei Transistoren aus der gleichen Charge enorm hohe streungen, d.h. ohne Sourcewiderstände fließt nahezu dein ganzer Strom nur durch einen Transistor, zum anderen (böser!): selbst wenn es dir gelingt, nahezu gleiche Exemplare zu selektieren, dann SINKT die für einen bestimmten Strom nötige UGS mit steigender Temperatur, d.h. der Transistor, der sowieso schon mehr Strom leitet und deswegen wärmer wird, dreht noch weiter auf -> PFAZZPENG Abhilfe schaffen hier nur Sourcewiderstände. Die Dimensionierung ist ohne weitere Angaben schwierig, aber so mit ca. 1V Spannungsabfall bei Sollstrom liegt man nicht so ganz verkehrt. Je mehr desto stabiler, aber man will natürlich nicht unnütz Strom verbraten. Habe gerade sowas mit 3 MOSFETs hinter mir, also BTDT. HTH, Baku
Ja, die sind thermisch gekoppelt. Es soll ein Entladegerät (mit Kapazitätsmessung) werden mit max. 10 A für 1 bis 15 V. Da bei 1 V noch 10 A fließen sollten, muss die Last bis auf 0.1 Ohm sinken können. Ich werds wohl wirklich ausprobieren müssen. Ansonsten habe ich mir überlegt den hier zu nehmen: http://www.pollin.de/shop/shop.php?cf=detail.php&pg=OA==&a=NDkwOTY4OTk=&w=Njk4OTk4&ts=0 Aber ich bin mir nicht sicher, wie sich das Ding verhält. Die Graphen im Datenblatt sehen nicht schlecht aus.
Habe soeben euere Postings gelesen. Für meine Anwendung lohnt sich der Aufwand dann wohl nicht. Vor allem wegen den Source-Widerständen. Ich brauche einen stärkeren FET. Also entweder der von Pollin (link im Posting drüber) oder der IRF1404: http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht#N-Kanal_MOSFET
Du willst also eine "elektronische Last" bauen. Gut, das geht schon ganz gut so wie du's vorhast, jedoch halt nicht ohne Sourcewiderstände. Zudem wäre es ratsam jedem Mosfet (da du ja eh nur zwei hast) eine eigene Regelung zu verpassen, somit eliminierst du das Hauptproblem gleich völlig. Hier mal meine ehemaligen Versuche zu dem Thema: http://dareal.info/test/ Weiter unten findest du Schaltungsbeispiele, welche von ELV stammen, vllt. nicht optimal aber als Anregung sicher nicht verkehrt.
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