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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Verpolungsschutz mit dem IRF7416


Autor: Tobi (Gast)
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Hi

ich weiss das Thema wurde hier schon einige Male diskutiert aber ich 
will mir sicher sein das ich das richtig verstehe

Ich hab vor eine Lithiumbatterie (ja ich weiss die dinger koennen 
gefaehrlich sein - bitte keine Kommentare in diese Richtung) an eine 
Schaltung dranzuklemmen.

Um das ganzen Deppensicher zu machen hab ich vor einen Verpolungsschutz 
zu implementieren.

Plan war - man nehme einen IRF7416 der ja eine V_GS von -1V hat.

Drain an das (wenns richtig rum gepolt ist) + Terminal der Batterie und 
Sourche Richtung Schaltung. Gate auf Masse nageln (die bei richtiger 
Polung mit dem Minuspol der Batterie verbunden ist).

So weit so gut. Wenn richtig gepolt ist fliesst strom ueber die Drain 
Source Diode und zieht die Source nach oben so das dann V_GS < -1 wird 
und der FET somit "aufmacht".

Was mich aber nun wundert - der Strom fliesst dann von Drain nach Source 
- ist ein P - FET nicht eigentlich designed um von S nach D den Strom 
fliessen zu lassen?

Tobi

Autor: Mandrake (Gast)
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Stichwort Inversdiode oder Bodydiode des Mosfet.

Zum Thema Verpolschutz:
In welche Richtung willst du einen Verpolschutz implementieren? Laden 
oder Entladen? Da könnte man einen einfachen Brückengleichrichter 
nehmen.

Zu deiner speziellen Schaltung mit MOSFETs kann ich nix sagen. Dann 
bräuchte ich schon einen Schaltplan....

Gruß

Mandrake

Autor: Jens G. (jensig)
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Ein FET ist letztendlich nur ein gesteurerter R - vom Prinzip her also 
eigentlich richtungsunabhängig - der kann also in beiden Richungen an- 
und auschalten. Nur die Body-Diode bewirkt, daß der nicht ganz so 
richtungunabhängig ist.

Autor: yalu (Gast)
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Etwas zu spät, aber trotzdem:

Ein Mosfet in seiner Grundform mit vier Anschlüssen (G, D, S und B) ist
bzgl. D und S weitgehend symmetrisch, es können also D und S vertauscht
werden, was in der Verpolungsschutz- und vielen anderen Schaltungen
(z.B. Synchrongleichrichtern) genutzt wird.

Die Asymmetrie diskreter Mosfets kommt daher, dass bei diesen
normalerweise B mit S verbunden ist (daher nur drei Anschlüsse). Aus
dieser Verbindung resultiert auch die Substrat (oder Body-)diode, die
den Mosfet leider nur in eine Richtung sperren lässt.

Autor: Tobias A. (inselaffe)
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sich wundert warum er sich zum antworten einloggen muss

ich frag mich grade ob der IRF dafür so gut geeignet ist...

Wenn ich ne LiIon Batterie hab hab ich ja minimal ne Spannung von... 
2.7V.

Das heisst ich überschreite zwar V_th (von 1V) aber so richtig "offen" 
scheint der FET dann auch noch nicht zu sein.

Ich bräuchte was, was gute 2A durchlässt im worst case.

Hat da jemand Vorschläge?

Tobi

Autor: Tobias A. (inselaffe)
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nachtrag - kann es sein das in der eagle library transitor_power

beim MFP-D Symbol Drain und Source vertauscht worden sind???

Ich hab mir jetzt mal den FDC604P geschnappt - der sieht sinnvoll aus.

Autor: Felix Nachname (time2ride)
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Wenn deine Schaltung auch mit nem N-Kanal geht, dann nimm den IRLU2905.
>Das heisst ich überschreite zwar V_th (von 1V) aber so richtig "offen"
>scheint der FET dann auch noch nicht zu sein.
Woher nimmst du die Annahme?

Autor: BMK (Gast)
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Empfehlenswert wäre auch der SI4463BDY-E3, den gib't hier
http://www.kessler-electronic.de/proddetail.asp?ID...

Autor: Tobias A. (inselaffe)
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>Das heisst ich überschreite zwar V_th (von 1V) aber so richtig "offen"
>scheint der FET dann auch noch nicht zu sein.

so wie ich V_th verstehe ist das die spannung wo er gerade leitend wird.
Wenn ich beim IRF7416 ins Datenblatt schiele

http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/I/R...

und mir die figures angucke scheint bei -3V schon arg eng zu sein da 2A 
durchzubekommen. Ausser ich verstehe was falsch.


N Kanal Mos geht nicht - den muesste ich auf die Masseseite schnallen 
und ich kann mir kein ground bounce aufgrund eines "hohen" 
Massewiderstandes erlauben.

Autor: yalu (Gast)
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Geh doch einfach bei IRF auf die Webseite und wähle in der
parametrischen Suche diejenigen Typen aus, die bei 2,7V einen
ausreichend kleinen RDSon haben. Bei anderen Herstellern geht's sicher
entsprechend.

Autor: BMK (Gast)
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>und mir die figures angucke scheint bei -3V schon arg eng zu sein da 2A
>durchzubekommen. Ausser ich verstehe was falsch.

Das wird in der Tat eng.

Das sieht dem oben genannten Typ von Vishay schon anders aus:
http://download.siliconexpert.com/pdfs/2008/07/31/...

Da gehen bei Vgs=2,5V noch locker 10A durch bei Rds(on)=20 mOhm

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