www.mikrocontroller.net

Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik N-Fet leitet auch bei 0v Gate-Spannung?


Autor: Dennis Schulz (pantheron)
Datum:
Angehängte Dateien:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Hi,

ich hab da ein kleines Problem mit einem N-FET.
Dieser sollte eigentlich als High-Side Schalter benutzt werden.

Das Funktioniert leider nicht so richtig, wenn die Gate-Spannung Low 
ist, hab ich trotzdem noch rund 3.46V am Drain von 4V am Source (+UB).

Bei +8V welche von einer Ladungspumpe (max 85mA) erzeugt werden, 
schaltet er die 4V durch.

Hab ich irgendwas missgedeutet?


Dennis

Autor: Dennis Schulz (pantheron)
Datum:
Angehängte Dateien:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Hier noch das Datenblatt des MOSFETs

Autor: Klaus De lisson (kolisson)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
schau mal nach der integrierten Bodydiode der Fet.

die ist in deiner Schaltung doch in Durchlasstrichtung eingebaut.

aus diesem Grunde verwende ich für Highside eher einen P-kanal fet.

gruss

Autor: Fabian B. (fabs)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Das kann schon durch statische Aufladung oder so kommen. Gönn deinem 
Gate mal nen PullDown. Oder wird das Gate aktiv nach 0V gezogen? ist 
hier nicht zu erkennen...

Gruß
Fabian

Autor: A.Dent (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Die 0,54V Spannungsdifferenz zwischen Source und Drain sehen doch 
verdächtig nach einer Diodendurchlassspannung aus. Wenn ich das richtig 
sehe, dann sind die Body-Dioden der Mosfets von +UB zum Schaltregler in 
Durchlassrichtung eingebaut. Wenn du Source und Drain der Mosfets 
vertauschst, dann solltest du die Schaltung auch abschalten können.

Gruß,
A.Dent

Autor: Matthias Lipinsky (lippy)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Wenn der FET3 ein N-Kanal ist, dann ist dieser falsch herum in der 
Schaltung!

Autor: Dennis Schulz (pantheron)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Hey,

ja das stimmt, hab ich ganz übersehen, werde Source-Drain tauschen dann 
dürfte es wie geplant funktionieren.

Danke!


Dennis

Autor: Matthias Lipinsky (lippy)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
>ja das stimmt, hab ich ganz übersehen, werde Source-Drain tauschen dann
>dürfte es wie geplant funktionieren.

Nein. Dann ist zwar der N-FET korrekt in der Schaltung, aber du wirst 
diesen nicht ansteuern können, weil?

Richtig. Weil du U_gate_nach_source anlegen musst. Und wo ist das 
Source? Es ist schwimmend an der Drossel angeschlossen.
Diese Ansteuerung (N-Kanal alsHigh-SIde FET) ist nicht ganz so einfach. 
Erst recht nicht, bei solchen Frequenzen...

Autor: Dennis Schulz (pantheron)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
@ Matthias Lipinsky

Wieso bei solchen Frequenzen?
Die PWMs vom Schaltregler werden doch erst nach den Spulen "erzeugt".
Die haben dann doch keine auswirkungen auf den FET der davor sitzt, 
oder?

Autor: Matthias Lipinsky (lippy)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
@  Dennis Schulz (pantheron):

Du hast Recht. Aber das PRoblem der Ansteuerung bleibt bestehen.

Autor: Simon K. (simon) Benutzerseite
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Um den N Channel in der Highside zu treiben brauchst du Floating channel 
Treiber, ein paar Zusatzbauteile, und dein DutyCycle darf nie 0 oder 
100% sein. Alternativ kannst du dir auch eine Spannung der doppelten 
Versorgungsspannung selber erzeugen und die zur Ansteuerung benutzen.

http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2101.pdf

Autor: yalu (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
> Aber das PRoblem der Ansteuerung bleibt bestehen.

Wieso? Das Drain-Potenzial liegt immer igendwo zwischen 0 und Ub=+4V.
Werden an das Gate +8V angelegt, liegt Ugs zwischen 4V und 8V, d.h. der
Mosfet ist in jedem Fall gut an (bei 4V etwa 20mOhm) und geht nicht
kaputt (Ugsmax=12V).

Autor: yalu (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Source-Potenzial meinte ich natürlich.

Autor: Gast (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Gatespannung muss beim N-Kanal größer als Source sein. Ladungspumpe!

Antwort schreiben

Die Angabe einer E-Mail-Adresse ist freiwillig. Wenn Sie automatisch per E-Mail über Antworten auf Ihren Beitrag informiert werden möchten, melden Sie sich bitte an.

Wichtige Regeln - erst lesen, dann posten!

  • Groß- und Kleinschreibung verwenden
  • Längeren Sourcecode nicht im Text einfügen, sondern als Dateianhang

Formatierung (mehr Informationen...)

  • [c]C-Code[/c]
  • [avrasm]AVR-Assembler-Code[/avrasm]
  • [code]Code in anderen Sprachen, ASCII-Zeichnungen[/code]
  • [math]Formel in LaTeX-Syntax[/math]
  • [[Titel]] - Link zu Artikel
  • Verweis auf anderen Beitrag einfügen: Rechtsklick auf Beitragstitel,
    "Adresse kopieren", und in den Text einfügen




Bild automatisch verkleinern, falls nötig
Bitte das JPG-Format nur für Fotos und Scans verwenden!
Zeichnungen und Screenshots im PNG- oder
GIF-Format hochladen. Siehe Bildformate.
Hinweis: der ursprüngliche Beitrag ist mehr als 6 Monate alt.
Bitte hier nur auf die ursprüngliche Frage antworten,
für neue Fragen einen neuen Beitrag erstellen.

Mit dem Abschicken bestätigst du, die Nutzungsbedingungen anzuerkennen.