Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik N-Fet leitet auch bei 0v Gate-Spannung?


von Dennis S. (pantheron)


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Hi,

ich hab da ein kleines Problem mit einem N-FET.
Dieser sollte eigentlich als High-Side Schalter benutzt werden.

Das Funktioniert leider nicht so richtig, wenn die Gate-Spannung Low 
ist, hab ich trotzdem noch rund 3.46V am Drain von 4V am Source (+UB).

Bei +8V welche von einer Ladungspumpe (max 85mA) erzeugt werden, 
schaltet er die 4V durch.

Hab ich irgendwas missgedeutet?


Dennis

von Dennis S. (pantheron)


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Hier noch das Datenblatt des MOSFETs

von Klaus D. (kolisson)


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schau mal nach der integrierten Bodydiode der Fet.

die ist in deiner Schaltung doch in Durchlasstrichtung eingebaut.

aus diesem Grunde verwende ich für Highside eher einen P-kanal fet.

gruss

von Fabian B. (fabs)


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Das kann schon durch statische Aufladung oder so kommen. Gönn deinem 
Gate mal nen PullDown. Oder wird das Gate aktiv nach 0V gezogen? ist 
hier nicht zu erkennen...

Gruß
Fabian

von A.Dent (Gast)


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Die 0,54V Spannungsdifferenz zwischen Source und Drain sehen doch 
verdächtig nach einer Diodendurchlassspannung aus. Wenn ich das richtig 
sehe, dann sind die Body-Dioden der Mosfets von +UB zum Schaltregler in 
Durchlassrichtung eingebaut. Wenn du Source und Drain der Mosfets 
vertauschst, dann solltest du die Schaltung auch abschalten können.

Gruß,
A.Dent

von Matthias L. (Gast)


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Wenn der FET3 ein N-Kanal ist, dann ist dieser falsch herum in der 
Schaltung!

von Dennis S. (pantheron)


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Hey,

ja das stimmt, hab ich ganz übersehen, werde Source-Drain tauschen dann 
dürfte es wie geplant funktionieren.

Danke!


Dennis

von Matthias L. (Gast)


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>ja das stimmt, hab ich ganz übersehen, werde Source-Drain tauschen dann
>dürfte es wie geplant funktionieren.

Nein. Dann ist zwar der N-FET korrekt in der Schaltung, aber du wirst 
diesen nicht ansteuern können, weil?

Richtig. Weil du U_gate_nach_source anlegen musst. Und wo ist das 
Source? Es ist schwimmend an der Drossel angeschlossen.
Diese Ansteuerung (N-Kanal alsHigh-SIde FET) ist nicht ganz so einfach. 
Erst recht nicht, bei solchen Frequenzen...

von Dennis S. (pantheron)


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@ Matthias Lipinsky

Wieso bei solchen Frequenzen?
Die PWMs vom Schaltregler werden doch erst nach den Spulen "erzeugt".
Die haben dann doch keine auswirkungen auf den FET der davor sitzt, 
oder?

von Matthias L. (Gast)


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@  Dennis Schulz (pantheron):

Du hast Recht. Aber das PRoblem der Ansteuerung bleibt bestehen.

von Simon K. (simon) Benutzerseite


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Um den N Channel in der Highside zu treiben brauchst du Floating channel 
Treiber, ein paar Zusatzbauteile, und dein DutyCycle darf nie 0 oder 
100% sein. Alternativ kannst du dir auch eine Spannung der doppelten 
Versorgungsspannung selber erzeugen und die zur Ansteuerung benutzen.

http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2101.pdf

von yalu (Gast)


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> Aber das PRoblem der Ansteuerung bleibt bestehen.

Wieso? Das Drain-Potenzial liegt immer igendwo zwischen 0 und Ub=+4V.
Werden an das Gate +8V angelegt, liegt Ugs zwischen 4V und 8V, d.h. der
Mosfet ist in jedem Fall gut an (bei 4V etwa 20mOhm) und geht nicht
kaputt (Ugsmax=12V).

von yalu (Gast)


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Source-Potenzial meinte ich natürlich.

von Gast (Gast)


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Gatespannung muss beim N-Kanal größer als Source sein. Ladungspumpe!

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