Hi, ich hab da ein kleines Problem mit einem N-FET. Dieser sollte eigentlich als High-Side Schalter benutzt werden. Das Funktioniert leider nicht so richtig, wenn die Gate-Spannung Low ist, hab ich trotzdem noch rund 3.46V am Drain von 4V am Source (+UB). Bei +8V welche von einer Ladungspumpe (max 85mA) erzeugt werden, schaltet er die 4V durch. Hab ich irgendwas missgedeutet? Dennis
schau mal nach der integrierten Bodydiode der Fet. die ist in deiner Schaltung doch in Durchlasstrichtung eingebaut. aus diesem Grunde verwende ich für Highside eher einen P-kanal fet. gruss
Das kann schon durch statische Aufladung oder so kommen. Gönn deinem Gate mal nen PullDown. Oder wird das Gate aktiv nach 0V gezogen? ist hier nicht zu erkennen... Gruß Fabian
Die 0,54V Spannungsdifferenz zwischen Source und Drain sehen doch verdächtig nach einer Diodendurchlassspannung aus. Wenn ich das richtig sehe, dann sind die Body-Dioden der Mosfets von +UB zum Schaltregler in Durchlassrichtung eingebaut. Wenn du Source und Drain der Mosfets vertauschst, dann solltest du die Schaltung auch abschalten können. Gruß, A.Dent
Wenn der FET3 ein N-Kanal ist, dann ist dieser falsch herum in der Schaltung!
Hey, ja das stimmt, hab ich ganz übersehen, werde Source-Drain tauschen dann dürfte es wie geplant funktionieren. Danke! Dennis
>ja das stimmt, hab ich ganz übersehen, werde Source-Drain tauschen dann >dürfte es wie geplant funktionieren. Nein. Dann ist zwar der N-FET korrekt in der Schaltung, aber du wirst diesen nicht ansteuern können, weil? Richtig. Weil du U_gate_nach_source anlegen musst. Und wo ist das Source? Es ist schwimmend an der Drossel angeschlossen. Diese Ansteuerung (N-Kanal alsHigh-SIde FET) ist nicht ganz so einfach. Erst recht nicht, bei solchen Frequenzen...
@ Matthias Lipinsky Wieso bei solchen Frequenzen? Die PWMs vom Schaltregler werden doch erst nach den Spulen "erzeugt". Die haben dann doch keine auswirkungen auf den FET der davor sitzt, oder?
@ Dennis Schulz (pantheron): Du hast Recht. Aber das PRoblem der Ansteuerung bleibt bestehen.
Um den N Channel in der Highside zu treiben brauchst du Floating channel Treiber, ein paar Zusatzbauteile, und dein DutyCycle darf nie 0 oder 100% sein. Alternativ kannst du dir auch eine Spannung der doppelten Versorgungsspannung selber erzeugen und die zur Ansteuerung benutzen. http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2101.pdf
> Aber das PRoblem der Ansteuerung bleibt bestehen.
Wieso? Das Drain-Potenzial liegt immer igendwo zwischen 0 und Ub=+4V.
Werden an das Gate +8V angelegt, liegt Ugs zwischen 4V und 8V, d.h. der
Mosfet ist in jedem Fall gut an (bei 4V etwa 20mOhm) und geht nicht
kaputt (Ugsmax=12V).
Gatespannung muss beim N-Kanal größer als Source sein. Ladungspumpe!
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