Hallo zusammen ich bin auf der Suche nach einem FET, über welchen ich ca. 10A dauerhaft und 40-50A kurz(1ms) drüberjagen kann. Den FET möchte ich aber als "Öffner" betreiben --> 100% durchschalten oder 0% Leider finde ich im internet nicht wirklich einen verarmungs-FET der die Ströme aushält Kennt wer von euch einen? Ach ja, soll eine High-Side(+ wird "geschalten" und nicht -) schaltung sein. mfg und danke für die hilfe empi
Mir ist kein PowerFET bekannt der ein Verarmungstyp ist. Was spricht gegen eine Schaltung mit P-FET und invertierender Ansteuerstufe? Die Spannung war nicht angegeben, und auch wie die Ansteuerung erfolgen soll (einfacher Schalter, TTL, 12V..) danach richtet sich der Aufwand für die Ansteuerung. im einfachsten Fall reicht ja 1 Widerstand.
Naja: Gedacht so: uC an Gate und kann die Versorgung unterbrechen. --> ist der uC nicht eingeschaltet, funktioniert die Versorgung nach wie vor!! Muss mir jetzt praktisch eine schaltung überlegen, bei der sich die Versorung den PowerFet selbst durchschaltet, außer der uC greift ein. (Kann beispielsweise Gate auf Masse ziehen) Ist die überlegung richtig? Leider bin ich mit der FET-Rechnerei, Schalterei nicht so vertraut. ach ja: uC soll mit +5V versorgt werden und die durchzuschaltende last kann zwischen so zwischen 20 und 30 Volt schwanken. Wie Schalte ich das Gate eine P-FET also richtig? bei z.B. 24V an source müsste ich laut spruts beschreibung/beispiel +14Volt an gate hängen damit er durchschaltet und z.B. +24Volt draufhängen das er nicht mehr durchschaltet. richtig? mfg empi
ist praktisch so richtig. Folgender Vorschlag: µC Ausgang geht über R an Basis eines npn. E auf Masse, C über R an 24V. Zw. C und R gehts zur B eines pnp - E an +24V, C über R an Masse. Zw. dessen C und R gehts weiter zum G des P-Kanal. S an +24V, D ist der Ausgang zum Verbraucher. Zw. G udn S noch eine Z-Diode (max 15V) zur Spannungsbegrenzung. R - Widerstand C - Collector / D -Drain B - Basis / G - Gate E - Emitter / S - Source npn - ein kleiner npn-Transistor pnp - ein kleiner pnp-Transistor P-Kanal - ist Dein Hochstrom-Mosi Die Sache ist selbstleitend, wenn der µC kein Signal gibt, bzw. selber keinen Saft bekommt. Mit H-Pegel wird der Mosi abgeschaltet.
Wie es im Prinzip gehen könnte im PDF im Anhang . Die Widerstände sind nur mal so über den Daumen gepeilt und können je nach max Gatespannung etc. angepasst werden (darum auch R1 damit die Gatespannung nicht zu hoch wird)
DerWarze wrote: > Mir ist kein PowerFET bekannt der ein Verarmungstyp ist. Hat auch keinen Sinn: ein Verarmungs-FET wirkt bei Ugs = 0 wie eine Konstantstromquelle. Er ist dann also nicht ,,voll durchgeschaltet'', sondern mitten im aktiven Bereich.
Danke Jens. Hab fast die gleiche schlatung bereits wo anders gefunden. Funktioniert wie gewünscht. (Hab den Transistor zur zeit noch weggelassen, aber mit der masse schalten funktioniert schonmal ganz gut. Wo liegt jetzt der Vorteil in der schlatung in der PDF? Außer das sie mehr leistung hat, welche ich aber ja vielleicht gar nicht brauche oder? mfg und danke empi
das pdf von DerWarze ist ja genau das, mwas ich in Worten beschrieb. Nur daß das Gate nicht durch eine Z-Diode (in meinem Falle) vor zuviel Ugate geschützt wird, sondern durch den Spannungsteiler. Kannst also beide Varianten nehmen. >Wo liegt jetzt der Vorteil in der schlatung in der PDF? Außer das sie >mehr leistung hat, welche ich aber ja vielleicht gar nicht brauche oder? Vorteil gegenüber was?
sorry, hab ich dann ein bissl falsch verstanden. danke empi
Die Schaltung im PDF bescheidet den Transistoren T1 und T2 ein kurzes Leben: einmal eine Spannung > 0,7V an die Basis vom T2 und aus isses :-o Insgesamt ist die Idee schlecht, etwas mit einem High- Pegel auszuschalten. Besser ist es, den Ein-Zustand mit einem High-Pegel zu halten.
Aber dann ist ja bei "ausgeschaltetem" uC (ach ja, wäre wahrscheinlich ein "kleinst PIC") kein Durchgang möglich? Wenn ich die richtig verstehe. mfg
> Die Schaltung im PDF bescheidet den Transistoren T1 und T2 ein kurzes > Leben: einmal eine Spannung > 0,7V an die Basis vom T2 und aus isses stimmt - hatte ich ja ganz übersehen - aber empi hat uns ja nicht gesagt, ob er nur einmal schalten will ;-) - auserdem sagte er ja, er hätte es schon erfolgreich probiert ;-) Also R zw. T1 und T2 noch irgendwie rein - paar "Kilo schwer" ...
naja, da hab ich auch noch nicht geschrieben das ich euch falsch verstanden habe, wie ichs probiert habe ;-) habe auf das gate einfach masse gezogen. Kann ich nicht einfach das gate zwischen VDD und Masse "hin und herziehen"? mfg und danke empi
Diese Variante müsste dann mit der z-diode funktionieren, oder? Kann ich mir eigentlich den transistor vielleicht sparren, wenn ich am PIC den open drain (Pin RA4) verwenden? hällt mir dieser z.b. 15 Volt aus?
> open drain (Pin RA4) verwenden? hällt mir dieser z.b. 15 Volt aus?
Was steht denn im Datenblatt? Ich tippe auf: NEIN.
Und: das würde dir gar nichts helfen, denn du schreibst ja was von
20-30V.
Mach die Z-Doide mal auf Werte um 12V, das reicht locker zum
Durchschalten und ist weit genug von Ugsmax weg. Eine 20V-Z-Diode hat je
nach strom schon mal eine spannung von 22V, und dann ist das Gate
kaputt.
Welcher PIC denn? Üblich sind Spannungen an den Pins von Vdd+0.3V, die die Pins aushalten bzw. was zulässig ist.
Also da eine Anforderung hieß, der Mosi soll bei totem PIC durchgeschaltet sein, wirste kaum um dieses Transistor-Dreier-Pack herumkommen. Der Transistor vorm Gate soll ja den Mosi ausschalten, indem er das Gate kurzschließt. Und der erste Transistor fungiert als Levelshifter (und nebenbei als Negierer), damit die 24V vom PIC-Ausgang (der üblicherweise nur 5V sehen darf) getrennt sind. Schließlich bezieht sich die Gatespannung eines P-Kanal üblicherweise auf die +-Spannung, nicht auf Masse, deswegen ist ein Levelshifter nötig.
>Schließlich bezieht sich die Gatespannung eines P-Kanal üblicherweise auf >die
+-Spannung, nicht auf Masse
Bezieht sich wohl eher auf das Sourcepotential. Ich denk mal, das
meintest du damit auch aber ein Laie könnte hier meinen du meinst die
positive und negative Betriebsspannungsversorgung.
jo - meinte ich ... - könnte falsch interpretiert werden. Wobei vielleicht für manche trotzdem etwas besser verständlich, weil Source-Potential etwas abstrakter klingt.
Hallo ich bins nochmal. ^^ Schaut euch diese schaltung richtig an? Das Widerstandsdimensionieren hab ich so daumen mal pi gemacht. Wäre nett wenn ihr mir da nochmal kurz beistehen könntet. Bzw. brennt mir Q1 ab wenn ich masse durchschalte. Brauch ich zwischen R1 und Q2 auf die Basis von Q1 noch einen Widerstand? mfg und danke empi
Hab R2 noch auf 390 Ohm heruntergeschraube und funktioniert jetzt mit den 10k zwischen den beiden transistoren. Hätte den 10k vorher auch mal ausprobiert, aber wahrscheinlich hab ich da schon einen kaputten transistor gehapt. mfg und danke empi
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