Hallo, ich übertrage einen Impuls über einen Transformator (1-2us Länge). Dieser wird aus einem Rechtecksignal (~50kHz) erzeugt (+ 15V positiver Impuls = steigende Flanke, -15V negativer Impuls = fallende Flanke). In einem anderen Thread habe ich bereits Tips bekommen, wie ich diesen Impuls wiederherstelle. Da das jetzige Problem ein anderes ist, eröffne ich einen neuen Thread. In der angehängten Grafik ist oben die Schaltungsanordnung skizziert. Wenn ich statt des IGBTs einen Kondensator einsetze, bekomme ich sekundärseitig das Rechtecksignal zurück (bis auf die Flankensteilheit, die ist etwas geringer). Setze ich jedoch einen IGBT ein (Siehe Grafik a) ) und hänge an + einen Widerstand, so sieht die am Widerstand abfallende Spannung ungefähr wie in b) skizziert aus. D.h. die Abschaltung erfolgt erstens zu spät (sollte eigentlich bei der gestrichelten Linie schon abschalten) und danach erfolgt sie schleichend (ähnlich einer Kondensator-antladungskurve). Ich habe bereits versucht, die Entladung zu beschleunigen, indem ich parallel zur Gate-source Strecke einen pnp Transistor eingesetzt habe, mit dem Basisanschluss (über einen Widerstand) vor der Diode. Emitter am Gate und Collector am Source. Dies führte nur dazu, dass der IGBT überhaupt nicht mehr schaltelte. Kann mir von Euch vielleicht jemand helfen?
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nach etlichem hin und her probiern scheint das oben genannte Problem gelöst... Nun habe ich ein anderes Problem: Die Rechteckspannung auf der Sekundärseite (gemessen zwischen Gate und Source des IGBTs) sieht zwar sehr sauber aus, jedoch liegt das "0-Potential" nicht bei 0V, sondern bei ca +4V. Lege ich dann an den Widerstand (der sich über dem Drain befindet) eine Spannung an, so verchiebt sich das Signal weiter und wird auch sehr unsauber...
das kann so nicht gehen- wie soll gas gate gegen die diode entladen werden...
oder hat vielleicht sonst jemand eine Idee, bzw kann mir eine funktionierende Schaltung nennen?
Hallo, 1. Schritt: schalte von Gate zu Source einen Widerstand, damit die Ladung auch wieder abfliessen kann. Geuss Klaus.
Hallo, Such mal per Google "Ansteuerung IGBT". http://imperia.mi-verlag.de/imperia/md/upload/article/416pdf_ansteuern_von_igbt_s.pdf Die Diode wäre dann durch einen Widerstand zu tauschen. Der IGBT soll ja auch mit negativer Spannung gesperrt werden. Zum Schutz des IGBT hat man Z-Dioden am Gate vorgesehen. Der Widerstand begrenzt jetzt nur den Steuerstrom. Je grösser der Steuerstrom, je schneller wird die Ladung am Gate geändert. Der Strom darf aber auch nicht zu gross werden. Dafür sind Datenblätter da. Schau mal hinein. Gruss Klaus.
@klaRa Danke, aber das betrifft ja nicht mein Problem. Mit einer "normalen" PWM Ansteuerung würde mir das wahrscheinlich weiterhelfen. Nur ich übertrage nur kurze Pulse, aus denen erst wieder die PWM zurückgewonnen wird.
@ Thomas BD (Gast) >Ansteuerung würde mir das wahrscheinlich weiterhelfen. Nur ich übertrage >nur kurze Pulse, aus denen erst wieder die PWM zurückgewonnen wird. Und warum?
Um Kosten und Platz zu sparen, denn kurze Impulse --> erheblich kleinerer Trafo --> geringere Kosten
Im übrigen bin ich doch wieder bei meinem Ursprünglichen Problem angelangt. Die Rekonstruktion des PWM Signals habe ich mittlerweile sehr gut in den Griff bekommen. Ich habe jetzt auf der Sekundärseite ein sauberes +/-15V Rechtecksignal zwischen Gate und Source des IGBT anliegen. Nur der Spannungsabfall eines angeschlossenen Widerstandes ist wie in meinem ersten Posting Skizze b) zu sehen. Ich finde dafür einfach keine Lösung, denn wie gesagt liegt am Gate bereits einige us -15V an (ab dort wo die gestrichelte Linie in meiner Skizze verläuft) und dennoch scheint der IGBT nur sehr langsam abzuschalten (durchgezogene Linie, die der Kondensator entladekurve ähnelt)
Mach es einfach wie alle anderen- wenn es so einfach ginge würden es alle machen- geht aber leider nicht. Falls es unbedingt mit Impulsen sein soll: ersetzte die Diode durch einen Thyristor und zünde den über eine zweite Wicklung auf dem Übertrager. (Vorwiderstand und Z-Dioden natürlich nicht vergessen)
Hallo Thomas, mit der positiven Flanke erzeugst Du einen steilen Rechteck. Danach folgt eigentlich eine negative Flanke. Die könnte den IGBT wieder gut sperren. Die Diode wirkt jedoch in Verbindung mit der Gate-Kapazität wie ein Netzgerät mit Ladekondensator. Wenn der Impulsübertrager klein sein soll, dann kannst Du auch die Speeks nutzen. Die positive Flanke ist steil ansteigend und fällt per e-Funktion ab. Danach kommt ein negativer Peek. Die Diode sperrt. Ich würde jetzt eine Zenerdiode parallel zu Diode schalten die erst im negativen Teil des Peeks leitend wird. Gruss Klaus.
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Danke Klaus, ich werde das später auch nochmal testen. Das ist ein guter Denkanstoß. Ich habe jetzt nochmal ein neues Bild angefügt. So wie in a) zu sehen, funktioniert die Erzeugung des +15/-15V Rechtecksignals (Ugd). Am Trafoausgang (Ue) liegt dabei eine Spannung von +30/-30V an. Diese wird mithilfe der 15V Z Dioden in der parasitären Kapazität gespeichert. Zwischen Gate und Drain liegt also ein (nahezu) Rechtecksignal mit +15/-15V wie in Skizze b) unten gezeigt, an. ABER: Am Widerstand fällt die Spannung, wie in b) oben zu sehen, ab. Der IGBT sperrt also nur schleichend. Wie kann das sein? Am Gate liegen doh -15V... Dieses Verhalten ist mir unerklärlich.
Hallo Thomas, Du hast eine Frequenz von 50 KHz. Die Halbwelle hat damit 10us. Die abfallende Flanke schätze ich somit laut Skitze auf ca. 5us. tau=R*C C=tau/R. Ganz grob: 5us/1k = 5nF. Warum setzt Du denn dort ein IGBT ein? Ist die Spannung so hoch? Gruss Klaus.
zum Testen ist die spannung nicht sonderlich hoch, damit ich ihn den IGBT nicht abrauchen lasse. Später wird die Spannung allerdigs >500V...
Hätte niemand eine Idee, woran es liegen kann, dass der IGBT trotz negativer Spannung so langsam abschaltet?
Hallo hier ein Dokument was dir weiterhelfen könnte. Dort wird deine Problematik ganz gut beschrieben. Gruß Mandrake
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