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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Aufklärung zu FETs (verpolung)


Autor: FETtie (Gast)
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Servus Forumsgemeinde,

vermutlich eine recht einfache Frage, aber ich finde einfach keine 
Antwort, der ich zu 100% traue. Es geht darum, Leistungs-FETs quasi 
verpolt einzubauen. Also beispielsweise wird ein N-Kanal FET ja 
normalerweise mit seiner Drain an plus/Verbraucher und seinem Gate an 
GND angeschlossen.
Baut man ihn nun verkert herum ein, dann leitet die meist integrierte 
Body-Diode und über den FET fällt eine Spannung von ca. 0,7V ab. Wenn 
ich ihn nun aber ganz normal aktiviere, also z.B. UGS=10V (=> UGD=10,7V 
unwichtig aber für mich grad irgendwie interessant), wird der FET dann 
ganz noraml leitend und UDS sinkt (je nach Strombelastung natürlich) 
unter 0,7V? Und ist dieser Zustand mit quasi rückwärts fließendem Strom 
zulässig oder geht da was kaputt?

Ich danke euch schonmal

Autor: Sascha (Gast)
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"Ganz normal" wird ein FET so angeschlossen: Source an Masse, zwischen 
Drain und + der Verbraucher und Gate ist dein Steueranschluss.

Zeichne mal deine Schaltung auf, ich werd da nicht schlau draus.

Maximalstrom der internen Diode steht normalerweise im Datenblatt.

Autor: pq (Gast)
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Hallo FETtie.
Ja - das geht !!
Der verhält sich wie ein Fet in "Vorwärtsrichtung" + die Diode.
Wichtig ist nur, dass immer die GATE-SOURCE Spannung die Ansteuerung 
bestimmt.

pq

Autor: Helmut (Gast)
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Das geht. Durch positives Vgs wird auch der N-Kanal-Mosfet leitend, egal 
ob Vds kleienr 0V oder größer 0V ist.
Die interne Diode ist natürlich schon leitend wenn Vds<0.

Hier wird das z.B. mit einem P-Kanal-Mosfet auch gemacht.
http://cds.linear.com/docs/Datasheet/4412fa.pdf

Autor: Thomas S. (tsalzer)
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@pq

Das sehe ich anders. In Rückwärtsrichtung ist die Diodenkennlinie 
maßgeblich.

Der Arbeitsbereich des Mosfet (N-Kanal) liegt im 1. Quadranten.

guude
ts

Autor: Alf Sch (alfsch)
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das geht...und wird zb in "aktiven" gleichrichtern benutzt:
ein fet mit einigen milli-ohm hat wesentlich weniger verluste als jede 
diode !

Autor: HildeK (Gast)
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Es geht, nur kannst du den FET nicht 'richtig' ausschalten - er wird 
dann zu einer Diode, die in Flussrichtung geschaltet ist. Und wenn du 
ihn einschaltest (UGS > xV), dann wird diese Diode recht niederohmig 
überbrückt.
Meines Wissens kann die Diode soviel Strom wie der FET, da wird eher 
durch die deutlich höhere Verlustleistung eine Grenze gesetzt.
Das Stichwort 'aktiver Gleichrichter' ist ja schon gefallen.

Autor: Ulrich (Gast)
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Das wird auch gerne als Verpolungschutz genutzt, denn der 
Spannungsabfall an einer Diode stört.

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