hallo Zusammen, Im anhang ist eine Zeichnung, die einen p-kanal Jfet (Q1) zeigt. Er soll im ausgeschalteten Zustand (UG=0) einen Stromfluss zwischen der reference electrode und der Working Elektrode herstellen, damit die beiden Elektroden gleiches Potential haben. Wird die Schaltung eigeschaltet, sperrt der JFET. Meine Fragen: für den JFET wird die Reihe J175 J176 J177 vorgeschlagen. Bisher habe ich mich nur ein wenig in die p-Kanal-geschichte eingelesen. Ich möchte gerne 2,5V an +V im Bild anlegen. Wie groß muss ich den Widerstand zwischen +V und dem Gate wählen? in der Zeichnung wird 1MOhm angegeben. Das heißt bei mir würden 2,5µA strom fließen. Muss der Strom begrenzt werden um das Gate von Q1 zu schützen, oder hält Q1 das aus? Ist Igss der im Datenblatt stehende Strom der durch das Gate fließen darf? Noch zum Verständnis: Im datenblatt wird Vgs(off) angegeben, also die Gate-source Cutoff Voltage. Wenn ich das richtig verstanden habe, ist das die Spannung die angelegt werden muss, damit der JFET sperrt. Für den J176 wird der MIN-Wert von Vgs(off) mit 1,0V und der MAX-Wert mit 4,0V angegeben. wenn ich jetzt 2,5V anlege müsste er also sperren, oder? Der J177 hat einen Vgs(off)-Maximal wert von 2,5V. Würde das dann mit meinen angelegten 2,5V gehen, oder soll ich sicherheitshalber den J176er nehmen, da er bis 4V geht? Grüße, Michael
Nicht ganz, beim Min-Wert kann der FET sperren, muß aber nicht. Spätestens beim Max-Wert muß die Messbedingung aber erfüllt sein. Aufgrund der hohen Exemplarstreuungen bei der Herstellung solltest du vom Maximalwert ausgehen. Vor den 2,5µA kommt aber erst noch die Sperrschicht, der Strom ist also wesentlich niedriger. Irgendwo habe ich mal eine Faustformel für RG gefunden, die davon ausgeht, dass bei IGssmax nicht mehr als 0,5V an RG abfallen sollen. Das beißt sich etwas mit der Forderung nach möglichst hohem Eingangswiderstand denn RG~RE. Allgemein wirde der RG im Bereich 100k bis einige MOhm gewählt. Da du eine Spannungsquelle anschließt, ist der RG für diesen Schaltbetrieb weniger kritisch und sollte nur bei UGS <0 Volt den Gatestrom auf einen ungefährlichen Wert begrenzen. Arno
Hallo Arno, vielen Dank für deine Antwort. Ich hatte schon gedacht mir schreibt keiner mehr :) Mit den Details bei JFETs kenne ich mich leider noch nicht so gut aus... Wird aber langsam :) Nur dass da kein Missverständnis auftritt: die 2,5µA wären aber der Gatestrom - nicht der DS-Strom. Mit einem Vorwiderstand RG=1MOhm und 2,5V Spannung würde also ein Strom von +V zum Gate fliessen, oder? Wird dieser strom IGss genannt? Ich weiß nämlich nicht was genau IGss ist. Von wo nach wo fließt IGss? IGss wird im Datenblatt des J177 mit 1nA angegeben (bei VGS=20V, VDS=0), macht bei einem RG von 1MOhm eine Spannung von 0,001V. würde mit der 0,5V-Faustformel ja passen. Wie finde ich denn heraus was ein kritischer Wert für den Gatestrom ist? Ist das der IGF (Forward Gate-Current) oder der IGSS? Ich komme mit den Bezeichnungen nicht klar und möchte das aber trotzdem gerne verstehen. Was ich bisher verstanden habe ist, dass man mit einem JFET leistungsarm schalten kann (wenig Strom, nur durch anlegen einer spannung wird geschaltet). Daher sollte doch der Strom von +V zum gate sehr klein sein. Die 2,5µA kommen mir aber noch nicht sooo klein vor. Evtl den RG noch erhöhen? Grüße, Michael
Es werden keine 2,5µA Gatestrom fliessen, die Gate-Source-Strecke ist eine Diode in Sperrichtung, die 1nA gelten für 20V Sperrspannung! Zwar gilt das bei 25°C, aber auch ein Faktor 100 bringt noch keine Verschlechterung. Don´t panic. Durch den Gate-R wird also ca. 1nA (stark temperaturabhängig) fließen. Im Datenblatt des J177 steht 2,25V max als Vgs(Off), du hattest beim J176 geschaut. Die 2,5V sollten also reichen. In Vorwärtsrichtung kann das Gate bis zu 50mA, da sind also keine Probleme zu erwarten. Arno
Hi Arno, super vielen Dank für deine Mühe! Jetzt hab ichs kapiert. Bist der Beste :)
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