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Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik 12V/10A PWM


Autor: Peter (Gast)
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Hallo Zusammen,

ich möchte mit meinem AVR eine Ohm'sche Last (Heizdraht) regeln. Die
einfachste Variante denke ich ist PWM. Nur jetzt die Frage: welche FETs
sind am geeignetsten hierfür??  Brauche ich Treiber dafür?

Die Schaltung wird zusammen mit dem Heizdraht aus einer Autobatterie
mit 12 V versorgt.  Die FETs müssen einen Strom von max. 10 A bei 12
Volt halten, ohne sonderlich heiss zu werden.

ich habe bereits gesucht im Forum, aber nichts gefunden was so richtig
als Antwort passt...

Vielen Dank für jede Hilfe!!

Gruß,
Peter.

Autor: buz11 (Gast)
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welche FETs sind am geeignetsten hierfür??

IRL2203N , 7 mOhm




Brauche ich Treiber dafür?

Ja , z.B. ICL7667 .

Autor: Kupfer Michi (Gast)
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eine kleine Übersicht weiterer Power FETs und deren Kenndaten

    http://www.nessel.info/Fet3fett/fet3fett.htm

ebenso Hinweise über den Umgang mit Power FETs

    http://www.nessel.info/FET_a/fet_a.htm

Autor: Winfried (Gast)
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Wenn du eine Logic-Level FET nimmst, brauchst du keinen Treiber, weil du
ja nicht schnell schalten musst. Bei Heizdrähten reichen ja wenige Herz
und damit sind Schaltverluste am FET gering.

Möglich wäre: irl2905

Autor: Michael (Gast)
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hallo, um mir als anfänger ein besseres bild zu machen suche ich ein
schaltplan, wie so ein fet per avr mit pwm zum schalten gebracht werden
kann.
da ich noch neu bin, verstehe ich die texte ohne bild nicht so
recht....
gerade auch was freilaufdiode etc angeht

wäre nett, wenn mir da einer helfen könnte
Besten dank

Autor: Winfried (Gast)
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Für einen ersten Versuch das Gate eines irl2905 z.B. mit einem 100 Ohm
Widerstand in Reihe an den Microcontroller anschließen, der mit 5 V
laufen sollte. Source an Masse, zwischen Drain und +UB die Last.
Freilaufdiode brauchst du bei einem Heizdraht nicht. Wenn induktive
Lasten, dann Freilaufdiode zwischen Source und Drain in Sperrichtung,
also Anode an Masse. Oder Freilaufdiode an die Last, dann auch in
Sperrichtung.

Autor: Sebastian (Gast)
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Sind 100 Ohm nicht viel zu viel? Ich benutze meist maximal 10 Ohm,
ansonsten leidet die Flankensteilheit der PWM doch viel zu viel.

Autor: Axel Stab (Gast)
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jau, einfach einen logikpegel N-Fet, oder, wenns halt high side sein
muss, einfach mit einem kleinen N-Fet einen großen P-FET schalten
(IRF9540 oder so). Bei ner heizung kann die tägerfrequenz ja 1Hz sein,
dann gints praktisch keine schaltverluste. hab mal sowas als
lötkolbenregelung zusammengenagelt. während der ausschaltzeit wird der
wicklungswiderstand über eine messbrücke gemessen, damit wird das ding
dann geregelt - evtl. auch für deine anwendung interessant.

Autor: Winfried (Gast)
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100 Ohm sind bei wenigen Herz Schaltfrequenz nicht zu viel. Der
Widerstand entlastet den Prozessor etwas, sonst fließen zu große
Ströme. Aber selbst 100 Ohm sind eigentlich schon zu wenig für die
AVR-Spezifikation. Ich hätte aber trotzdem keine Bedenken. Man kan
natürlich auch mal etwas höhere Werte ausprobieren, z.B. 330 Ohm.

Autor: Michael (Gast)
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was eignet sich eigentlich besser für kh-betrieb per pwm, wenn es um
ohmsche lasten geht (zählt ein magnetventil auch dazu?)

so ein fet oder ein leistungstransitor wie der bdx33?

Autor: Winfried (Gast)
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Der Unterschied liegt oft hauptsächlich in der Verlustleistung. Wenn du
also diese mal betrachtest, fällt die Entscheidung oft zugunsten von
Mosfet aus. Bipolar kann man dagegen schnell schalten, ohne dabei große
Kapazitäten umladen zu müssen, wie bei Mosfet.

Autor: Michael (Gast)
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na prima, kein wort verstanden...warum kann man die dinge nicht gleich
so verstehen, und muß nicht erst lernen sie zu verstehen um dann zu
sehen, daß wenn man es gleich gewußte hätte, der lernvorgang wesentlich
schneller von statten gegangen wäre....

was bedeutet verlust? meinst du den minimalen spannungsverlust und
damit verminderte leistung (als halt weniger drehzahl beim lüfter zb)
wenn ein leistungstransistor eingesetzt wird?

was bedeutet bipolar in dem zusammenhang?

vielleicht hätte ich doch landschaftsgärtnerei als hobby nehmen
sollen....

Autor: Chris (Gast)
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Hallo,

nur Geduld. Elektronik lernt man nicht an einem einzelnen Tag.

Gruß

Autor: Winfried (Gast)
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@Michael: Ich empfehle dir, mal den "Tietze/Schenk,
Halbleiterschaltungstechnik" in die Hand zu nehmen. So ein paar
Grundlagen sind wirklich wichtig. Natürlich kann man auch gleich mit
dem Lötkolben rumbraten und irgendwas nachbauen. Viel befriedigender
ist es aber, zu wissen, warum etwas wie funktioniert. Deshalb hattest
du ja warhscheinlich auch gefragt.

Bei Transistoren unterscheidet man grob Bipolartranistoren (npn, pnp)
und Feldeffekttransistoren (FET, Mosfet).

Mit Verlusten sind Verlustleistungen gemeint, also eine Leistung, die
dort verbraten wird, wo man das eigentlich nicht möchte.

Ein Mosfet ist am Gate sehr hochohmig - schöne Sache, weil der so kaum
einen Strom braucht, um ein- oder ausgeschaltet zu werden. Kommt
allerdings hinzu, dass parasitäre Kapazitäten am Gate wirken
(Kapazitäten, die nicht gewünscht aber eben da sind). Vereinfacht
kannst du dir vorstellen, dass zwischen Gate und Source ein Kondensator
hängt. Wenn du schnell schalten willst, muss der immer umgeladen werden.
Dazu braucht man mitunter Ströme bis in den Amperbereich hoch, wenn man
schnell schalten will (einige KHz). Bei einem Bipolartransistor ist das
nicht so. Der braucht allerdings einen Basisstrom, auch bei geringen
Frequenzen. Da wird also Leistung verbraten. Außerdem fällt oft
zwischen C-E eine höhere Spannung ab, wie bei Mosfets zwischen Source
und Drain. Obwohl man sowas auch nicht allgemein sagen kann, es kommt
drauf an.

Um das begreifen zu können, empfehle ich dir, wie oben geschrieben,
Tietze/Schenk.

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