EEPROM Zelle Programmieren - Vorgang im IC? (MLC)

[S. M. (smatlok)]

Hallo,
Wie eine Flash/EEPROM-Zelle funktioniert ist mir im Prinzip klar. Im 
Inet gibt es ja auch sehr viele Seiten dazu. Jedoch habe ich noch keine 
Quelle gefunden, welche beschreibt wie der Programm-Vorgangs zeitlich 
von statten geht!

Frage 1:
Lege ich für das tunneling oder hot electron injection einfach einen 
kurzen Puls an und gehe davon aus dass die Zelle richtig/vollständig 
programmiert wird? Sind es evtl mehrere Pulsfolgen? (Steht so in einer 
alten T-S Ausgabe, ob das noch aktuell is?)

Frage 2:
Wie funktioniert das bei MLC (multi level cells), ich muss doch 
irgendwie die Alterung des Gateoxids berücksichtigen um die richtige 
Menge Ladung auf das Floating Gate zu bekommen ?

Frage 3:
Wie funktioniert der Lesevorgangs bei MLCs nun korrekt? Legt man z.b. 
bei einer 2-Bit Zelle nacheinander 4 Gatespannungen an und testet 
dadurch das Uth der Zelle (das würde ja sehr lang dauern?!)
Oder messe ich für eine feste Gatespannung einfach die Leitfähigkeit der 
Speicherzelle ?

Falls da jemand was weiß oder Tipps für Quellen / IEEE papers hat würde 
ich mich sehr freuen.