Hallo, ich bin gerade dabei eine OPV Schaltung zu layouten und es stellt sich nun folgendes Proglem: Die Platine besteht aus einem Top Layer und Bottom Layer. Der Bottom Layer wird nur als GND verwendet. Im Datenblatt des OPV steht nun, dass unter dem OPV keine Masse sein darf wegen parasitärer Kapazitäten an den PINs. Wie bekomme ich nun eine Aussparung in die GND-Fläche, welche mit Polygon erstellt wurde?
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Verschoben durch User
Ich habe das gleiche Problem und bei mir kommt dann beim DRC mehrere restrict Fehler. Kann man die ignorieren?
TBone schrieb: > Hallo, > > ich bin gerade dabei eine OPV Schaltung zu layouten und es stellt sich > nun folgendes Proglem: > Die Platine besteht aus einem Top Layer und Bottom Layer. Der Bottom > Layer wird nur als GND verwendet. Im Datenblatt des OPV steht nun, dass > unter dem OPV keine Masse sein darf wegen parasitärer Kapazitäten an den ?? .. unter?? direkt unter das IC, oder mit Abstand am Bottom-Layer? Das klingt für mich nach Missverständnis. Das sind zwei paar Schuhe. > PINs. Wie bekomme ich nun eine Aussparung in die GND-Fläche, welche mit > Polygon erstellt wurde? Wenn direkt unter das IC -> Restrict-Zone; ist Layer 41 t-Restrict. Wenn jedoch auch unten am Bottom-Layer?? dann dort auch, ist Layer 42 b-Restrict einen Rahmen zeichnen. -> Wire, Arc oder Fläche, oder Polygon, auf den entsprechenden Layern zeichnen. Was ist das denn für ein besonderes Käferchen? --> Das Masse-Polygon: zeichnest eines am Bottom-Layer um den Print herum und mit dem "Namen" bindest es an GND "ganzes Signal" (oder was du als GND bezeichnest). Grüße Gerald ---
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Bearbeitet durch User
Habe jetzt eine Alternative zu trestrict bzw. brestrict gefunden. Einfach neues Polygon zeichnen und dieses als cutout bezeichnen.
Robert schrieb: > Habe jetzt eine Alternative zu trestrict bzw. brestrict gefunden. > Einfach neues Polygon zeichnen und dieses als cutout bezeichnen. --- geht auch, wobei es Unterschiede zum Obigen gibt. Lese mal in im Help und Handbuch nach, bzw. spiele damit. ---
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