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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik MOSFET Inverterschaltung Drainwiderstand bestimmen


Autor: Klaus Kanone (yildi)
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Hallo! Ich sitze grad an einer Aufgabe, bin mir aber unsicher, ob das, 
was ich eben gerechnet habe richtig sein kann. Im Prinzip habe ich nur 
einen N-Kanal MOSFET mit einem Drainwiderstand und der Betriebsspannung 
5V.
Das Gate wird mit einer Impulsflanke (0 V -> 5 V) angesteuert. Nun 
sollte ich RD so bestimmen, dass der Impuls den MOSFET genau an die 
Abschnürgrenze treibt.
An der Abschnürgrenze gilt ja:
Dann habe ich den Strom ID berechnet und mit dessen Hilfe den gesuchten 
Widerstand und auch den Kanalwiderstand des Transistors. Dann habe ich 
die Impulsantwort gezeichnet und gesehen, dass das irgendwie nicht 
angehen kann... Das soll ja ein Inverter sein. Hier würde das 
Ausgangssignal nur von 5 auf 4 V abgeschwächt werden... das kann nicht 
sein oder ?

Ich vermute, dass der Fehler darin besteht, dass ich den Strom nicht 
einfach so ausrechnen darf. Der kann doch nicht nur von UDS (UGS - Uth) 
abhängig sein, oder ? Auch der Kanalwiderstand ist mit 500 Ohm wohl 
etwas falsh ;-)

Hat jemand eine Idee was ich genau falsch gemacht habe ?
Vielen Dank für Eure Hilfe!!

Autor: Falk Brunner (falk)
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@  Phillip D. (yildi)

>Das Gate wird mit einer Impulsflanke (0 V -> 5 V) angesteuert. Nun
>sollte ich RD so bestimmen, dass der Impuls den MOSFET genau an die
>Abschnürgrenze treibt.

Wozu? Ein digitaler Inverter wird (fast) immer in Sättigung betrieben, 
nicht im Linearbetrieb.

>Ich vermute, dass der Fehler darin besteht, dass ich den Strom nicht
>einfach so ausrechnen darf.

Richtig. Ziel ist, dass nahezu diegesammte Betriebsspannung an RD 
abfällt. Mal Sicherheitsfaktor von 2 und mehr.

MFG
Falk

Autor: Klaus Kanone (yildi)
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Falk Brunner schrieb:
>
> Wozu? Ein digitaler Inverter wird (fast) immer in Sättigung betrieben,
> nicht im Linearbetrieb.
>
> Richtig. Ziel ist, dass nahezu diegesammte Betriebsspannung an RD
> abfällt. Mal Sicherheitsfaktor von 2 und mehr.

Das stimmt natürlich, doch meine Aufgabe lautete eben "RD bestimmen0, 
dass der Impuls den MOSFET genau an die Abschnürgrenze treibt."
Habe ich für den Fall denn richtig gerechnet ?

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