MOSFET als Schalter

[Verwirrter (Gast)]

Hallo allerseits,

Ich möchte mit einem Transistor einen Stromkreis gezielt an- und 
ausschalten. So in etwa:

+12V --- Last --- Transistor --- GND
                      |
                      |
                     µC


Dafür habe ich mir einen N-Kanal MOSFET ausgesucht, der laut Datenblatt 
bis zu 12A verträgt (IRLU 024N).

In vielen Threads und Artikeln hier lese ich, dass bei einer 
Transistorschaltung immer die Stromverstärkung über den Basiswiderstand 
eingestellt wird.

Aber ich möchte meinen Transistor nur als "Schalter" haben. Er soll nur 
den Stromkreis "schließen". Die Last ist eine gedimmte 
Konstantstromquelle, d.h.  dieser Stromkreis kann von wenigen mA bis zu 
2,5A belastet sein.

Erschwerend kommt hinzu, dass ich die ganzen Werte, die für die 
Berechnung des Basiswiderstandes nicht im Datenblatt finde (hfe usw.)

Ich werde immer verwirrter, je mehr ich zu dem Thema lese.

[Fabian B. (fabs)]

Da du von einem n-Fet sprichst, gibt es, mangels Basis, keinen 
Basiswiderstand.
Aber die aufgezeichnete Schaltung funktioniert so, aber packe zwischen 
µC und MosFet Gate noch einen kleinen Widerstand (so 10-100 Ohm) und vom 
Gate gegen Masse noch einen Pulldown (so 10k Ohm).

Gruß
Fabian

[Verwirrter (Gast)]

Okay,

Danke erstmal für die Antwort. Also brauche ich die ganze 
BasisR-Berechnungen nur bei bipolaren Transistoren, aber nicht bei FETs?

Mich wundert es, weil im Artikel LED cube 1k Vorwiderstände vor die 
FETs gepackt werden.

[Maik W. (werner01)]

servus,


mosfet's sind keine Stromverstärker wie normale Transistoren, denn die 
sind spannungsgesteuert und als regelbarer Widerstand zu verstehn.

achte aber darauf, das der mosfet bei 5V vom µc? niederohmig genug wird.

solche mosfet mit niedriger gs haben meistens auch ne geringere ds 
glaube ich!




gut machen

[Markus F. (5volt)]

Vor den MOSFET sollte man schon einen Widerstand schalten, damit der 
Gete-Umladestrom den µC nicht überlastet.
Ein Atmel AVR verträgt z.B. 40mA, was bei 5V Betriebsspannung einen 
Widerstand von 120 Ohm erfordert.
Im allgemeinen ist es aber auch unbedenklich, auf diesen Widerstand zu 
verzichten. Das Gate ist extrem schnell umgeladen, somit wird der 
I/O-Pin nur für einen winzigen Augenblick etwas überlastet und es kann 
eigentlich nix beschädigt werden.

Und der IRLU024N ist gut geeignet: Es ist ein Logik-Level-FET und er hat 
wenig genug Rds, also entsteht bei 2,5A kaum Verlustleistung.

> Also brauche ich die ganze
> BasisR-Berechnungen nur bei bipolaren Transistoren, aber nicht bei FETs?
Ja, genau: FETs werden über die Gatespannung gesteuert, nicht über den 
Strom. Das Gate ist wie ein Kondensator, dessen Spannung die 
Leitfähigkeit des FETs bestimmt.
Auch über Widerstände im Gigaohm-Bereich lassen sich FETs ansteuern. Ich 
habe dazu vor langer Zeit mal einen netten Versuch gemacht:
Einen Power-MOSFET (IRFP450) genommen und auf einen Kühlkörper 
geschraubt (Wichtig!).
Über den MOSFET wurde eine 12V/50W Halogenlampe gesteuert.
An das Gate war ein isoliertes Kabel angeschlossen.
Legt man dieses Kabel nun (mit der Isolation) auf die +12V-Leitung, 
wurde die Lampe langsam heller, bis sie schließlich volle Helligkeit 
erreicht hat.
Legt man das Kabel auf die Masse-Leitung, wird die Lampe immer dunkler 
und geht schleißlich ganz aus.
Der über die Isolation fließende Strom reicht zum langsamen Umladen des 
Gates aus.
Dieser Versuch klappt aber nur in einer Umgebung, in der nicht alzu 
viele elektromagnetische Störungen vorhanden sind.

[Bensch (Gast)]

> In vielen Threads und Artikeln hier lese ich, dass bei einer
Transistorschaltung immer die Stromverstärkung über den Basiswiderstand
eingestellt wird.

Wenn du das irgendwo so gelesen haben solltest, vergiss es ganz schnell 
wieder- das ist Unsinn. Es wird durch den Widerstand lediglich der 
Basisstrom begrenzt.