IGBT als Zündtransistor: Welche Vorteile?

[Mille (Gast)]

Hallo,

wieso eignet sich ein IGBT eigentlich besonders gut als 
Zündungstransistor im automobilen Bereich?
Durch das Gate erfolgt ja eine nahezu leistungslose Ansteuerung, aber 
warum verwendet man nicht gleich einen MOSFET?
Ist der Widerstand (die Verlustleistung) beim Schalten von hohen 
Strömen/Spannungen bei der bipoleren Strecke (Kollektor-Emitter) 
geringer als bei z.B. einem n-Kanal FET?

lg mille

[Tom VanBuuyten (Gast)]

Hi,

ja ich glaube es geht um die angesprochene Kombination aus den 
Vorteilen:
- einerseits leistungslose Ansteuerung
- andererseits geringere Verluste beim Schalten... ist ja meines Wissens 
nach der große Vorteil von ipolaren Transistoren oder? Aber ich habe 
jetzt auch keine Rdson- bzw. Rceon- Werte im Kopf...

Freundliche Grüße

[Gerhard (Gast)]

Hi

IGBT's haben ihre da ihre Stärken, wo bei sehr hohen Spannungen auch 
noch Ströme gefragt sind. MOSFET's für hohe Spannung (1KV oder mehr) 
haven dann hohe RDSon-Werte.

gerhard

[Mille (Gast)]

Kann mir jemand einen Zünd-IGBT empfehlen mit einem möglichst geringem 
Vce(on) in einem DPAK Gehäuse?
Im Moment verwende ich den NGD8201 von ON Semiconductor - habe aber 
etwas Probleme mit der Wärmeentwicklung und erhoffe mir eine 
Verbesserung durch geringe Verluste beim Schalten.

Angesteuert werde diese mittels einem HCT-Gatter und einem 820R 
Vorwiderstand sowie einem 470k Gate-Widerstand (parallel zum Gate; soll 
das Floaten verhindern). Erreiche ich, bedingt durch ein schnelleres 
Schalten, mit einem kleinen Serienwiderstand und einem größerem 
Gate-Widerstand eigentlich eine geringere Wärmeentwicklung?

lg mille