Hallo, ich bin grade mit Speichern beschäftigt, kann mir vieleicht einer erklären wo die unterschieden sind also die Logik wie z.B ein MOS NOR ROM funktioniert (Lesen und Schreiben) Ich bedanke mich jetzt schon!!
Hallo Thomas Klima, vielleicht helfen Dir folgende Wikipedia-Artikel als Einstieg weiter: http://de.wikipedia.org/wiki/NAND-Flash http://de.wikipedia.org/wiki/NOR-Flash hth, Iwan
Hallo Thomas, wenn es wirklich um ROMs ( Read-Only Memory ) geht, wie auch hier beschrieben: http://bwrc.eecs.berkeley.edu/classes/icdesign/ee141_s06/Lectures/Lecture29-Flash-6up.pdf dann gibt es nur lesen und der Hinweis von Iwan ist leider nicht ganz richtig. Wenn Du jedoch wirklich Lesen und Schreiben willst, sind die Begriffe nicht richtig gewählt und der Hinweis von Iwan ist genau das Richtige. Was genau möchtest Du wissen ? Gruß
Hallo Michael, habe grade mein Text nochmal gelesen bisschien komisch geschrieben da war ich schon ziemlich müde:-) Den Link habe ich mir auch schon davor angesehen und das von Iwan auch schon, mich würde interessieren wie das Schreiben und lesen funktioniert siehe Link, folie 2 " MOS NOR ROM" und zwar bei schreieben welche zustände müssen an den WL anliegen und an den BL und wie das beim Lesen ist. Das Pull up Netzwerk also die PMOS die sind immer "zu" bzw. die leiten. Wenn ich jetzt WL [1] lesen möchte (also BL 0 bis BL 3 sind alle "1") jetzt aktieviere ich WL [1] dann ist BL 0 und BL 3 "0" oder?
Hallo Thomas, vielleicht reden wir gerade aneinander vorbei. Das "MOS NOR ROM" ist NUR lesen, kein schreiben. WL bedeutet hier "Word Line" im Vergleich dazu BL ist "Bit Line". Hier wird nur gelesen. Das "Beschreiben", also die Festlegung der Bitinformation erfolgt in der Fabrik während der Chipfertigung. Kannst Du Deine Frage bitte neu formulieren ? Gruß
Hallo, dass heißt an den BL ist ein Leseverstärker (Diff. Verstärker) angeschlossen und an den WL liegt ständig ein Signal an entweder eine 0 oder eine 1 (das hängt vom Speicher ab) ist das so richtig? Eigentlich möchte ich wissen wie ein MOS NOR ROM & MOS NAND ROM gelesen wird. Ich bedanke mich jetzt schon! Gruß
Hallo, das ist so nicht ganz richtig. Wie Du aus den Folien des gelieferten Links sehen kannst, liegen auf den Kreuzungspunkten Transistoren, oder auch nicht. Je nach dem ob eine "1" oder "0" dargestellt werden soll. Ist keine WL aktiviert, werden alle BL durch die oben liegenden Pull-Ups auf "1" gezogen. Dies ist auch das Potential für nicht programmierte Zellen (im Falle von MOS NOR ROM). Wird nun eine WL aktiviert und liegt auf dem Kreuzungspunkt mit der BL ein Transistor, der widerrum die BL gegen GND zieht, so wird für dieses Wort an dieser Bitstelle eine "0" erscheinen. Auf der zweiten Seite die obere linke Darstellung zeigt dies sehr gut. Beim MOS NAND ROM ist es recht ähnlich, nur das ein wenig die Einsen und Nullen vertauscht sind. Gruß
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