Hallo, ich versuche gerade einige Berechnungen zu einem Transistor durchzuführen (BC 337-40). 1. Ich kann im Datenblatt niergendseinen Wert zur maximalen Verlustleistung finden (Pv oder Ptot). Weder als Wert noch in den Kennlinien. Habe ich den nur übersehen oder ist vllt. gar keiner vorhanden? 2. Welcher Wert gilt für UBE. So viel ich weiß 0,7 V für Silizium! Aber warum steht im Datenblatt dann 5V? Vielen Dank schonmal Gruß Klaus M.
Hallo, Die Spannung ist nicht Basis-Emitter sondern Emitter-Basis, das ist die höchste Spannung die umgekehrt an die Basis-Emitterstrecke angelegt werden darf. Noch fragen Bernd
Klaus M. schrieb: > 1. Ich kann im Datenblatt niergendseinen Wert zur maximalen > Verlustleistung finden (Pv oder Ptot). Weder als Wert noch in den > Kennlinien. Habe ich den nur übersehen oder ist vllt. gar keiner > vorhanden? Titelseite, maximum ratings, Pd. > 2. Welcher Wert gilt für UBE. So viel ich weiß 0,7 V für Silizium! Aber > warum steht im Datenblatt dann 5V? 5V gilt rückwärts, also maximale BE-Sperrspannung.
Ok! Danke für die Infos. Demnach würde die maximale Verlustleistung bei einer Umgebungstemperatur von 25 C° laut Datenblatt bei 1,5 Watt liegen (wobei mir nicht ganz klar was der Unterschied zwischen Ta und Tc ist). Nun kommt mir das ein bisschen sehr wenig vor, denn wenn man z.B. ein paar LEDs oder ähnliches schalten will bei einer Betriebsspannung von 5 V...: Pv = Uce * Ic + Ube + Ib = 5V * 0,7A + 0,7V * 0,00032A = 3,5W Ist das korrekt? Demnach könnte man den maximalen Kollektorstrom des Transistors von 800 mA (der Grund für seine Wahl) ja nur nutzen, so lange die Kollektor-Emitterspannung unter ~1,8V liegt. Kann das sein? MFG Klaus M.
Hi >Demnach würde die maximale Verlustleistung bei einer Umgebungstemperatur >von 25 C° laut Datenblatt bei 1,5 Watt liegen... Mein Datenblatt sagt etwas anderes. MfG Spess
Klaus M. schrieb: > Demnach würde die maximale Verlustleistung bei einer Umgebungstemperatur > von 25 C° laut Datenblatt bei 1,5 Watt liegen Nein. > (wobei mir nicht ganz klar > was der Unterschied zwischen Ta und Tc ist). Ta = T(ambient) = Umgebungstemperatur, also ohne Kühlkörper Tc = T(case) = Gehäusetemp., also mit Kühlung auf 25°C Gehäusetemp. Pd bei Tc anzugeben ist für ein solches Gehäuse etwas ungebräuchlich, da man es höchst selten mit einem Kühlkörper versieht. Weshalb in den meisten Datasheets eines BC337 dieser Wert auch nicht aufgeführt ist. Du hast da mit der Wahl des Motorola-Sheets etwas Pech gehabt.
Klaus M. schrieb: > Nun kommt mir das ein bisschen sehr wenig vor, denn wenn man z.B. ein > paar LEDs oder ähnliches schalten will bei einer Betriebsspannung von 5 > V...: > > Pv = Uce * Ic + Ube + Ib = 5V * 0,7A + 0,7V * 0,00032A = 3,5W Wie kommst du auf Uce = 5V ? Ich hoffe doch sehr, dass bei Schaltbetrieb die meiste Spannung an den LEDs und deren Vorwiderstand abfällt und nicht am Transistor :)
Hallo Klaus, ja es ist absolut üblich, das Transistoren, wie auch jedes andere Bauteil, bei der für das Bauteil ungünstigsten Beschaltung in Flammen aufgeht. Das beinhaltet auch oder gerade die Kombination der Maximum Ratings, die wie der Name deutlich verrät, als maximal zulässige Belastung und nicht als idealer Betriebszustand definiert sind. Desweiteren sind 0.7V zwar der übliche Wert für Silizium, bei Transistoren oder auch Dioden sind diese Werte jedoch auch vom gewählten Arbeitspunkt oder aber der dynamischen Betriebszustand abhängig. Und 1.5W gehn nur mit entsprechendem Kühlkörper der durch entsprechende Berechnung. Unabhängig davon vernachlässigst du in deiner Beispielrechnung, dass auch eine LED keinen Kurzschluss darstellt und somit etwa 0.7V Spannung abfallen. Bei eintsprechendem Strom zerlegt es dann auch noch die Diode. ;) Gruß
Okay, ich glaube so langsam komme ich der Sache näher. Da ich den Transistor als Schalter verwende kann ich den Basistrom noch etwas erhöhen (Übersteuerung) um "in Sättigung" zu kommen. Dadurch sinkt der Widerstand zwischen Kollektor und Basis auf den geringst möglichen Wert der möglich ist. In diesem Fall fallen dann noch 0,7 V ab. Das ist dann wohl die "berühmte" Sättigungsspannung. Ich hoffe das ist richtig? Falls das richtig ist komme ich auf eine Verlustleistung von ~0,56W - was sich auf jedenfall gut anhört. Nun noch eine andere Frage: Muss ich für den Basis-Vorwiderstand immer 0,7V für Ube berechnen (bei Silizium). Ich meine mich nämlich zu erinnern in einer Rechnung für einen Transistor BD XXX einmal Ube 1,0 V gesehen zu haben?! Kann das sein? Vielen Dank schonmal MFG Klaus M.
Schau mal in das Datenblatt auf Seite 3, das Diagramm "Figure 5. On Voltages" Da steht eigentlich alles drin, was du brauchst :)
Klaus M. schrieb: > In diesem Fall fallen dann noch 0,7 V ab. Normalerweise sind das bei einem (Kleinleistungs-)Transistor in Sättigung real eher so um die 0.2V und weniger. Siehe auch Fig.5 im DB. Klaus M. schrieb: > Nun noch eine andere Frage: Muss ich für den Basis-Vorwiderstand immer > 0,7V für Ube berechnen (bei Silizium). Ich meine mich nämlich zu > erinnern in einer Rechnung für einen Transistor BD XXX einmal Ube 1,0 V > gesehen zu haben?! Kann das sein? Wenn du nicht gerade nur 1.2 oder 1.5V als ON-Signal zur Verfügung hast, sondern z.B. 3,3V oder sogar 5V, dann kannst du beruhigt bei 0,7V für deine Berechnungen bleiben. Den verbleibenden Fehler hast du durch den um Faktor 3...5 zu gering angesetzten Stromverstärkungsfaktor für den Sättigungsbetrieb mit erschlagen. Bei den BDxxx liegt das daran, dass es Leistungstransistoren sind, die i.A. eine relativ geringe Stromverstärkung haben und gleichzeitig relativ große Kollektorströme können. Da kann dann für den Schalterbetrieb der Basisstrom schon mal in den 1-A-Bereich kommen. Und bei solchen Strömen haben die BE-Dioden eben eine etwas höhere Durchlassspannung.
Bei der Berechnung des Basis-Widerstandes empfehle ich eine Betrachtung des durch die Basis fließenden Stroms. Die 0,7V Spannungsabfall reichen als Näherung. Man sieht dann die Stromverstärkung des Transistors an und schätzt den Widerstand für die Basis ab. Dieser ganze Uralt-Lehr-Kram wie man einen Transistor ansteuert und einstellt ist in der aktuellen Digitaltechnik ziemlich überflüssig. Es hilft zwar, so ein paar Fakten zu kennen (Stromverstärkung, Sättigung) aber man berechnet keine Betriebspunkte mehr.
>> In diesem Fall fallen dann noch 0,7 V ab. >Normalerweise sind das bei einem (Kleinleistungs-)Transistor in >Sättigung real eher so um die 0.2V und weniger. Siehe auch Fig.5 im DB. Um es noch etwas deutlicher zu machen: die Sättigungsspannung Ucesat eines Transistors hat nix mit der Flußspannung eines pn-Übergangs wie Ube zu tun. Ucesat kann wesentlich kleiner sein (Zetex hat welche mit nur noch ein paar 10mV - z.B. http://www.diodes.com/datasheets/ZXTN23015CFH.pdf als feines Beispiel). Kann aber auch wesentlich größer sein, meistens bei Hochvolttransistoren. Das alles hängt natürlich von Ice und Ib ab. Genau so wie auch die Ube je nach Ib schwanken kann bis über 1V (vorrangig bei LeistungsTransistoren).
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