HI muss ein sekundär-getaktetes netzteil entwickeln. mein Problem ist das der mosfet nicht komplett durchschaltet, es sei den ich gebe auf das gate 30V. Tippe darauf das irgendwas rückgekoppelt wird, weis aber nicht was. hab schon alles ausprobiert, npn-transistor, gatespannung neg gemacht, igbts verwandt, nicht geht! hab ein bild angefügt auf dem man sieht wie ich den mosfet durchschalte-- danke für eure antworten-- sitze schon seit tagen an dem problem....
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Zwei Masseanschlüsse, an V1 und an D3 erzeugen auf jeden Fall einen Kurzschluss über D4. Hast du das gewollt?
Ja, das ist das Problem. Du wolltest einen Brückengleichrichter aufbauen. Verbessere es und es läuft...
>mein Problem ist das der mosfet nicht komplett durchschaltet, es sei den >ich gebe auf das gate 30V. Tippe darauf das irgendwas rückgekoppelt Ja logisch. Ein Mosfet hat eine Gate-Source-Thresholdspannung. Die musste erst überwinden, bevor er überhaupt anfängt zu leiden. Soll er voll durchschalten (also Udrain=Usource), dann muß Ugate um diese Thresholdspannung größer sein als Udrain (und noch deutlich mehr, denn da fängt er ja nur an zu leiten).
Der mosfet braucht ja eine Gate SOURCE Spannung, keine gate zu irgend einem Potential. Du musst die Masse von V2 an Source vom Mosfet hängen, dann müsste es gehen.
der bezug deiner gateansteuerung liegt auf GND und nicht auf Source des Fets, übrigends: ich verwende nie ideale Bauteile (wie deine GLR dioden) das haut nie hin.
Entfern den Masseanschluss an deiner sinusquelle. Außerdem wär es hier wahrscheinlich sinnvoller, einen p-Kanal-FET zu nehmen, da bei dem hier verbauten n-Kanal das Sourcepotential schwankt.
> sitze schon seit tagen an dem problem....
An der Schaltung ist eine Menge falsch, wei dir schon gesagt wurde.
Nehmen wir an:
Eine gesiebte Gleichspannung von 36V.
Der MOSFET schaltet ein, um diese 36V an die Spule zu legen (Diode
sperrt ja in dem Moment).
Dazu muss das Gate des N-Kanal MOSFETs mit MEHR Spannung versorgt
werden, also geschaltet werden sollen, also z.B. mit 46V.
Schaltet der MOSFET ab, springt die Spannung an der Spule auf -0.5V
(Diode leitet). Die Spannug am Gate des MOSFETs muss dazu so niedrig
sein, wie sie Spannung am Source, also auch so -0.5V (oder 0V, reicht
bei dem MOSFET immer noch).
Dummerweise sind 9V und 46V mehr als Ugs des MOSFETs erlauben. Du hast
also massive Schwierigkeiten solche Spannungen anzulegen, man müsste
eine Ansteuerung bauen, die mit Source des MOSFET floatet.
Wie schon gesagt wurde, wäre ein P-Kanal MOSFET einfacher.
Aber auch nicht trivial.
Besorg dir ein Buch (z.B. Billings Switchmode Design), schla mal diverse
real existierende tauglische Schaltungen nach.
Der Weg zu einem funktionierenden Schaltnetzteil ist noch weit,
eventuell Jahre lang.
Danke für die Beiträge-- !!!! Ich hab die masse-fehler behoben und für das erste funzt es mal ! :-)) PS: Das Projekt ist bei uns ein schaltnetzteil zu sim. mit ltspice den folgenden daten: ue 230v, ua 12v, ia 0.5a-12a,12a strombegrenzung-- jaja da hab ich noch was vor mit
Jens G. schrieb: > Die > musste erst überwinden, bevor er überhaupt anfängt zu leiden. Wenn man genügend Spannung anlegt, leitet er besser und leidet dann nicht mehr so sehr. :-)) SCNR.
Kleine Anmerkung nebenher, für ein realistisches Ergebnis solltest du nach L1 einen Wiederstand von 1 Ohm einsetzen. http://www.elektronikschule.de/~krausg/LTSwitcherCAD/CD_LTSwitcherCAD/pdf-file/LTspice_4_d Kapitel 11 DC/DC Konverter Die Warnung gleich am Anfang des Kapitels. MfG Willi
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