Hallo Zusammen, entweder versteh ich das Datenblat nicht oder der IRF7401 kann tatsaechlich 8.7A schalten... Irgendwie scheint mir das zuviel zu sein in Anbetracht dessen, dass das ding nur 2x5mm gross ist. Ich habe einen in meine Schaltung eingebaut und der soll auch "nur" 4A schalten aber ich trau mich nicht es auszuprobieren :)
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Verschoben durch Admin
Es steht im Datenblatt: Power dissipation of greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount application. Hängt also von dir ab ob die Beine genügend Wärme ableiten können.
Naja die 8,7A sind auch bei TA = 25°C... bei einer verlustleistung von etwa 0,4W bei 4A dürfte das eigentlich kein Problem sein... Einschalten, und die erste zeit mal mit dem Finger Temperaturkontrolle machen, aber müsste gehen..
Ok, ich probiers mal aus. Erstaunlich was das kleine Ding kann :)
4.5V Gatespannung, bei 4,1A -> RDS(on) = 0.022R 4²A² * 0.022R = 0.35W Verlustleistung Thermal Resistance beträgt 50K/W (Fußnote 4 beachten. Ein Footprint ist leider nicht angegeben). Das bedeutet Pi*Daumen ca 20K Erwärmung gegenüber der Außenluft. Angenommen die wird nicht umgewälzt sondern steht, dann kannst du vielleicht mit 40°-50° Umgebungstemperatur rechnen (Abhängig von Jahreszeit, Gehäuseform, Kühlschlitze, Lüfter, etc pp.) Da kommen noch die 20K drauf. Dann hat das Teil 70°C Junction Temperatur. Da 150°C Junction Temperatur erlaubt sind, haste also noch Luft. Die Werte sind natürlich relativ pessimistisch gewählt. Wurst-Käs (Worst-Case) halt ;-) PS: So viel ist das aber nicht. Schau dir mal den IRF6201PBF an.
Es muß halt schnell umgeschaltet werden, sonst fliegt Dir das Teil im Linearbetrieb um die Ohren. MosFETs gehen schneller kaputt, als man denkt.
simon wrote: >.... Schau dir mal den IRF6201PBF an. Nicht schlecht, der hat ja richtig wenig Rdson. Aber Qg ist mit 130nC schon heftig, fast ein Supercap ;-) Da braucht man schon einen kräftigen Treiber. Ich hätte denn mal den IRF3708 (TO220AB) vorgeschlagen, für Leute die den MOSFETs im Marienkäfer-Gehäuse SO8 hitzemäßig nicht so recht trauen und genügend Platz auf der Platine haben. Der ist auch für 2,8V Vgs spezifiziert und hat nur 24nC und ist bei Reichelt leicht erhältlich. mfg Bernd
BMK schrieb: > simon wrote: > >>.... Schau dir mal den IRF6201PBF an. > > Nicht schlecht, der hat ja richtig wenig Rdson. > Aber Qg ist mit 130nC schon heftig, fast ein Supercap ;-) > Da braucht man schon einen kräftigen Treiber. Hehe, ja, da hast du Recht. Sonst passiert relativ schnell das, was TravelRec. sagte :-D > Ich hätte denn mal den IRF3708 (TO220AB) vorgeschlagen, > für Leute die den MOSFETs im Marienkäfer-Gehäuse SO8 hitzemäßig > nicht so recht trauen und genügend Platz auf der Platine haben. > Der ist auch für 2,8V Vgs spezifiziert und hat nur 24nC > und ist bei Reichelt leicht erhältlich. Habe jetzt extra einen mit SO8 herausgesucht. Aber SO8 ist sowieso kein optimales Gehäuse für Leistungs-MOSFETs. Die DirectFETs sind extrem viel besser und gleichzeitig Kleiner. Beim SO8 kommen die Kontaktwiderstände ja schon in den heute üblichen Bereich des RDS(on). Die DirectFETs werden direkt auf die Platine gelötet über Kupferinseln. Gleichzeitig haben die eine Metallkappe für EMV Abschirmung und als kleiner Kühlkörper, der (sofern an den Seiten verlötet) auch noch auf der Platine vergrößert werden kann. Blöd bei MOSFET ist, dass der Strom quadratisch in die Verlustleistung eingeht. Das heißt irgendwann ist einfach Schluss bei MOSFETs, da die Verlustleistung quadratisch steigt. Irgendwann kann man besser mit Bipolaren Transistoren, bzw. IGBTs arbeiten. Hm, so viel wollte ich eigentlich gar nicht schreiben. Ach so, ich habe mal eine 4-fach BLDC Motorbrücke gebaut, da habe ich auch SO8 FETs verwendet. IRF7834 an IR2104 an ATxmega128A1, PWM mit 16kHz. Da hing dann ein Motor mit durchschnittlicher Stromaufnahme (Volllast mit Luftschraube) so 8-9A. Das haben die locker mitgemacht. So sieht das Ganze aus: http://klinkerstein.m-faq.de/Images/Image.php?url=QXv2_-_Quadrokopter/3D_PowerTop.jpg http://klinkerstein.m-faq.de/Images/Image.php?url=QXv2_-_Quadrokopter/BILD0288.jpg Fürs Größenverhältnis: Der innere TQFP ist einer mit .5mm Pitch. Die Platine misst 65x65mm²
@ Simon K. (simon) Benutzerseite >Habe jetzt extra einen mit SO8 herausgesucht. Aber SO8 ist sowieso kein >optimales Gehäuse für Leistungs-MOSFETs. Hat auch keiner behauptet, wenn gleich die heute verfügbaren MOSFETs da sehr viel leisten. >Blöd bei MOSFET ist, dass der Strom quadratisch in die Verlustleistung >eingeht. Ach ja, das liebe Gejammer. Schon mal überlegt, wie sich der RDS-ON der MOSFETs in den letzten 20 Jahren verringert hat? > Das heißt irgendwann ist einfach Schluss bei MOSFETs, Es ist IMMMER irgendwann schluss, selbst bei der Lichtgeschwindigkeit. :-0 > da die >Verlustleistung quadratisch steigt. Irgendwann kann man besser mit >Bipolaren Transistoren, bzw. IGBTs arbeiten. Aber erst bei hohen Spannungen. http://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor#Wann_setzt_man_einen_MOSFET.2C_Bipolartransistor.2C_IGBT_oder_Thyristor_ein_.3F MfG Falk
Falk Brunner schrieb: > @ Simon K. (simon) Benutzerseite > >>Habe jetzt extra einen mit SO8 herausgesucht. Aber SO8 ist sowieso kein >>optimales Gehäuse für Leistungs-MOSFETs. > > Hat auch keiner behauptet, wenn gleich die heute verfügbaren MOSFETs da > sehr viel leisten. Nö, muss jemand erst etwas behaupten, damit man was sagen darf? Falk, du bist ein Vogel ;-) Es ging nur eingangs darum, dass der "sehr kleine" IRF7401 doch ganz nette Ströme tragen kann. Daran habe ich sinngemäß angeschlossen. >>Blöd bei MOSFET ist, dass der Strom quadratisch in die Verlustleistung >>eingeht. > > Ach ja, das liebe Gejammer. Schon mal überlegt, wie sich der RDS-ON der > MOSFETs in den letzten 20 Jahren verringert hat? Klar. >> da die >>Verlustleistung quadratisch steigt. Irgendwann kann man besser mit >>Bipolaren Transistoren, bzw. IGBTs arbeiten. > > Aber erst bei hohen Spannungen. Äh ja, weil eben dann der RDS(on) "prinzipbedingt" höher ist. Bei niedrigeren Spannungen (niedrigeren RDS(on)s) beginnt die Grenze erst später. Aber ja, in der Praxis sieht es dann eben so aus. Steht ja auch alles im Artikel, den du verlinkt hast, dessen Sub-Kapitel ich noch gar nicht kannte. > http://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor#Wann_setzt_man_einen_MOSFET.2C_Bipolartransistor.2C_IGBT_oder_Thyristor_ein_.3F
Simon K. schrieb: > > Habe jetzt extra einen mit SO8 herausgesucht. Aber SO8 ist sowieso kein > optimales Gehäuse für Leistungs-MOSFETs. Die DirectFETs sind extrem viel > besser und gleichzeitig Kleiner. Beim SO8 kommen die Kontaktwiderstände > ja schon in den heute üblichen Bereich des RDS(on). Was hast du gegen SO8? Die Weiterentwicklung in Richtung höherer Verlustleistung heisst SOT669 oder LFPAK. http://www.nxp.com/#/ps/ps=[i=48014,f=c6853:76dd9]|pp=[t=pfp,i=48014] und Automotive unter http://www.nxp.com/#/ps/ps=[i=50933,f=c7153:76dd9]|pp=[t=pfp,i=50933] Andere Hersteller (z.B. Vishay und IR) haben ähnliches, aber hier gucken die Füsse noch raus und man kann das Teil noch von Hand löten. Arno
Die Werte gelten aber nur, wenn der FET die ganze Zeit eingeschalten ist oder? Bei relativ hoher Frequenz und/oder zu langsamer Ansteuerung schaut das anders aus. MfG Jürgen
Arno H. schrieb: > Simon K. schrieb: > >> >> Habe jetzt extra einen mit SO8 herausgesucht. Aber SO8 ist sowieso kein >> optimales Gehäuse für Leistungs-MOSFETs. Die DirectFETs sind extrem viel >> besser und gleichzeitig Kleiner. Beim SO8 kommen die Kontaktwiderstände >> ja schon in den heute üblichen Bereich des RDS(on). > > Was hast du gegen SO8? Die Weiterentwicklung in Richtung höherer > Verlustleistung heisst SOT669 oder LFPAK. Wenn ich was gegen SO8 hätte, hätte ich die wohl kaum eingesetzt oder? Außerdem schrieb ich oben schon, dass der Widerstand der Anschlussbeinchen keine höheren Ströme zulässt. Und deswegen DirectFET bei ca. gleicher Gehäusegröße etwas leistungsfähiger sind. J. K. schrieb: > Die Werte gelten aber nur, wenn der FET die ganze Zeit eingeschalten ist > oder? Das ist richtig. > Bei relativ hoher Frequenz und/oder zu langsamer Ansteuerung schaut das > anders aus. Das ist auch richtig. Genau so bei einer 3 Phasen Ansteuerung, wo nie alle Transistoren gleichzeitig angeschaltet sind.
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