Hallo. Es geht um einen RF Power Amplifier von 2-3GHz. Ich suche dazu Transistoren, die in diesen typischen HF-Gehäusen verpackt sind. Die mit den langen Beinchen. Z.B.: http://www.pe-tronic.de/To50Bild.jpeg Da gibt es ja noch andere Gehäuse, hauptsache lange Anschlüsse. Was gibts da? Möglichst über 500mW Ausgangsleistung und gutem Power Gain.
Meinst du vielleicht fertige Gain Blocks? Dann schau mal bei Minicircuits.com rein, da solltest du fündig werden. branadic
Das soll als Anschauungsschaltung an meiner Uni für ein neue Praktikum sein, daher sollte es eine Transistorschaltung bleiben und nicht direkt irgendwelche Linearverstärker enthalten.
Dann würde ich vorschlagen, schau beispielsweise mal bei NXP rein, da findest du eine ganze Reihe an Bipolartransistoren für den Gigahertz-Bereich. branadic
Hallo Ramses. wie ist das Klima in Aegypten? > Transistoren, die in diesen typischen HF-Gehäusen verpackt sind. Die mit > den langen Beinchen. Z.B.: > Da gibt es ja noch andere Gehäuse, hauptsache lange Anschlüsse. Was > gibts da? > Möglichst über 500mW Ausgangsleistung und gutem Power Gain. Ich denke nicht, dass es in solchen Gehaeusen gelingt, 500mW Ausgangsleitung zu erzeugen. Und schon garnicht bei 2GHz. Gruss Michael
Wenn es sogar SOT-23 Transistoren mit einer Transitfrequenz von 9GHz und 500mW gibts, dann müssen die anderen Gehäuse das doch auch können. http://de.farnell.com/nxp/bfr540-215/dp/1825993
In diesem historischen Gehäuse gab es Einzeltransistoren m.W. nur als Vorstufentypen mit entsprechend kleiner Verlustleistung. Die Bauform mit den gigahertzfeindlich langen Drähten ist steinalt, so aus der Zeit der Hieroglyphen und Pyramiden, und benötigt auch noch ein Loch in der Platine, damit das Teil plan aufliegt. Im Ernst, ich kenne so was eigentlich aus TV-Tunern der 70er Jahre. Für HF Transistoren von 0,5W ist dann doch eher SOTxxx üblich. MMIC kommen zwar ähnlich daher, sind aber eine andere Baustelle. Gruß, Bernhard
ramses schrieb: > Wenn es sogar SOT-23 Transistoren mit einer Transitfrequenz von 9GHz und > 500mW gibts, dann müssen die anderen Gehäuse das doch auch können. > http://de.farnell.com/nxp/bfr540-215/dp/1825993 Mir scheint du hast noch wenig Erfahrung mit SOT-23. 500mW gibts da nicht. Auch nicht beim BFR540. Die Spec im NXP Datenblatt sagt 500mW bei 70°C am Lötpunkt. Bei einem Rths von 260°/W bedeutet das eine Chip-Temperatur von 200°C. Es wäre unsinnig einen Si-Halbleiter bei dieser Temperatur zu betreiben. Liest man weiter im Datenblatt, dann gibt es da ein Beispiel mit 21dBm(ca. 100mW) Ausgansleistung bei 900MHz und einer Verlustleistung von ca. 8V*40mA=320mW. Das ist schon mal wesentlich weniger, aber imemr noch sehr viel Verlustleistung für SOT-23. Soviel würde ich dem Teil nicht zumuten, wenn hohe Zuverlässigkeit gefragt ist. Für eine Diplomarbeit geht das vielleicht. Das muss ja dann nur 1 Woche lang funktionieren.
Hier solltest Du was passendes finden: http://www.advancedsemiconductor.com/ Für 0.5 W Ausgangsleistung würde ich mal von einer Verlustleistung von 3 bis 6 W ausgehen...
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