Transistor erklärung

[mage (Gast)]

hallo köönte mir jemand mal auf einfache weise einen Transisor 
erklären??
bauweise, funktion, einsatzgebiet/zweck

wiki habe ich nicht verstanden

gruss und danke

[ähh (Gast)]

was für einen transistor??? bipolar ? feldeffekt? schau dir mal das 
tutorial hier an:
http://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor

[mage (Gast)]

NPN und PNP

[ähh (Gast)]

hier:
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0201291.htm

[Hannes (Gast)]

Ein Transistor ist ein Stromgesteuerter Widerstand.
Ein FET ist ein Spannungsgesteuerter Widerstand.
Kurz erklärt :)

[Michael (Gast)]

Nicht ganz, Hannes. Ein Bipolartransistor ist eine stromgesteuerte 
Stromsenke denn da werden ja physikalisch Ladungsträger abgesaugt 
während ein FET "nur" seine Leitfähigkeit des Kanals verändert (wodurch 
er ein spannungsgesteuerter Widerstand ist).

[Yalu X. (yalu) (Moderator)]

Auch nicht ganz, Michael ;-)

Beide Transistortypen sind so ein Zwischending zwischen gesteuerter
Stromquelle und gesteuertem Widerstand.

Im linearen (BJT) bzw. Abschnürbereich (FET) verhalten sich beide eher
wie Stromquellen, allerdings mit endlichem Innenwiderstand (d.h. der
Strom ist etwas spannungsabhängig, s. Early-Effekt).

Im Sättigungs- (BJT) bzw. ohmschen Bereich (FET) haben beide eher die
Eigenschaften von Widerständen, wobei der Widerstand aber etwas span-
nungsabhängig ist (beim BJT stärker, beim FET nicht so stark).

Der Name "Transistor" kommt übrigens von "Transfer Resistor".

[Jan (Gast)]

Bipolartransistoren arbeiten nach dem prinzip, dass der Basis Emitter 
Übergang als leitende Diode arbeitet.
Die Löcher fließen in die P Basis und aus dem Emitter kommen die 
elektronen.(Normale Diode)
Nun ist es so, dass die Basisweite (kurzkanaltransistor) so kurz ist, 
dass möglichst wenig Rekombination stattfindet (Dazu: Durchschnittliche 
"lebenszeit" bzw. rekombinationslänge), die Elektronen werden dann, 
durch den sehr hohen "potentialunterschied" im Bänderdiagramm, zum 
Kollektor "abgesaugt". (Elektrisches Feld beschleunigt die Elektronen 
quasi, sodass man einen "Teilchenbeschleuniger" hat ).
Da ist man auch schon beim Transportfaktor.
Man versucht möglichst wenig rekombination in der Basis zu haben und 
stattdessen viel durch den Kollektor fließen zu lassen.


Die Basis Kollektor Diode ist im "normalbetrieb" immer sperrend.
(NPN).
Generell ist das ein sehr komplexes Thema, bei dem viele Effekte 
auftreten.
Es gibt verschiedene "Arbeitsbereiche" für den Bipolar und den Mosfet.

Prinzipiell würde ich sagen, dass die Beschreibung des "variablen 
Widerstands" für "Laien" gut ist.

Viel schöner ist da der Mosfet zu erklären...
Dabei erzeugst du (beim enhancement Mosfet, N kanal) einen Leitenden 
Kanal unterhalb des Gates.
Dabei ist es so, dass wenn du in den Bereich der Inversion kommst (Durch 
das Gate Potential ziehst du Ladungsträger (Minoritäten) unterhalb des 
Gates, welche mit den Majoritätsladungsträgern rekombinieren. Irgendwann 
reicht die Zahl der Majoritätsträgern nicht mehr aus und es bleiben 
Minoritäten übrig, die den Leitenden Kanal ausbilden.)
ein leitender Kanal entsteht, durch den Elektronen fließen können. (N 
leitender Kanal bildet sich aus).


Ich hoffe das dir das erstmal reicht. Ansonsten mal googlen ;)

[Jex (Gast)]

hier ist ne nette Animation
http://www.learnabout-electronics.org/bipolar_junction_transistors_05.php

oben rechts den großen Stromkreis einschalten und dann unten links im 
kleinen Stromkreis die Spannung langsam erhöhen

[Michael (Gast)]

Yalu X. schrieb:
> Auch nicht ganz, Michael ;-)

Naja, der TE fragte wie die Transitoren funktionieren und nicht wie sie 
sich verhalten. Aber da kann man ja tausend Bücher schreiben, denke auch 
mit dem Verhalten ist dem Laien mehr geholfen. ;)