Ich habe hier einen IC (Digitalpoti) rumliegen und da ist von ner Substrate Bias Spannung die Rede. Ich habe ein wenig gegoogelt und bin auf eine Erklärung gestoßen die zusammenfassen sagt, dass je negativer die SBV ist, umso weniger Strom fließt. (http://www.tubeampdoctor.com/newsdesk_info.php?newsPath=7&newsdesk_id=16) Stimmt die Aussage so? Heißt das für das Poti, dass je negativer ich die SBV wähle, umso weniger Strom über W/H/L fließt? Wenn ja, in was für nem Maß beeinflusst die SBV den Strom durch W/H/L?
was hat dein Digatalpoti mit Röhren zu tun? von welchen Typ Digitalpoti sprichst du hier? was sagt das Datenblatt? Sascha
Das kann man so allgemein nicht beantworten. Bei p-dotierten Substrat führt die Erhöhung des Substratpotentials zB. zu einer Erhöhung der Schwellspannung der n-Kanal Transistoren (Backgate-Effekt).
Natürlich hat das nichts mit Röhren zu tun, aber was explizites habe ich nicht gefunden und dachte, dass man die Erklärung evtl. übertragen könnte. Sorry, wollte das Datenblatt eigentlich posten: http://www.reichelt.de/?;ACTION=7;LA=28;OPEN=0;INDEX=0;FILENAME=A200%252FDS1267%2523DAL.pdf;SID=15sbs06awQAQ8AAELQuq46ee0e809420378d28e149b234314004a Gibt aber leider nicht viel her.
Hi
>Gibt aber leider nicht viel her.
Die Spannunng an den Potianschlüssen darf nicht negativer als Vb sein.
Wenn du eine Wechselspannung verarbeiten willst muss an Vb eine negative
Spannung anliegen. Siehe Notes 2... S.8.
MfG Spess
Sorry, komm erst jetzt dazu zu antworten. Ok, danke für den Hinweis, so wie ich das sehe kann ich, wenn ich mit DC Spannungen von 0V-5V arbeite, Vb einfach auf GND legen und es funktioniert alles wie geplant. thx4help
Hi >Ok, danke für den Hinweis, so wie ich das sehe kann ich, wenn ich mit DC >Spannungen von 0V-5V arbeite, Vb einfach auf GND legen und es >funktioniert alles wie geplant. Richtig. MfG Spess
"Substrat" ist der Chip selbst, also das Silizium, auf das die Strukturen der Transistoren etc. geätzt und diffundiert wurden. Bei den üblichen Chips muß dieser auf der negativsten Spannung von allen Anschlüssen liegen, sonst könnten sich parasitäre Dioden bilden und Strom fliesst ab was zu Fehlfunktion führt. Bei normalen Chips, die nur + und - als Versorgungsspannung brauchen, ist klar, daß man das Substrat einfach an - anschliesst, das machen die schon intern im Chip. Bei Bauteilen die mehrere Spannungen haben, von denen eine negativer oder positiver sein kann als die andere, ist nicht so klar, womit das Substrat verbunden werden soll. Da ist der Anschluss nach draussen geführt, und muss von dir mit der negativsten aller Spannungen verbunden werden. In der Hoffnung, daß der Entwickle das weiß. Weiß er es auch nicht, muss er eine aufwändige Schaltung bauen, die das aktuell negativste anliegende Potential an den Anschluss durchleitet, oder er erzeugt eine Spannung die garantiert negativer ist als alle zum Chip geführten. Bei bestimmten Chips gilt sogar: Wenn man das Substrat noch negativer macht als nötig, werden die Chips schneller, so -5V unter der negativsten vom Chip zu verarbeitenden Spannung sind möglich. Das ist bvei deinem Chip aber nicht relevant, jedoch noch eine Erkläörung, warum man den Anschluss nach druassen führt. Moderne Chips hätten dann aber eine Ladungspumpe auf dem Chip, um diese negative Spannung selbst zu erzeugen.
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