Hi, kann mir jemand sagen, welchen Ausgangsstrom der Agilent 33220A Funktionsgenerator liefern kann? Ich find das gar nicht im Datenblatt. Würde eigentlich gerne einen FET ansteuern und frage mich ob ich den MOSFET-Treiber wirklich brauche. Danke und Gruss
Im Datenblatt steht: max. 10Vss an 50Ohm, Ausgangsimpedanz: 50Ohm. Was ist dir noch unklar?
John Drake schrieb: > Im Datenblatt steht: max. 10Vss an 50Ohm, Ausgangsimpedanz: 50Ohm. > > Was ist dir noch unklar? Würde ja im Prinzip 0.2A heissen, ich habe einfach Probleme damit, wie man überhaupt einen Gatetreiber anständig dimensioniert. Wie macht ihr das? Rechnet ihr einfach mit der Gatekapazität aus, wie lange es dauert bis ich das Gate über Threshholdspannung habe? Gruss
> Rechnet ihr einfach mit der Gatekapazität aus, wie lange es dauert bis > ich das Gate über Threshholdspannung habe? > Genau so. Das funktioniert nicht wirklich. Die Gate-Kapazität ist keine Konstante, du solltest dir da eher die Gate-Charge Kurve anschauen. Die gilt aber auch nur für eine ganz bestimmte Drain-Spannung. Deshalb ist es im Normalfall einfacher, wenn man einen Gate-Widerstand R_G einbaut, der ungefähr den Datenblattangaben entspricht und den benötigten Strom für den Gate-Treiber abschätzt mit der Formel I = 10V / R_G (Für 15V Treiberspannung). Damit hat man dann einen guten Startwert, Messungen sind danach aber auf jeden Fall notwendig. Mit einem Funktionsgenerator kann man nach meiner Erfahrung nur sehr kleine MOSFETs ansteuern, der Innenwiderstand von 50 Ohm ist für kräftige MOSFETs zu groß. Deshalb würde ich immer einen Gate-Treiber einsetzen und diesen mit dem Funktionsgenerator ansteuern.
John Drake schrieb: > Im Datenblatt steht: max. 10Vss an 50Ohm, Ausgangsimpedanz: 50Ohm. > > Was ist dir noch unklar? Würde ja im Prinzip 0.2A heissen, ich habe einfach Probleme damit, wie man überhaupt einen Gatetreiber anständig dimensioniert. Wie macht ihr das? Rechnet ihr einfach mit der Gatekapazität aus, wie lange es dauert bis ich das Gate über Threshholdspannung habe? Gruss Johannes schrieb: >> Rechnet ihr einfach mit der Gatekapazität aus, wie lange es dauert bis >> ich das Gate über Threshholdspannung habe? > >> Genau so. > > Das funktioniert nicht wirklich. Die Gate-Kapazität ist keine Konstante, > du solltest dir da eher die Gate-Charge Kurve anschauen. Die gilt aber > auch nur für eine ganz bestimmte Drain-Spannung. > > Deshalb ist es im Normalfall einfacher, wenn man einen Gate-Widerstand > R_G einbaut, der ungefähr den Datenblattangaben entspricht und den > benötigten Strom für den Gate-Treiber abschätzt mit der Formel I = 10V / > R_G (Für 15V Treiberspannung). > > Damit hat man dann einen guten Startwert, Messungen sind danach aber auf > jeden Fall notwendig. > > Mit einem Funktionsgenerator kann man nach meiner Erfahrung nur sehr > kleine MOSFETs ansteuern, der Innenwiderstand von 50 Ohm ist für > kräftige MOSFETs zu groß. Deshalb würde ich immer einen Gate-Treiber > einsetzen und diesen mit dem Funktionsgenerator ansteuern. Bei 600pF Gatekapazität und 50Ohm komm ich auf 30ns, was eigentlich für 1kHz Betrieb reichen sollte. Nun hab ich aber das Problem von 12V, Funktionsgenerator schafft aber nur 10V, also sperrt mein p-MOSFET nicht. Gate-Driver sind bestellt, würde jedoch gerne bis morgen eine Versuchsschaltung aufbauen. Meint ihr mit einer einfachen Emitterschaltung am Eingang des Gates klappt das? Klar, der Ausgangswiderstand muss <50Ohm sein...
Dir ist schon klar, dass du 20Vss zur Verfügung hast, wenn du den 50Ohm-Ausgang nicht mit 50Ohm abschließt, sondern (nahezu) leerlaufen lässt?
> Bei 600pF Gatekapazität und 50Ohm komm ich auf 30ns, was eigentlich für > 1kHz Betrieb reichen sollte. Nun hab ich aber das Problem von 12V, > Funktionsgenerator schafft aber nur 10V, also sperrt mein p-MOSFET > nicht. Wenn nur die Schaltfrequenz entscheidend ist, dann kannst Du den MOSFET ruhig ziemlich hochohmig ansteuern. Mit 600 pF ist das ja ein relativ kleiner MOSFET, da ist auch die Flankensteilheit nicht so schlecht. Kommt aber drauf an, was du am MOSFET-Ausgang für eine Flankensteilheit benötigst. > Dir ist schon klar, dass du 20Vss zur Verfügung hast, wenn du den > 50Ohm-Ausgang nicht mit 50Ohm abschließt, sondern (nahezu) leerlaufen > lässt? Ja, das sollte funktionieren. Die Frage ist, wie weit man die Offset-Spannung hochdrehen kann. Aber auch wenn nur 5V Offsetspannug rauskommt und der Generator unbelastet eine Amplitude von > 8V (also 16 Vss) ausgibt, wird das so gehen.
John Drake schrieb: > Dir ist schon klar, dass du 20Vss zur Verfügung hast, wenn du den > 50Ohm-Ausgang nicht mit 50Ohm abschließt, sondern (nahezu) leerlaufen > lässt? völlig richtig, hab ich glatt vergessen...danke!
Johannes schrieb: > Wenn nur die Schaltfrequenz entscheidend ist, dann kannst Du den MOSFET > ruhig ziemlich hochohmig ansteuern. Mit 600 pF ist das ja ein relativ > kleiner MOSFET, da ist auch die Flankensteilheit nicht so schlecht. > Kommt aber drauf an, was du am MOSFET-Ausgang für eine Flankensteilheit > benötigst. Später kommt da schon ein Treiber rein, nur schon wegen der kleineren Verluste während dem Ein/Auschalten
Johannes schrieb: > Die Frage ist, wie weit man die > > Offset-Spannung hochdrehen kann. Aber auch wenn nur 5V Offsetspannug > > rauskommt und der Generator unbelastet eine Amplitude von > 8V (also 16 > > Vss) ausgibt, wird das so gehen. Die Summe des Wechelspannungsanteil und des Offsets( Gleichspannung ) ist in jeder Richtung begrenzt auf maximal 20V im Lehrlauf. Bei 50 Ohm Last die Hälfte. Welche Spannung ( Leerlauf oder bezogen auf einen Z ) man im Display des 33220 angezeigt bekommt, kann man einstellen ( Utiliti Output-Setup Load und nach Eingabe des Wertes oder high-Z mit done bestätigen ). Ralph Berres
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