Ausgangsstrom TS555 nicht im Datenblatt gefunden!

[A. R. (redegle)]

Hallo,

ich möchte herrausfinden, wie groß der maximale Ausgangsstrom bei einem 
TS555 ist. Noch besser währe es, zusätzlich auch den Innenwiderstand zu 
kennen. Jedoch kann ich in dem Datenblatt keine entsprechende Angabe 
finden!

Kann mir jemand weiterhelfen?


Artikel:
http://Www.reichelt.de/?ACTION=3;ARTICLE=21825;PROVID=2402

Datenblatt:
http://www.reichelt.de/?;ACTION=7;LA=28;OPEN=0;INDEX=0;FILENAME=A200%252FTS555%2523STM.pdf;SID=40TTmdE38AAAIAAHOSwF431be7a42e91716a625828745af9c2244

[Depp (Gast)]

http://www.mikrocontroller.net/part/TS555

[Floh (Gast)]

Das einzige, was ich gefunden hab:

VOL Low Level Output Voltage (Isink = 50mA)
Tamb = + 25oC

VOH High Level Output Voltage (Isource = -10mA)
Tamb = + 25oC

sind halt nicht die maximalen Ströme, aber wenigstens ne Hausnummer :-)

[ArnoR (Gast)]

NaJa, es steht indirekt unter High- bzw. LowLevelOutputVoltage.

[A. R. (redegle)]

@ Depp

der Link führt bei mir zu nichts.

@ Floh,

die Angaben habe ich auch gefunden im Datenblatt von national 
semiconductor. Ich brauche leider die von ST


Das Problem hat sich schon gelöst. War eigendlich zu simpel^^.
Habe mir auf der Homepage von ST das aktuellste Datenblatt 
heruntergeladen.

Dort steht:
Table 1. Absolute maximum ratings
IOUT Output current ± 100 mA

Table 2. Operating conditions
IOUT
Output sink current         10mA
Output source current       50mA

Wobei ich mir die hohe Differenz zwischen maximum und operation nicht so 
ganz erklären kann.
Aber 10mA sollten für meine Applikation ausreichen.

[A. R. (redegle)]

Link zum aktuellen Datenblatt:
http://www.st.com/internet/analog/product/65434.jsp

Denke die hohe Differnz zwischen operating und maximum lässt sich damit 
erklären, dass der Spannungsabfall bei 100mA Ausgangsstrom so groß ist, 
dass das IC nicht mehr verwendbar ist.

Die Ausgangsstufe hat einen extrem hohen RDSon.

[ArnoR (Gast)]

Das Problem ist, dass sich mit der verwendeten Technologie N-Kanal und 
P-Kanal-Mosfets nur mit sehr unterschiedlichen Eigenschaften fertigen 
lassen. Daher die stark unterschiedlichen Source- bzw. Sink-Ströme.

[John Drake (Gast)]

ArnoR schrieb:
> Das Problem ist, dass sich mit der verwendeten Technologie N-Kanal und
> P-Kanal-Mosfets nur mit sehr unterschiedlichen Eigenschaften fertigen
> lassen. Daher die stark unterschiedlichen Source- bzw. Sink-Ströme.

Peinlicherweise ist es aber genau anders herum. Hätten die PMOS- und 
NMOS-Transistoren der Ausgangsstufe die gleiche Fläche, so wäre 
|Isink|>|Isource|...

[ArnoR (Gast)]

Was heißt es ist peinlicherweise genau anders herurm? Ich habe doch gar 
keine Bewertung angegeben! Ich habe nur gesagt, dass sich die Ströme 
stark unterscheiden, nichts weiter! Alles andere ist deine 
Interpretation. Im Übrigen ist Isink>Isource!

[John Drake (Gast)]

ArnoR schrieb:
> Interpretation. Im Übrigen ist Isink>Isource!

10mA sind größer als 50mA?

[ArnoR (Gast)]

Man, jetzt stell mal das Bier weg. 50mA Sinkstrom und 10mA Sourcestrom 
bei etwa 1V Uds. Diagramm aus dem Datenblatt des TS555.

[John Drake (Gast)]

OK, ich nehme meine Behauptungen zurück. Offensichtlich bin ich einer 
Ungenauigkeit im Datenblatt aufgesessen...