Hallo, Ich suche eine Halbleiteralternative zu Haftrelais bzw. Impulsrelais um für eine Facharbeit eine nicht flüchtige Flashspeicherzelle auf Halbleiterbasis aufzubauen. Das Bauteil soll also auch ohne Stromversorgung geschaltet bleiben. Einzelne Floating Gate Transistoren wären die Lösung. Habe aber keine Floating Gate Transistoren zum Kaufen gefunden. Gibt es einzelne FGTs zu kaufen oder eine andere Halbleiteralternative zu Haftrelais? bitbit
Alf R. schrieb: > Einzelne Floating Gate Transistoren wären die Lösung. Habe aber keine > Floating Gate Transistoren zum Kaufen gefunden. Die wird es auch nicht einzeln geben. > eine andere Halbleiteralternative zu Haftrelais? Es wird nicht einfach möglich sein etwas zu bauen, das ewig speichert, außer natürlich man nimmt einen fertigen Flash/FRAM-Baustein. Aber du kannst etwas ähnliches wie den Floating Gate Transistor diskret aufbauen. Der wird die Information nicht ewig speichern, aber eine Stunde dürfte drin sein. Überlege dir einfach aus welchen Elementen ein FGT besteht und ersetzte diese einzeln durch Bauteile die es zu kaufen gibt. Mehr will ich erst mal nicht verraten, es ist ja deine Facharbeit.
...Haftrelais, noch nie gehört. Ist soetwas wie ein Bistabiles Relais (Remanenzrelais)... Wäre denn ein J-K Flip-Flop in T Schaltung mit einem Kondensator denkbar? Wie lange soll es denn halten? Ein "Haftrelais" hält ja "etwas" länger :-) Ein Floating Gate hast du ja nur in Flash oder EE- bzw. EPROM Zellen. Ausser du versuchst eine Schaltung so zu gestalten das du das Gate eines FETs "lädst" und dann dafür sorgst das es sich nicht wieder ohne weiteres entladen kann... M.
...ja ok, "nicht flüchtig" sagt es eigentlich schon... Ich würde mal sagen "nicht flüchtig" bedeutet min. 10 Jahre sicher in der Halbleitertechnik ... Das ist sportlich, vor allem um den Beweis würde ich mir Sorgen machen...
Hallo! Die Firma RAMTRON bietet neben ihren F-RAMs auch so genannte "nonvolatile state saver" z.B. FM1105.
Alf R. schrieb: > um > für eine Facharbeit eine nicht flüchtige Flashspeicherzelle auf > Halbleiterbasis aufzubauen. Was genau sollst Du tun? Sollst du ein IC entwerfen? Ein Flashspeicher ist ja schon in seinem Aufbau bekannt, was also ist deine eigentliche Aufgabe?
Du kannst den Zustand auch im EEprom eines Controllers ablegen. OK, nur eine begrenzte Anzahl von Zyklen.
Man könnte einen MOSFET mit mögichst niedrigem Leckstrom am Gate suchen. Picoampere dürften da drin sein, ggf. weniger. Dann noch einen hochwertigen Folienkondensator ans Gate, fertig ist die 1 Bit Speicherzelle. Aber sie wird nicht ansatzweise an die Zuverlässigkeit/Haltbarkeit eines EEPROMs/Flash rankommen, weil a) die Technologie eine andere ist und b) ein EEPROM/Flash vollständig gekapselt und isoliert im ICs ist, während im diskreten Aufbau durch Dreck wieder Leckströme entstehen. Aber ein paar Wochen sollten drin sein. Mal rechnen. 1pA Leckstrom und 1uF, Spannungsabfall von 10V auf 5V. I = C * U / I = 5e6 s = 58 Tage ~ 2 Monate. Naja. Vielleicht wäre da der gute, alte Magnetkernspeicher eine Alternative? http://de.wikipedia.org/wiki/Magnetkernspeicher Ist zwar kein Halbleiter, aber zumindest nicht mechanisch. MFG Falk
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