Hallo, spricht eigentlich irgend etwas dagegen mit einem High-Side Treiber mehrere parallel geschaltete MOSFET's anzusteuern? Der Treiber den ich ins Auge gefasst habe kann laut Datenblatt (GATE Drive Output Current) 15...60uA. Der MOSFET (IRF630) hat ein Igss (Gate to Source Leakage Current) von 100nA. Sollte doch also möglich sein, oder hab ich etwas nicht bedacht? Hohe Frequenzen muss ich nicht schalten also sollten die Gatekapazitäten keine so große Rolle spielen. Gruß Chris
So lange der Treiber die Kapazität schnell genug schalten kann (das ist bei dir der Fall) ist das in Ordnung, MOSFETs im Schlatbetrieb parallel an einen Treiber zu hängen. Mit Leckströmen hat das nichts zu tun.
karadur schrieb: > was ist denn das für ein Treiber 15..60uA? Das ist doch kein Treiber!!! Es handelt sich um den MAX1614. Warum sollte es kein Treiber sein, um einen MOSFET zu schalten braucht man doch keine mA's. @MaWin > Mit Leckströmen hat das nichts zu tun Ok, du hast Recht, es ist nicht der Gate-Source Leckstrom, welchen ich bei meiner Fragestellung berücksichtigen muss, aber welcher ist dann der entscheidende Parameter im Datenblatt? http://www.sullivan-county.com/ele/pdf/irf630.pdf Oder geht man beim MOSFET tatsächlich von einem unendlich hohen Gate Widerstand aus und betrachtet im Grunde nur die Gate-Kapazität?
> Es handelt sich um den MAX1614. > Warum sollte es kein Treiber sein, um einen MOSFET zu schalten braucht > man doch keine mA's. Du verwechselst hier etwas: Um einen Mosfet schnell zu schalten, braucht man einen Treiber, der kurzzeitig einen hohen Strom liefern kann. Um einen Highside-Mosfet dauerhaft eingeschaltet zu haben, hat dieser Treiber eine Charge-Pump, mit der eine Versorgungsspannung erzeugt wird, die oberhalb der Source-Spannung des Highside-Transistors liegt. Diese Charge-Pump kann nur sehr wenig Strom liefern. Hier ist aber weniger der Leckstrom des Mosfets-Gates das Problem sondern der interne Stromverbrauch des Treibers. Mit diesem Treiber sollte man eigentlich mehrere Mosfets parallel schalten können, aber evtl. eher langsam.
>Oder geht man beim MOSFET tatsächlich von einem unendlich hohen Gate >Widerstand aus und betrachtet im Grunde nur die Gate-Kapazität? Ja. Ist wesentlich beim Umladen des Gates. Je höher die Frequenz, um so wesentlicher wird dieser Umladestrom, der je nach Flankensteilheit, C des Gates schonmal in die Ampere reingehen kann (deswegen gibt's Treiber, die für mehrere Ampere ausgelegt (als Stromspitzen)
Der MAX ist übrigens eher für statische Zustände gedacht. Der soll also eigentlich fast nich schalten, wirklich nur mal gelegentlich. Das DB sagt gleich am Anfang: ... The MAX1614 drives high-side, N-channel power MOSFETs to provide battery power-switching functions in portable equipment. N-channel power MOSFETs typically have ... Der soll also nur hin und wieder mal was schalten - mehr nicht. Wenn Du die 1Hz-Grenze überschreitest, solltest du anfangen, Dir einen besseren Treiber zu suchen ;-)
Hi, danke für den Hinweis. Aber das geht schon in Ordung. Die Schaltfrequenz wird eher im Bereich 1/min...1/h liegen.
Mit einem NE555 kannst du dir auch eine kleine Ladungspumpe aufbauen, die dir periodisch die NE555-Versorgungsspannung über deine High-Side-Spannung drüberschiebt (über geladenen Kondensator). Evtl. kommst du damit günstiger weg und hast sogar eine etwas schnellere Schaltzeit, weil etwas mehr Strom möglich.
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