Hallo, Ich habe das Problem verlustarm mit einem P-MOS eine Spannung auf einen Kontakt zu schalten. Die Spannung liegt im Bereich von ca. 3 bis 150V. Mit einem Bipolar-Transistor kein Problem. Doch bei hohen Spannungen fließt durch die Basisbeschaltung des Transistorschalter ein doch relativ hoher Strom. Mit einem p-Kanal-FET habe ich aber das Problem, das die max. Gate-Source-Sapnnung bei ca. 20V liegt. Wie kann ich das Problem auf einfache Weise lösen ?
bei so hohen spannugen nimmt man thyistoren sind jedoch etwas komplexer im aufbau
Äh wie jetzt, soll der FET die Spannung von 150V schalten oder sollen 200V den Fet schalten? Spannungsteiler am Gate? Z-Diode 12V über Widerstand 100k an´s Gate? Denke, das sollte kein Problem sein.
Sind die 3-150V auch die Betriebsspannung? Muß eine galvanische Trennung da sein? Steht noch eine andere Spannung zur Verfügung? Wie lange sind die Schaltperioden?
Die Betriebsspannung liegt bei 3V, die geschaltete Spannung bei eben 3-150V. Die Schaltzeit sollten im Bereich von 1..5µs liegen. Die bisherige Lösung arbeitet mit einem PNP-Transistor. Das Problem sind die Ströme bei 150V am Basisspannungsteiler. Ein FET wäre da günstiger. Das Problem ist aber die begrenzte Gate-Source-Spannung von 20 V.
nur mal so der Rechthaberei wegen, bei 200V ist es immernoch Niederspannung.
wenn du eine betriebsspannung von 3V hast, und ne spannung von 3-150V schalten willst, musst du dir doch nur noch irgendwie (step up oder so) ne spannung von ca 12V basteln, damit die fets auch richtig durchschalten weil du schaltest ja nicht GATE-Source sondern Drain-Source .. und da sind die teile wesendlich spannungsfester! (je nach typ)
Nuja, das wollte ich sagen, fließt doch keine Spannung aus dem Gate heraus sondern nur eine ´rein, hat also mit dem Hochspannungszweig nix zu tun, was Du am Gate machst (zumindest solange der FET heile ist). Guckst Du nach 400V-Typen und packst zw. 6-12V auf das Gate (negativ gegenüber Source bei P-Typ) für eingeschaltet und keine Spannug für ausgeschaltet. Ein R von 4k oder so zwischen Source und Gate hilft, daß der FET schnell sperrt.
..,. fließt doch keine Spannung aus dem Gate heraus sondern nur eine ´rein, ..,. wieder schön, hier mitlesen zu dürfen AxelR.
Was ist mit IGBT´s.? Das ist ein Zwitter zwischen Bipolar und MOS. z.B:FGH50N3 von Fairchild
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