MOSFET mit integraler Zener Diode

[Kupfer Michi (Gast)]

Manche MOSFETs (z.B. die IRxZyy Serie) sollen ja angeblich integrierte
Gate Source Zener Dioden haben. In den Datenblättern finde ich darüber
aber kaum was.

Ich nehme an die sind nur als Gate ESD Schutz gedacht und können nicht
dazu benutzt werden um Vgs auf seinen Maximalwert zu begrenzen?

Sind normale Zener Dioden zwischen Gate und Source in der Regel schnell
genug um Vgs sicher zu begrenzen oder muss man sich da noch was anderes
einfallen lassen?

Danke schon mal.

[Gerhard Gunzelmann (Gast)]

Nachdem die gate-Source-Strecke ein Kondensator von bis zu 5nF ist,
besteht da keine gefahr gegenüber schnellen, aber niedrig-energetischen
Transientn - die werden einfach absorbiert. es reicht eine Zenerdiode.

gerhard

[Kupfer Michi (Gast)]

Danke,
bei einem ESD Puls aus einer 100pF/1.5K Quelle an ein 1nF Gate hat man
ja einen schönen Tiefpass (tau=1.5µs).

Was mir noch nicht so ganz klar ist ob Zener Dioden, neben der durch
die Zener Kapazität bedingten Verzögerung auch eine
"Einschaltverzögerung" haben (analog der Einschaltverzögerung bei
Transistoren).
Dies wird also interessant wenn ich von aussen hart das Gate
übersteuere und dann z.B. durch eine Zener für Begrenzung sorgen muss.

[Arno H. (Gast)]

Wo siehst Du das Problem? Wenn die Z-Diode (Zenerdioden gibt es nur bis
ca. 5V) bei 15 - 20V leitend wird, sollte der FET schon längst
durchgeschaltet sein und deshalb kein negativer Einfluss spürbar sein.
Du solltest nur den Maximalstrom und damit Ptot der Z-Diode nicht
überschreiten.
Wenn Du schnelle Schaltzeiten brauchst, solltest Du eh einen geeigneten
Treiber in der räumlichen Nähe des FET haben.