Verpolungsschutz mit geringen bis gar keinem Spannungsabfall

[Rooney (Gast)]

Hallo!!

Hat irgendwer eine Idee, wie ich einen Verpolungsschutz realisieren
kann, bei dem es nicht zu einem Spannungsabfall kommt.
Diode ist zwar fein und recht einfach zu realisieren, aber mit min.
0.4V  Spannungsabfall kann ich nicht leben...

[Bri (Gast)]

Du könntest die Diode parallel zu den Kabeln schalten, so daß im
Fehlerfall die Sicehrung kaputt geht. Aber zumindest wär die Schaltung
dann noch ganz.

[Gerhard Gunzelmann (Gast)]

Da gibts z.B. noch die Möglichkeit mit einem Relay und einer Diode. Wenn
die Spannung richtig gepolt ist, fließt Strom über die Diode, das Relay
wird geschlossen und die Verbindung hergestellt. Allerdings wird die
Leitung mit dem Relay belastet.

Gerhard

[Florian Pfanner (Gast)]

Hallo Rooney,

versuchs mal mit einem FET. Da gibt es typen mit sehr niedrigem
Widerstand. Die Ansteuerung kannst du dann ja über Dioden o.ä. machen.


Es kommt aber auch darauf an, wie der Verpolungsschutz auszusehen hat.
Es geht z.B. auch einfach eine Diode zwischen Plus und Minus einbauen
und wenn dann Falsch gepolt wird, dann leitet die Diode und die
Sicherung fliegt. Das ist zwar nicht die allerbesste methode, aber
müsste eigentlich gehn.

Gruß, Florian

[W. Harbrecht (Gast)]

Vorschlag
      ___
-----|     |-------+----- Positiv
     ------        |
    Polyswitch     -    Vout
                  / \ 1N4007
                   |
-------------------+----------- Negativ


Sollte verpolt werden, so spricht der Ployswitch an.
(kann natürlich auch durch eine entsprechende Sicherung ersetzt
werden.


HTH
Werner

[A.K. (Gast)]

Wobei man dann gleich eine Suppressor-Diode nehmen kann, weil die neben
Verpolung auch vor Überspannung schützt.

[Josef (Gast)]

so habe ich es gemacht


---------|----------
         |
Uin      |         Uout
         |G
------D FET  S-------

muß ein P-Kanal sein z.B IRF7404

[Arno H. (Gast)]

Ein N-Kanal Fet in der Plusleitung erfüllt den gleichen Zweck mit dem
Vorteil, dass die Masse nicht geschaltet werden muss.
Drain an Plus Eingang, Source ist Plus ausgang und das Gate an Masse.
Bei Spannungen unter 5V dürften auch LogikFet kritisch werden und über
15V sollte ein Überspannungsschutz realisiert werden.
Arno

[Josef (Gast)]

geht mit N-Kanal nicht, da FET's eine Reversediode haben.

[Benedikt (Gast)]

N Kanal in Masseleitung, Drain an Spannungsquelle, Source an
Spannungsquelle, Gate an +
Damit ist das Reversediodenproblem gelöst...

[Lanius (Gast)]

http://www.infineon.com/cmc_upload/documents/012/7168/Reverse_Batery_Protection.pdf

[Rooney (Gast)]

Danke für das PDF, genau sowas habe ich gesucht ;-)

[schäpers (Gast)]

Auf der suche bei google habe Ich dieses Threa gefunden.
Wegen älter aber egal. Weiß einer ob man in der Schaltung von W.
Harbrecht was hier vorgestellt ist die Diode benötigt? Wenn ja bitte
auch warum

[Bjoern M. (salival)]

ja, braucht man. im normalfall fliesst der strom durch den polyswitch
und deine schaltung, nicht aber durch die diode. im fehlerfall fliesst
er nur durch polyswitch und diode. diese bildet quasi einen kurzschluss
und laesst den polyswitch ausloesen.

gruss, bjoern.

[Unbekannter (Gast)]

Schaltplan:

http://www.mikrocontroller.net/attachment.php/325403/Verpolungsschutz.png

Thread:

   http://www.mikrocontroller.net/forum/read-1-325327.html#325403

[Unbekannter (Gast)]

Und:

   http://www.mikrocontroller.net/forum/read-1-325327.html#325539

   http://www.mikrocontroller.net/forum/read-1-325327.html#325546

   http://www.mikrocontroller.net/forum/read-1-325327.html#325572

[matthias (Gast)]

Hallo,

im Anhang ein PDF-Dokument wie man einen Verpolungsschutz realisieren
kann, auch mit MOSFETs, einen Schaltplan und für eine MOSFET-Schaltung
gibt noch Messergebnisse

gruß matthias