muss Strom von 40..100 mA bei 2,7V schalten können. Hallo Leute, der AVR schafft nur bis 20 mA als + Lieferant. Gibt es Mos die diesen Strom mit dieser Steuerspannung beherschen? Hab den Typ NDS332 benannt bekommen. Kurt
Hi, was spricht gegen ein Transitor o. Mosfet mit Basisvorwiderstand und Z-Diode (Z2,7V) in Sperrrichtung ? Gruß, Dirk
"was spricht gegen ein Transitor o. Mosfet mit Basisvorwiderstand und Z-Diode (Z2,7V) in Sperrrichtung ? " Das mit der Z-Diode versteh ich nicht. Dachte an Mos-Fet weil kein Spannungsverlust entsteht und leistungslos gesteuert . Nur ob es welche gibt, die bei 2,7V schon schalten weiss ich nicht. Kurt
>Dachte an Mos-Fet weil kein Spannungsverlust entsteht
Das ist ein großer Irrtum:
Bei einem MOSFET entsteht auch ein Spannunsgverlust, der direkt
proportional dem Strom ist und aufgrund des niedrigen
Einschaltwiderstands sehr klein ist.
Bei einem Transistor entsteht ein Spannungsverlust, der bei geringen
Strömen ähnlich niedrig liegen kann, als bei einem MOSFET.
Mit einem guten Transistor sind 100mV Spannunsgabfall bei einigen
Ampere kein Problem !
Bei hohen Spannungen/Strömen sind Transistoren daher besser als
MOSFETs, da ein Transistor meist ca. 1V Sättigungsspannung hat, während
bei einem MOSFET die Spannung wirklich nur von dessen
Einschaltwiderstand mal Strom abhängt.
Schau mal auf irgendein defektes Motherboard. Da findet sich immer ein Logiclevel Mosfet der auch mit 3.3V arbeitet. Der kann dann auch 10-20A schalten. Olaf
Danke @Benedikt, das mit dem R on beim FET ist mir schon klar. Der BC327 z.B. hat einen "Spannungsverlust" von > 200 mV bei einigen 100 mA. Wenn es welche gibt, die "nur" 100 mV oder weniger bei 100mA produzieren dann ist es klar dass ein PNP reinkommt. Kurt
> Bei hohen Spannungen/Strömen sind Transistoren > daher besser als MOSFETs Nur mal so am Rande: auch MOSFETs sind Transistoren.
@Jens Wenn alle hier im Forum statt Atmel AVR schreiben, dann schreibe auch ich statt Transistor bipolar Transistor...
BJT würde reichen, im übrigen hinkt dein Vergleich. Kannst ja mal drüber nachdenken :)
Bipolartransistoren haben prinzipbedingt immer eine Sättigungsspannung, so daß auch bei kleinen Lasten etwa 100..300mV abfallen. FETs sind dagegen fast ideale Widerstände, d.h. 10mV bei 1A (Ron = 10mOhm) sind überhaupt kein Problem, wenn man einen etwas stärkeren Typ nimmt. Peter
Hallo Peter genau das hab ich mir auch gedacht. Was mir fehlt, das ist zu wissen, ob es entsprechende "kleine" FETs gibt die bei 2,7V meine 100 mA auch sauber schalten. Kurt
Schau mal bei www.irf.com, die haben massenhaft und erhältlich sind sie bei Conrad zu recht humanen Preisen.
@Peter Dannegger Das war mal... Bsp: FMMT617 von Zetex: Bei 0,1A hat dieser 8mV Sättigungsspannung Bei 3A sind es 150mV. Das übertrifft viele MOSFETs, daher geben die im Datenblatt auch einen RDSon von etwa 50mOhm an.
Hi,
|
_ /
----|<|---|___|---|
\
|
Die Diode soll eine Zdiode 2,7V darstellen. Somit schaltet der
Transisotor erst bei >= 2,7V durch.
Zumindest hatte ich so deine Frage verstanden.
Gruß,
Dirk
Hallo @Dirk hab mich wohl etwas "spartanisch" ausgedrückt. Habe ein Bild angehängt. Der Schalter S1 soll durch einen El. Schalter ersetzt und vom AVR gesteuert werden. Kurt
Hallo, pnp-Transistor mit Emitter an Plus, Basis über Widerstand an µC und der Kollektor schaltet bei Low an der Basis den Strom ein. Arno
Hallo Arno, guten Morgen. Es geht darum, einen Schalter zu finden, der bei diesen Gegebenheiten "optimal" arbeitet. Möglichst wenig Spannungsabfall zwischen C und E (D und S) leicht steuerbar (wenn möglich mit Plus an Basis (Gate)) Der Schalter darf auch dann nicht schalten wenn der AVR im Schlafmodus ist (war). Oder einen Reset durchläuft. Dazu fällt mir gerade noch was ein. Der Kanalwiderstand eines FETs könnte in meiner Schaltung auch positive Wirkungen haben: Und zwar eine Strombegrenzende Wirkung beim Zuschalten des "Verbrauchers"(dieser hat sicherlich einen Elko und Cs zur Pufferung drinnen). Dadurch wird die Versorgungs-Batterie dann nicht so hart angeschaltet. Kurt
Für eine Strombegrenzung sind Transistoren besser: Hier man man eine m(mehr oder weniger) fest definierte Stromverstärkung. Versuchs einfach mal mit einem BC327, und schau ob der Spannungsabfall niedrig genug ist. Einen P Kanal MOSFET für 2,7V zu finden, ist nämlich nicht einfach. Noch schwerer ist es einen zu bekommen.
z.B. IRF7314: 0.098Ohm bei: -2.7V Vgs Id 1.5A SO-8, 0.45 bei R. Pullup zwischen G und S für definiertes Sperren bei Reset.
Hallo @Kupfer Michi, Danke. Wenn ich das Datenblatt richtig gelesen hab, dann macht der bei 1,5V Steuerspannung und 2.5V Betriebsspannung 1 Amp Last und es sind zwei drinnen. Kurt
Fig 1: bei Vgs -1.5V ereichst du die Id Stromsättigung von 1A ab ca.Vds-0.5V bei Vgs -2V und Vds -0.1V fliessen schon ca. 1A und du erreichst die Sättigung von 4A bei Vds -0.8V. Je grösser Vgs um so niedriger RdsOn und um so grösser der maximal erreichbare Sättigungsstrom (Pd max beachten). Also bei deinen 100mA und deiner Gate Steuerspannung von 2-2.5V vom AVR solltest du sicher einen Spannungsabfall von weit unter 0.1V am FET haben. >und es sind zwei drinnen. es gibt sicher noch viele andere aber das war der Beste/Billigste für diesen Zweck den ich auch bei R. gefunden habe.
@Kupfer Michi, leider sind entgegen der landläufigen Meinung (ich musste mich auch vor kurzem belehren lassen) die Sättigungsbereiche bei FET und BJT nicht das Gleiche. Der Sättigungsbereich des bipolaren Transistors entspricht dem linearen Bereich des FET und der aktive Bereich ist der Sättigungsbereich des FET. Aber bei den Daten würde ich auch einen FET vorziehen, obwohl in dem Bereich jedes Zehntel Volt, das an den 2,7V fehlt, die Übertragungseigenschaften verschlechtern dürfte.
Kurt, Du kannst Dir passende Transistoren auf den Hersteller-Seiten auch selbst aussuchen, schön nach Anwendungsfall sortiert: z.B. a.) http://www.semiconductors.philips.com/cgi-bin/catalog/catalog.pl/mms/219/282/27046/^30928 b.) http://ec.irf.com/v6/en/US/adirect/ir?cmd=catNavigateFrame c.) http://www.zetex.com/3.0/b1-4.asp
>leider sind entgegen der landläufigen Meinung (ich musste mich auch > vor kurzem belehren lassen) die Sättigungsbereiche bei FET und BJT >nicht das Gleiche. Der Sättigungsbereich des bipolaren Transistors >entspricht dem linearen Bereich des FET und der aktive Bereich ist >der Sättigungsbereich des FET. Ja, diese Bezeichnungen sind für mich auch immer wieder eine unerschöpfliche Quelle der Verwirrung. Ich bezog mich mit meinem "Sättigungsstrom" auf folgendes (Fig6, Page7): Saturation region: Constant current region. It is at the right side of VGS VGS(th) = VDS boundary line, and in this region, the drain current differs by the gateto-source voltage, not by the rain-to-source voltage. Here, the draincurrent is called saturated.
Das ist doch genau das, was ich auch gesagt habe: Ein durchgeschalteter MOSFET ist nicht gesättigt wie ein BJT, sondern im ohmschen (linearen Bereich). Sättigungsbetrieb bedeutet, dass der Drainstrom bei gegebener VGS mit einer Erhöhung von VDS nicht mehr steigt, sondern eine Sättigung des Drainstrom eingetreten ist (Im Bild als "active" bezeichnet). Arno
>Das ist doch genau das, was ich auch gesagt habe
:-)
ich habs doch nur nochmal wiederholt um sicher zu gehen dass ICH es
richtig verstanden habe.
Thread beobachten
Seitenaufteilung abschaltenBitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.