Guten Abend zusammen, es geht um meine Bachelorarbeit. In meiner Arbeit geht darum einen aktiven Empfangsdipol für den UHF-Bereich zu "bauen". Die Antenne habe ich bereits zusammen gebastelt(Faltdipol) und durchgemessen(s11-Parameter). Ich habe mir den Transistor BFU520W ausgesucht, da die Antenne rauscharm sein muss aber keine allzu große Verstärkung liefern muss. Alle Simulationen führe ich mit dem Programm QUCS durch. Die Simulation funktioniert wenn ich nur mit dem Transistorkristall simuliere einwandfrei. Sobald ich Transistorgehäuse miteinbeziehe, dann habe ich keine Verstärkung, sondern eine Abschwächung des Signals. Eine Beispielschaltung für ISM433 ist im Datenblatt angegeben, diese benutze vorerst auch. Hat jemand eine Idee warum die Simulation mit dem Transitorgehäuse nicht wie gewünscht funktioniert?
Hi, Die Kapazitäten der "Linken" Seite sind alle etwas gross geraten: pF. Rechte Seite: fF Mit den pF Werten links wird das kaum verstärken. Cheers!
Hallo Christopher, Hier mal deine Schaltung mit LTspice. Einfach alle Dateien nach C:\Test kopieren und dann den Schaltplan(.asc) mit LTspice öffnen. Zeig mal deinen Schaltplan den du in Qucs eingegeben hast. Vielleicht hast du ja etwas falsch abgezeichnet. Gruß Helmut
Viele Dank Helmut, Ich werden es gleichmal testen. Hast du die Ersatzschaltung für das Gehäuse miteinbezogen? Viele grüße Christopher
Selbstverständlich habe ich das Subcircuit Modell verwendet. Das ist doch in dem File .PRM drin. Es enthält die Zuleitungsinduktivitäten und die Kapazitäten. * Filename: BFU520W_GP_SPICE.PRM * BFU520W SPICE MODEL * NXP SEMICONDUCTORS version 1.0 * Date: November 2013 * * PACKAGE: SOT323 DIE MODEL: BFU520D * 1: COLLECTOR; 2: BASE; 3: EMITTER .SUBCKT BFU520W 1 2 3 Q1 6 5 7 7 BFU520D * SOT23 parasitic model Lc_wire 9 6 360p Lb_wire 4 5 800p Le_wire 7 8 950p Lc_lead 1 9 90p Lb_lead 2 4 0.001p Le_lead 3 8 0.001p Ccb 4 9 65f Cbasepad 5 6 215f Cbe 4 8 45f Cce 8 9 45f Cemitterpad 6 7 235f * .MODEL BFU520D NPN +IS 71.49E-18 +BF 133.81 +NF 1.00 +VAF 183.69 +IKF 252.72E-3 +ISE 89.40E-15 +NE 2.50 +BR 512.49E-3 +NR 1.00 +VAR 2.40 +IKR 31.59E-3 +ISC 71.49E-18 +NC 1.10 +RB 1.17 +IRB 26.78E-3 +RBM 0.67 +RE 0.59 +RC 0.89 *+IMAX 2.00 +CJE 506.04E-15 +VJE 950.00E-3 +MJE 335.33E-3 +CJC 74.16E-15 +VJC 720.00E-3 +MJC 318.44E-3 +XCJC 0.50 +FC 850.00E-3 +TF 10.04E-12 +XTF 10.00 +VTF 1.00 +ITF 42.55E-3 +PTF 0.00 +TR 0.00 +KF 109.67e-12 +AF 2.00 .ENDS
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So nochmals vielen Dank Helmut, es scheint zu funktionieren aber ich muss mich jetzt mal näher mit LTspiece beschäftigen. Grüße, Christopher
Um das Subcircuit eines Transistors zu verwenden benötigt man ein Subcircuit-Symbol. Dazu das normale Transistorsymbol "npn" in den Schaltplan einfügen. Dann den Kursor auf das Transistorsymbol legen. Ctrl halten und die rechte Maustaste klicken. Damit kommt ein Dialogfenster. Prefix:Q ändern zu Prefix:X Durch das X ist das jetzt ein Symbol für ein Subcircuit.
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