Hallo, kann mir jemand erklären was es mit der CE-Sättigungspannung auf sich hat, diese soll ja möglichst gering sein, was passiert wenn die etwas höher ist tut sie die CE-Spannung um diesen Wert verringern so das man dann eine höhere Verlustleistung hat die abgeführt werden muss?
Thomas, Überlege mal. Durch den Transistor fließt Strom. Am Transistor fällt die UCE ab. Die vom Transistor aufzunehmende Leistung beträgt also P = IE * UCE. Reiner
Danke hätte nie gedacht das da soviel abfällt da lohnt es sich ja wirklich bei manchen Dingen aufs Relais zurückzugreifen wenn es auf jedes Vollt ankommt. Steht RDSon im direkten Zusammenhang damit, also das wenn die Belastung höher ist auch mehr Spannung abfällt oder ist die Sättigungspannung immer gleich unabhängig von der Belastung?
> Danke hätte nie gedacht das da soviel abfällt Aha ... wieviel denn? Die VCEsat hängt in erster Linie ab vom Transistor, außerdem von Kollektorstrom, Basisstrom ... von 10mV bis 2V ist alles drin. > da lohnt es sich ja wirklich bei manchen Dingen aufs > Relais zurückzugreifen wenn es auf jedes Vollt ankommt. Ein Relais hat auch einen Kontaktwiderstand, der sich im Laufe der Zeit auch noch verschlechtert. Außerdem prellen die Kontakte und die Schaltgeschwindigkeit ist extrem langsam. > Steht RDSon im direkten Zusammenhang damit ? RDSon gibts bei FETs (Drain-Source Widerstand im Durchgeschalteten Zustand).
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