Hallo! spiele mich jetzt schon länger mit einem längsregler und komme einfach nicht auf ein brauchbares ergebnis verwendet wird der IRF9640 (12 stk. parallel) p-channel kann es sein daß dieser FET für einen Längsregler nicht geeignet ist? und ich deshalb keine saubere längsregelung hinbekomme? welchen FET würdet ihr mir ans herz legen? ich will 60V und 50A längsregeln mittlerweile habe ich das konzept geändert daß auch N-channel verwendet werden können, aber bitte auch p-channel typen vorschlagen ach ja: die derzeitigen FET's sind so wie sie sind ohne ausgleichswiderstände parallel geschalten könnte das ev. der fehler sein mir fehlt es leider derzeit an geeigneten drainwiderständen oder anderen FET-typen um diese fehler auszuschliessen vielen vielen dank! thomas
Hallo Thomas ich mutmasse mal, dass es eher an der Schaltung als an den Transistoren liegt. Poste mal deine Schaltung Gerhard
Danke fürs drüberschauen!! der istwert kommt von einem spannungsteiler mit verstärker(LF 351) sollwert kommt von einem 10 bit D/A ist 0V am OPV = volle aussteuerung der IRF's =1A über hilfstransistor -12V am OPV = IRF's total gesperrt =0,5A über hilfstransistor 1A =4,7V Ugs 0,5A =2,3V Ugs die OPV-Spannung ist linear proportional zu Ugs (13 messpunkte aufgenommen) vielen Dank thomas
> ach ja: die derzeitigen FET's sind so wie sie sind ohne > ausgleichswiderstände parallel geschalten > könnte das ev. der fehler sein ROFL ... ja. augenverdreh Aber wer schon einen p-FET als PNP malt ...
welche werte sollten diese ausgleichswiderstände haben? sonst noch verbesserungsvorschläge? sind diese OPV's überhaupt für so etwas geeignet? hättet ihr die sache anders angepackt?
Hallo also sogenau hast Du noch gar nicht gesagt, was dein Problem ist - was ist ein "nicht brauchbares Ergebnis" ? Zu der Frage zu den OP's: Grundsätzlich sehe ich da kein Problem. Das Problem ist zumeist eher schaltungstechnischer Natur. das heisst z.B. könnten zu viele Bauteiel in der Rückführung beteiligt sein, wordurch das Signal zu langsam ist. Dann fängt das System zu schwingen an. Der Optokoppler zum Beispiel könnte dafür verantwortlich sein. Gerhard.
hallo! Rds-on der transistoren ist 0,5 ohm wie groß sollten dann die ausgleichs-R sein? auch ca. 0,5 ohm? gößer? ich bekomme ein ausgangssignal welches um +-3V variiert (kein sinus eher kraut und rüben-signal) danke thomas
Rds-on der transistoren ist 0,5 ohm Der RDs_on IST bereits dein "Ausgleichswiderstand" Der MOSFET hat - entgegen dem Bipolartransistor- einen positiven Temperaturkoeffizienten. Je wärmer der wird, um so größer wird sein Widerstand. Hast Du schonmal darüber nachgedacht, wofür solche "Ausgleichswiderstände" bei Bipolartransistoren gut sind, ich mein, was die Dinger GENAU bewirken? Wenn ein Bipolartransitor warm/heiß wird, steigt der Strom an, der durch in hindurch fließt. damit steigt auch der Strom im "Ausgleichswiderstand". dadurch fällt in diesem mehr Spannung ab. die Basis-Emitterspannung sinkt und der jeweilige Transistor steuert nicht mehr so viel durch. Da das der MOSFEt von Hause aus macht, kannst Du Dir den "Ausgleichswiderstand" sparen. Du solltest statt dessen jedem MOSFET einen eigenen Kühlkörper spendieren, um sie wärmetechnisch zu entkoppeln. Zur Schaltung kann ich nichts sagen, leider. Wofür brauchsten 50A@60V? (Neugier) VlG AxelR.
Hallo das mit dem kühlkörper kanns leider auch nicht sein da das problem auch schon im leerlauf auftritt ? es sind 3* 4 stk. transistoren auf fetten alublöcken die dann via kaptonfolie auf großen KK montiert sind betreibe ich nur 1 stk. KK sprich 4 transistoren habe ich das gleich schlechte ergebnis regle ich das ganze ohne OPV-Regelung d.h. Spannungsquelle direkt an Gate der FET bekomme ich übrigens ein wunderschönes signal die 60V / 50A sind für div. versuchsaufbauten gedacht, motorsteuerungen etc. die 50A werden nicht bei 60V geliefert die trefowicklungen werden nach bedürfnis von einem mega8 in serie/parallel geschalten um die verlustleistung möglichst niedrig zu halten zum einsatz kommen industrierelais die den strom vertragen
> Der MOSFET hat - entgegen dem Bipolartransistor- einen > positiven Temperaturkoeffizienten. Je wärmer der wird, > um so größer wird sein Widerstand. Sagmal gehts noch? Du hast aber nicht ET studiert, oder? Sonst wüßtest Du, daß das nur im Sättigungsbereich gilt. Mach das im Linearbetrieb, und die MOSFETS werden Dir vor Freude ins Gesicht springen. Einzige Ausnahme: lateral MOSFETs. Da gabs mal ein paar von Hitachi für Verstärkeranwendungen. Echt übel, was hier für gefährliches Halbwissen verbreitet wird.
Hallo! danke für eure antworten aber wie groß soll ich nun meine widerstände machen? wie gesagt Rds-on = 0R5 reichen dann widerstände von je 0,5R oder was emphehlt ihr? mfg thomas
Hallo Horst-Otto und Axel! Erstmal vielen Dank für Eure fachlich echt wertvollen Beiträge! Trotzdem würde ich euch bitten nicht gleich persönlich zu werden ;) Sowohl das Problem mit dem positiven TK, wie auch das Verhalten im Sättigungsbereich ist ein Bereich der Materie, der wirklich nur von Spezialisten bis ins Detail verstanden wird. Ich zB habe zwar vor 15 Jahren ET studiert, wußte das aber auch nicht mehr so genau. Über die Theorie wird allerdings leider auch oft die Materialstreuung vergessen. Ein Rdson von 0,5Ohm bedeutet eben nur einen Richtwert, sodaß der eine MOSFET 0.3 haben kann, der andere 0.55. Dh unter Volllast (iiih 3l ^^) zieht der eine fast den doppelten Strom ... Da hilft auch die beste Selbstregelung über den positiven TK nichts mehr... In der Praxis nimmt man eben spezielle intern massiv parallelisierte Power MOSFETS, die locker mal 150A vertragen. Als Tip zur Fehlersuche: Nimm mal alle FETs bis auf einen raus und schau ob die Schaltung dann funktioniert.
Hast Du die Schaltung nur als Grünstiftskizze vorliegen? Du müsstest dich entscheiden, ob Du nun N-KANAL als Sourcefolger mit einer Verstärkung <1 verwendest, oder P-KANAL in Sourceschaltung mit einer sehr hohen Verstärkung. Was nützt es dir, wenn die U_gs proportional zur OPV Spannung ist. Das ist schön, wenn du einen Spannungsfolger als Leistungsteil hast (N-KANAL, Source Richtung Last). Das würde auch heissen, das Du es geschafft hast, die Nichtlinearität des Optokopplers zu eliminieren, erstmal Glückwunsch. Bei P-KANAL MOSFETs greift dessen Spannungsverstärkung aktiv in die Reglecharakteristik mit ein - die Ausgangsspannung des OPVs wird in diesem Fall sicher nicht linear zu U_gs sein. Der MOSFET wird nicht mit Strom gesteuert, sondern nur mit dem elektrischen Feld (Potenzialunterschied) zwischen Gate und Source. Wenn Du da einige 100mA durch den Treibertransistor fließen lässt, ändern sich dessen Parameter durch Erwärmung etc. Das muss dann alles mit ausgeregelt werden. Ja mal im Ernst: poste mal die komplette Schaltung ohne "X"se an den verschiedenen Punkten im "Plan". Wozu dient der Optokoppler? Gruß Axel
anfaenger: Vergiß den blöden RDSon. Das ist nur der Widerstand des MOSFETs im durchgeschalteten Zustand. Du betreibst ihn aber im Linearbereich! Ich würde 0,1Ohm Sourcewiderstände nehmen. mark struberg: Wo kommt hier der RDSon ins Spiel? Nochmal zum mitschreiben: LINEARBETRIEB. NIX SÄTTIGUNG. Das Problem hier ist der VGSth Temperaturkoeffizient und die hohe Gm der MOSFETs, was dazu führt daß ein MOSFET den gesamten Strom an sich reißt. Das sind elementare Grundlagen. Wer das nicht kapiert sollte eben besser keine MOSFET-Schaltungen entwerfen.
Hallo! da ich die transformatorwicklungen wie gesagt nach wunsch seriell bzw. parallel schalte hätte ich ohne optokoppler und hilfsspannung (7,6V) verschiedene Spannungen an dem hilfstransistor demnach auch gewaltige verluste würde ich 1A über z.b. 40 ziehen ich hoffe ihr könnt das mit dieser beschreibung nachvollziehen schaltung folgt erst am montag habe ich jetzt nicht da die 1A habe ich nur so groß gewählt da ich mit zuvor verwendeten 40mA auch schon diese schlechten Werte hatte und dachte die hohen Ladezeiten um die 12 Gatekondensatoren zu laden wären zu groß danke thomas
@Horst-Otto: Bevor man andere mitschreiben lässt, sollte man wissen, was man diktiert. Gemäß: http://www.irf.com/technical-info/appnotes/mosfet.pdf ,Abb 6, sowie aller anderen mir zur Verfügung stehenden Literatur ist der Linearbereich eines MOSFET da, wo beim BJT von der Sättigung gesprochen wird (ID nur abhängig von RDSON). Der Sättigungsbereich des MOSFET befindet sich oberhalb der Abschnürspannung, wo trotz Erhöhung von VDS bei VGS als Parameter keine Drainstromerhöhung mehr stattfindet. Gefällt mir zwar auch nicht, weil es nur verwirrt, ist aber leider so festgeschrieben. Back to Topic: Die Ansteuerung eines BU406 durch einen Optokoppler ist auch eine interessante Schaltungsvariante. Arno
hallo leute! hab jetzt etliches versucht: nur 1 stk. fet statt 12 stk.: keine verbesserung! toll hab ich mir gedacht, da muß doch was schwingen also nach der reihe alles vereinfacht bis ich auf folgende schaltung versuchsweise minimiert habe: anhang irf9640 an 15V opv uA741 bzw. LF351 zum regeln mit ausgang direkt an gate! istwert von einem spannungsteiler sollwert von einer externen spannungsquelle, sonst keine bauteile! ident furchtbares ergebnis!: die ausgangsspannung des OPV pendelt zwischen 8V und 12V! ausgang des FET zwischen 4V und 15V! eine regelungsperiode dauert 20µs das kanns doch nicht sein! klar der opv kann nur 20mA: also Gatekapazität durch externen Kondensator erhöht um zu schauen ob sich dies auf die regelperiodendauer auswirkt?: nicht merklich! dieser FET ist also meiner meinung nach nicht für irgendwelche längsregler geeignet, oder was meint ihr? gleicher versuch mit einem anderen FET: IRFP460 n-channel FET schaltung an n-channel angepasst (+ und - am opv vertauscht) opv ausgang wieder direkt an gate wunderschönes ergebnis!! mit meinem "mülloszi" sind keine spannungsschwankungen am ausgang des FET erkennbar! -> dynamik getestet: sollwert von einem FG! sinus 20khz -> wunderschönes ergebnis! also werd ich meine FET's irf9640 für dieses projekt nicht verwenden! kann mir jemand FET-typen ans herz legen die für mein vorhaben geeignet sind? 60V, 50A längsregeln! vielen dank im vorhinein! thomas
natürlich braucht der gesuchte FET nicht 60V und gleichzeitig 50A vertragen ich möchte (4) 8 stk. (12)parallel schalten ich habe mir jetzt etliche datenblätter durchgesehen aber es steht nur immer dabei daß dieser oder jener FET für schnelles schalten geeignet ist, ich finde keinen typen der schon im datenblatt stehen hat daß er für power amplifikation geeignet ist kennt denn keiner einen typen der für mich geeignet ist? danke
hallo forum, ich habe mich gerade etwas mehr eingelesen und ev. sind ja normale nicht-Fet-Transistoren ja besser geeignet? danke thomas
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