Hallo, ich habe in meiner Bastelkiste noch etlich BF494, die ich seinerzeit mal für eine im Elektor veröffentlichte Schaltung gekauft hatte. Die möchte ich nun verwenden und vorher aber die Schaltung simulieren. Aber... leider habe ich kein SPICE Modell für den BF494. Und ja, ich habe gelesen, dass es dieses Modell bei der Yahoo LTSpice Gruppe gibt. Aber nur für dieses eine Spice Modell möchte ich eigentlich kein Yahoo-Konto eröffnen. Vielleicht ist trotzdem jemand so lieb, sofern er dieses Modell hat, mir das zu schicken. Meine Email-Adresse ist rschmidt-at-kansaigaidai.ac.jp (Ich arbeite zur Zeit in Japan.) Viele Grüße Rüdiger
Bei HF ist es sowieso nicht mehr trivial, weil ja oft erst der Aufbau entscheidet, ob ein "Verstärker" wirklich nur ein Verstärker bleibt bzw. der Oszillator überhaupt schwingt. Für die erste Simulation kann man sicher irgendeinen HF-Transistor nehmen, je nach Anwendung womöglich sogar einen einfachen BC 107, der je nach Arbeitspunkt auch über 100 MHz "kann". Für einen klassischen HF-Transistor findet man immer etwas, z.B. unter: http://www.centralsemi.com/product/partpage2.php?part=BFY90
Elektrofan schrieb: > Bei HF ist es sowieso nicht mehr trivial, weil ja oft erst der > Aufbau entscheidet, ob ein "Verstärker" wirklich nur ein Verstärker bleibt bzw. > der Oszillator überhaupt schwingt. Aber nicht beim BF494, den würde heute niemanden mehr ernsthaft als HF-Transistor bezeichnen. Er ist im TO92 Gehäuse mit 250 MHz Transisfrequenz, da kann man auch das Model eines BF199 nehmen. Nur bei Transtoren mit Transitfrequenzen im GHz Bereich sollte man statt des puren Models auch den Subcircuit des Gehäuses für die Simulation berücksichtigen.
Rüdiger schrieb: > Vielleicht ist trotzdem jemand so lieb, sofern er dieses Modell hat, mir > das zu schicken. Meine Email-Adresse ist rschmidt-at-kansaigaidai.ac.jp Nöö, aber hier hochladen kann ich es.
Hallo, ich bin es nochmal. Zunächst möchte ich allen, die sich meiner Sache angenommen und sich hier geäußert haben, danken. Jetzt habe ich zwei Modelle, deren Parameter in weiten Teilen gleiche oder relativ nahe Werte aufweisen, in anderen aber sich stark unterscheiden. So hat z.B. der Parameter CJE (control emitter capacitance) einmal den Wert 2p (gleichzeitig SPICE default Wert), im anderen Modell den Wert 182.4p ...(?) Wie es scheint, kann man so einem Modell nicht einfach blauäugig vertrauen und Simulationsergebnisse für bare Münze nehmen. Zum Schluss muss man doch an einem Versuchsaufbau die simulierten Ergebnisse durch Meßdaten überprüfen... ;-) Rüdiger
Wenn ich da einen Vorschlag machen darf: Such nicht nach einem Modell-File sondern nach dem Datenblatt. Möglichst genau von dem Hersteller und aus der Zeit. Falls Du Hersteller und Jahr hier nennst, guckt man hier auch gerne mal im Bücherregal oder auf der Festplatte. Ich habe noch Datenbücher bis zurück in die 70er hier. Die Daten aus dem Datenblatt dann in ein Modell einzutragen ist allenfalls eine Fleißarbeit aber keine Hexerei.
Rüdiger schrieb: > Wie es scheint, kann man so einem Modell nicht einfach blauäugig > vertrauen Dem Modell schon, nur den Parametern nicht. Man kann verschiedene Schaltungen im Simulator bauen und die Ergebnisse auf Plausibilität überprüfen. Wenn eine Kapazität um den Faktor 100 zu groß ist, dann hat das merkliche Auswirkungen. Aber man darf die Parameter auch nicht isoliert betrachten. IdR ergibt erst das Zusammenwirken verschiedener Parameter eine bestimmte Eigenschaft des Transistors. In "Parts" (PSpice-Komponente zum Ermitteln, Editieren und Visualisieren von Modellparametern) kann man schön sehen, dass z.B. in die Stromverstärkung oder die Transitfrequenz etwa je 5 Parameter eingehen, die sowohl die Höhe als auch den Verlauf über Strom und Spannung bestimmen.
Rüdiger schrieb: > Wie es scheint, kann man so einem Modell nicht einfach blauäugig > vertrauen und Simulationsergebnisse für bare Münze nehmen. Auf einen Nenner gebracht gilt generell bei Simulationen: Shit in - Shit out! Wie schon erwähnt, wird man in diesem Falle bei einem frühen HF-Transistor von Ende der 60er Jahre des letzten Jahrtausends auch in der Simulation keine nennenswerten Unterschiede im Simulationsergebnis feststellen. Weitaus gravierender als die Abweichungen im Simulations-Modell sind wohl die unterschiedlichen realen Parameter von unterschiedlichen Herstellern über den Lauf der Zeit. Man darf nicht glauben, ein heutiger BF494 aus aktueller Produktion hätte noch viel mit dem vor über 40 Jahren im Valvo Datenblatt verewigten Typen zu tun. Die Fertigungsprozesse sind weit fortgeschritten und verbessert. Bei den Halbleiterfirmen ist es daher üblich die Transistor-Dies nach Stichprobenprüfung auf dem Wafer als unterschiedliche Typen zu stempeln und zu vermarkten. Da wird der gleiche Die schon mal als BF224, BF238, BF240, BF494, BF594, BF199 oder sonstwie gestempelt in den Handel kommen. Die Datenblattangaben dieser alten Allerwelts HF-Typen sind dabei minimal zugesicherte Eigenschaften zu sehen und werden meist übertroffen.
> Nur bei Transtoren mit Transitfrequenzen im GHz Bereich sollte man statt > des puren Models auch den Subcircuit des Gehäuses für die Simulation > berücksichtigen. Ich meinte nicht das Subcircuit des Gehäuses, sondern den gesamten äusseren Aufbau. Von vor 40 Jahren baute ich meinen heute noch im Einsatz befindlichen Verstärker. Das Ding produzierte anfangs wilde Schwingungen auf UKW, ich bekam lange nicht heraus, woran das lag. (Im Tietze-Schenk stand da etwas drin, den kannte ich damals nur noch nicht.) Ein "unkritischer" Emitterfolger war's, dessen BC 239 C war sehr "schwingfreudig" ...
> der Parameter CJE einmal den Wert 2p > im anderen Modell den Wert 182.4p Der Wert 182pF kann nicht sein, viele NF-Transistoren haben Werte in der Größenordnung von 20pF. Für einen HF-Transistor sind 2pF oder kleiner typische Werte.
Elektrofan schrieb: >> Nur bei Transtoren mit Transitfrequenzen im GHz Bereich sollte man statt >> des puren Models auch den Subcircuit des Gehäuses für die Simulation >> berücksichtigen. > > Ich meinte nicht das Subcircuit des Gehäuses, sondern den gesamten > äusseren Aufbau. Subcircuit nennt man in LT-Spice das Simulationsmodell das den Transistor-Chip zusammen mit den Parametern des Gehäuses berücksichtigt. Beim BF494 in TO-92 mit gerade mal 250 MHz der gleichen Transitfrequenz wie ein Feld-Wald-und Wiesen BC548 ist das aber weniger relevant. Was du allerdings unter "äußerem Aufbau" das Schaltungsdesign und das dazugehörige Layout verstehst, dann wird die Zahl der unbekannten Parameter so groß, dass man sie schwerlich in einer Simulation berücksichtigen kann.
B e r n d W. schrieb: > Der Wert 182pF kann nicht sein Ja, denke ich auch. Das Modell ist aus TINA-TI. In einer Testsimulation ist der Transistor auch unverhältnismäßig langsam (~Faktor 8 gegenüber BF959).
Ich kenne nur diese Modell, und das ist schlüssig: .MODEL BF494 npn(IS=3.0731e-10 BF=140 BR = 1 CJE = 2p CJC = 2p VJE = 0.75 VJC = 0.75 TF = 5.174e-10 TR = 1e-08 MJE = 0.33 MJC = 0.33 VA = 100 IKF = 0.01 VAR = 100 IKR = 0.01 XTF = 10 VTF = 10 ITF = 1 PTF = 0 XTB = 0 EG = 1.11 XTI = 3 FC = 0.5) Das gleiche Modell gilt für BF194, BF195, BF495
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Beide Modelle haben Macken. Bei einem ist Cje viel zu hoch und bei dem anderen fehlt der Basisbahnwiderstand Rb.
Helmut S. schrieb: > Beide Modelle haben Macken. > Bei einem ist Cje viel zu hoch und bei dem anderen fehlt der > Basisbahnwiderstand Rb. Stimmt! Insbesondere das um den Faktor 100 falsche CJE hat drastische Auswirkungen. Der fehlende RB macht etwa 2dB Verstärkungsfehler aus in dieser Schaltung. Man kann ja RB=10 im Modell nachtragen.
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