Hallo Mikrocontroller.net Community, mich beschäftigt seit längerer Zeit die Frage, warum EEPROM mehr Schreib- und Löschzyklen "überlebt" als ein EEPROM Flash. Auch nach ausführlicher Recherche hier im Forum, sowie mit Google kam ich auf keine zufriedenstellende Lösung. Gibt es beim Aufbau der Speicherzellen Unterschiede? Bisher fand ich nur den gleichen Aufbau zwischen EEPROM und Flash (abgesehen von der äußeren Beschaltung). Auch bei der Anzahl der Schreib- und Löschzyklen unterscheiden sich einige Quellen. Hier sind vor allem die Zahlen von einem Skript der FH Augsburg unterschiedlich. [1][2][3] Ist der Grund der unterschiedlichen Schreib- und Löschzyklen das HCI beim Schreiben vom Flash? [4] Oder wird diese durch redundante Speicherzellen erreicht? [4] Oder durch die Strukturgröße? [5] Mir bekannte Unterschiede sind: EEPROM Byteweise lösch- und beschreibbar[1][3]. (Bei manchen Mikrocontrollern auch mehrere Bytes[2]) Löschen und schreiben durch Fowler-Nordheim-Tunneln. [4] Flash Blockweise lösch- und beschreibbar[1][3] Löschen durch Fowler-Nordheim-Tunneln und schreiben durch Injektion heißer Ladungsträger (HCI). [4] Ich bitte um Antworten mit ausreichend Belegen. Gruß Tobias [1] http://www.hs-augsburg.de/~bayer/Vorlesungen/mct_download/3SpeicherSS2002.pdf S. 10 ff. [2] http://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/datasheet/43/12/db/4c/8b/08/4a/73/CD00240181.pdf/files/CD00240181.pdf/jcr:content/translations/en.CD00240181.pdf S 88 f. Fußnote 3. [3] http://www.mikrocontroller.net/articles/Speicher [4] https://de.wikipedia.org/wiki/Electrically_Erasable_Programmable_Read-Only_Memory [5] https://de.wikipedia.org/wiki/Flash-Speicher
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Das wurde vor ein paar Wochen hier sehr ausgiebig diskutiert. Beitrag "AVR – Übers EEPROM und darüber hinaus…" > Ich bitte um Antworten mit ausreichend Belegen. Deine Hausaufgaben machst du aber bitte selbst. Oder bezahle jemanden dafür angemessen.
Stefan U. schrieb: > Das wurde vor ein paar Wochen hier sehr ausgiebig diskutiert. > Beitrag "AVR – Übers EEPROM und darüber hinaus…" Der Foreneintrag ist mir bekannt. Es wurde viel über die physikalische Gegebenheit des Löschens diskutiert. Ob nun byteweise oder blockweise... Soweit ich aber herauslesen konnte wurde mein Thema nicht erwähnt. Warum hat EEPROM mehr Schreib- und Löschzyklen? Falls ich mich irre nehme ich alles zurück. Stefan U. schrieb: >> Ich bitte um Antworten mit ausreichend Belegen. > > Deine Hausaufgaben machst du aber bitte selbst. Oder bezahle jemanden > dafür angemessen. Genau wegen solchen Aussagen arten Forenbeiträge gerne schnell aus. Wissen ist für mich belegbare wahre Aussagen treffen zu können und nicht die Fantasiewelt einzelner. Gruß Tobias
> Warum hat EEPROM mehr Schreib- und Löschzyklen? Weil sie anders aufgebaut sind. Wie anders, kommt auf den konkreten Chip an. So pauschal, wie du gefragt hast kann man das sicher nicht beantworten. Es gibt heute Flash Speicher, die man sehr viel häufiger beschreiben kann, als manches (altes) EEPROM. Quelle: Meine praktische Erfahrung aus den vergangenen 25 Jahren. >> Deine Hausaufgaben machst du aber bitte selbst. > Genau wegen solchen Aussagen arten Forenbeiträge gerne schnell aus. Ist das denn eine Hausaufgabe? Ich frage, weil du dann besser selbst recherchieren solltest. Wir sind hier, um zu diskutieren, nicht um für dich Recherche-Aufgaben zu übernehmen. Kollektiv wissen wir eine ganze Menge, aber wir können Dir wohl kaum Quellangaben aus dem Stegreif nennen. Ich kann mir jedenfalls keine ISBN Nummern samt Seitenangabe auswendig merken. Ich kann mich nur daran erinnern, das ein oder andere mal gelernt oder gelesen zu haben. Manches weiß ich auch aus der Praxis. > Wissen ist für mich ... nicht die Fantasiewelt einzelner. Dann bist du hier sowieso ganz falsch. Versuche es mal an einer Universität.
Stefan U. schrieb: > Weil sie anders aufgebaut sind. Wie anders, kommt auf den konkreten Chip > an. So pauschal, wie du gefragt hast kann man das sicher nicht > beantworten. Das ist mein Problem. Alle mir zu Gesicht gekommenen Darstellungen einer EEPROM oder Flash Speicherzelle sind gleich. Alle haben einen MISFET mit Floating Gate usw.. Stefan U. schrieb: > Es gibt heute Flash Speicher, die man sehr viel häufiger beschreiben > kann, als manches (altes) EEPROM. Das wird dann wahrscheinlich die verschiedenen Zahlen der Quellen beantworten. Stefan U. schrieb: > Quelle: Meine praktische Erfahrung aus den vergangenen 25 Jahren. > >>> Deine Hausaufgaben machst du aber bitte selbst. >> Genau wegen solchen Aussagen arten Forenbeiträge gerne schnell aus. > > Ist das denn eine Hausaufgabe? > > Ich frage, weil du dann besser selbst recherchieren solltest. Wir sind > hier, um zu diskutieren, nicht um für dich Recherche-Aufgaben zu > übernehmen. Kollektiv wissen wir eine ganze Menge, aber wir können Dir > wohl kaum Quellangaben aus dem Stegreif nennen. Ich kann mir jedenfalls > keine ISBN Nummern samt Seitenangabe auswendig merken. Ich kann mich nur > daran erinnern, das ein oder andere mal gelernt oder gelesen zu haben. > Manches weiß ich auch aus der Praxis. Nein das ist keine Hausaufgabe. Die Frage ist mir bei der Suche der Unterschiede zwischen EEPROM und Flash gekommen. Ich hab ein Projekt (Hobby nicht beruflich) in dem ich ein Zahlenwert in einen persistenten Speicher schreiben muss. Ich verlange keine ISBN Nummern oder ähnliches. Für mich ist es ausreichend zu sagen woher man diese Information hat. Falls dann zwischen zwei Leuten die Meinungen unterscheiden ist der mit dem Literaturnachweis natürlich im Vorteil. Erfahrung ist gut und schließt Wissen nicht aus. Solange die Aussage von dir aus durch eine gute Erklärung belegt wird... Stefan U. schrieb: >> Wissen ist für mich ... nicht die Fantasiewelt einzelner. > > Dann bist du hier sowieso ganz falsch. Versuche es mal an einer > Universität. Das glaube ich nicht. In dem oben genannten Thread wurde ja auch nach Beweisen gesucht die die Aussagen mancher belegen sollten. Also warum nicht gleich einen Link hinterlegen?. So spart man sich doch Zeit und Nerven. Gruß Tobias Ps: Auch eine gute Methode den Thread für den TO nicht mehr zugänglich zu machen ist ihn in den Offtopic Bereich zu ziehen. Für mich etwas unverständlich, da das Themengebiet doch eigentlich zu Mikrocontroller und Digitale Elektronik gehört? Naja ich bin der Tobias aus den vorherigen Posts.
Naja Flash ist eigentlich ja nur eine Untersumme von EEPROM und nicht wirklich genau spezifiziert, ein etwas schwammiger Marketingbegriff. Wie du wahrscheinlich weißt wird die Oxidschicht bei jedem Schreibvorgang beschädigt, was dann irgendwann zum Versagen einer Speicherzelle führen kann. Durch Wahl der Oxidschichtdicke kann man die Lebensdauer erhöhen, jedoch nimmt auch auch die Zugriffsgeschwindigkeit ab und der benötigte Platz pro Zelle nimmt zu. Wie so oft ein Tradeoff: https://people.eecs.berkeley.edu/~tking/theses/mshe.pdf http://ecee.colorado.edu/~mcclurel/man537.pdf Tip: Auf Englisch suchen, die Fachwelt ended halt nicht in Deutschland ;-)
> Ich hab ein Projekt (Hobby nicht beruflich) in dem ich ein > Zahlenwert in einen persistenten Speicher schreiben muss. Dann halte dich einfach an die Angaben aus dem Datenblatt des konkreten Chips. Mit einem Wear-Levelling Algorithmus wird es zudem ziemlich egal, ob die die einzelnen Zellen 10.000 mal oder 100.000 mal beschreiben darfst, da du die Belastung einfach auf viele Zellen verteilst. > Auch eine gute Methode den Thread für den TO nicht mehr zugänglich > zu machen ist ihn in den Offtopic Bereich zu ziehen. Angemeldete User haben das Problem nicht, da es für sie eine Liste der "Threads mit meinen Beiträgen" gibt.
Tobias K. schrieb: > Das ist mein Problem. Alle mir zu Gesicht gekommenen Darstellungen einer > EEPROM oder Flash Speicherzelle sind gleich. Alle haben einen MISFET mit > Floating Gate usw.. Transistoren haben auch alle die gleiche Struktur. Zwei n-dotierte Halbleiterschichten und eine p-dotierte dazwischen, oder umgekehrt. Trotzdem gibt es da sehr unterschiedliche Bauteile für sehr unterschiedliche Anwendungsbereiche. Die speziellen Eigenschaften werden über die Geometrie und die Prozessparameter eingestellt. Das Gleiche gilt für EEPROM und Flash(tm)ROM. Sollen die Zellen schnell sein oder langlebig? Einzeln löschbar oder nur als Page? Haben wir einen exklusiven Prozess oder müssen wir den nehmen, mit dem das Rechenwerk hergestellt wurde? Entsprechend werden Geometrie und Prozessparameter gewählt, und das ergibt die im Datenblatt genannten Eigenschaften.
ddd d. schrieb: >... Vielen Dank. Die Erklärung und die Dokumente haben mir sehr viel gebracht. Genau das habe ich gesucht. :-) Stefan U. schrieb: >> Ich hab ein Projekt (Hobby nicht beruflich) in dem ich ein >> Zahlenwert in einen persistenten Speicher schreiben muss. > > Dann halte dich einfach an die Angaben aus dem Datenblatt des konkreten > Chips. Mit einem Wear-Levelling Algorithmus wird es zudem ziemlich egal, > ob die die einzelnen Zellen 10.000 mal oder 100.000 mal beschreiben > darfst, da du die Belastung einfach auf viele Zellen verteilst. Jop ist bereits alles programmiert mit eigener Speicherverwaltung, Redundanz, Fehlerbehandlung usw.. soul e. schrieb: >> Das ist mein Problem. Alle mir zu Gesicht gekommenen Darstellungen einer >> EEPROM oder Flash Speicherzelle sind gleich. Alle haben einen MISFET mit >> Floating Gate usw.. > > Transistoren haben auch alle die gleiche Struktur. Zwei n-dotierte > Halbleiterschichten und eine p-dotierte dazwischen, oder umgekehrt. > Trotzdem gibt es da sehr unterschiedliche Bauteile für sehr > unterschiedliche Anwendungsbereiche. Die speziellen Eigenschaften werden > über die Geometrie und die Prozessparameter eingestellt. > > Das Gleiche gilt für EEPROM und Flash(tm)ROM. Sollen die Zellen schnell > sein oder langlebig? Einzeln löschbar oder nur als Page? Haben wir einen > exklusiven Prozess oder müssen wir den nehmen, mit dem das Rechenwerk > hergestellt wurde? Entsprechend werden Geometrie und Prozessparameter > gewählt, und das ergibt die im Datenblatt genannten Eigenschaften. Ja das stimmt. Da war ich wohl etwas zu naiv. Die Hersteller werden ja auch nicht ihre genauen Pläne offen legen... Ich möchte mich bei allen Helfern bedanken. Für mich wäre das Thema damit geklärt. Gruß Tobias
Tobias K. schrieb: > Vielen Dank. Die Erklärung und die Dokumente haben mir sehr viel > gebracht. Genau das habe ich gesucht. :-) Kein Problem, man sieht sich ;-)
meine frage wäre die, ist es so, wenn man einen flash, der über ein jahr stetig sehr intensiv beschrieben wurde lange zeit nicht mehr benutzt wird, löschen sich die darauf festgehaltenen daten und verpflichtungen oder versprechen einfach von selbst und kann der flash dann wieder neu mit ganz anderen usern benutzt werden oder bleiben die alten daten bestehen und werden bei bedarf wieder reaktiviert?
Bodi B. schrieb: > löschen sich die darauf festgehaltenen daten und verpflichtungen oder > versprechen einfach von selbst und kann der flash dann wieder neu mit > ganz anderen usern benutzt werden Da ein Flash-ROM nur Daten, aber weder Verpflichtungen, Versprechungen oder gar User speichert, kann Deine Frage nur eingeschränkt beantwortet werden. Gespeicherte Daten bleiben eine spezifizierte Zeit lang erhalten (im Datenblatt als "retention time" bezeichnet), das ist ein Zeitraum von i.d.R. zehn bis zwanzig Jahren. Danach sind die Daten nicht schlagartig weg, sondern es beginnen vermehrt Lesefehler aufzutreten. Wenn das Flash-ROM durch viele Schreibzyklen vorgealtert ist, wird die "retention time" sich möglicherweise verkürzen. Auch die Umgebungsbedingungen (in erster Linie die Temperatur) haben einen Einfluss auf die "retention time". Informationen darüber sind den Datenblättern der Hersteller zu entnehmen.
Lieber rufus t firefly. Mein flash kann das. Den user speichert er natürlich nicht. Der beflasht ihn. Aber den rest speichert er. Glaube mir. Aber eben nur zeitlich beschränkt wie mir scheint.
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