Hallo, im Moment bin ich dabei eine elektronische Last zu bauen (ja, ich weiß, das Thema gibt es öfter mal). Bei der letzten Version habe ich festgestellt, dass die Regelgeschwindigkeit stark begrenzt ist, wenn der OP-Amp das Gate des Last-Mosfets alleine umladen muss (die Gate-Kapazität ist nicht ganz so klein). Dazu habe ich bis jetzt zwei Lösungsmöglichkeiten gefunden: 1. stärkeren OP-Amp benutzen (z.B. LM7321). Das möchte ich jedoch nicht tun, da dabei auch die Präzision verloren geht (höhere Offset-Spannungen) 2. Mosfet-Treiber nach den OP-Amp schalten. Da bin ich gerade dran. Ich kann keinen normalen Mosfet-Treiber nehmen, der einfach nur ein- und ausschaltet (die Mosfets werden ja im Linearbetrieb verwendet), deshalb habe ich mir eine Push-pull-Stufe aus Transistoren aufgebaut. Angehängt ist der relevante Schaltplan für den Constant-Current-Modus. Die Last wird an Last+ und Last- angeschlossen, der Strom über einen DAC an den positiven Eingang von IC6 gegeben (hier liegt dann bei den Tests eine konstante Spannung an). Grundsätzlich funktioniert das auch, ABER: Ich möchte ein möglichst schnelles Regelverhalten erreichen (hauptsächlich einstellbar über R12 und C13). Und dabei kann es (solange noch nicht alles richtig eingestellt ist) durchaus mal zu Oszillationen kommen (die Schaltung wird instabil und fängt an zu schwingen). Und genau das mag mein Mosfet-Treiber anscheinend gar nicht, der ist mir nämlich gerade zum vierten Mal durchgebrannt (Schaltung läuft bis Schwingungen auftreten, ab dann geht nichts mehr und die Transistoren sind komplett leitend/komplett offen) Kurz was ich mir dazu gedacht habe: Q1, Q3, Q4 und Q6 sind eine klassische BJT-Push-Pull-Stufe. Nachdem die das erste Mal kaputt gegangen ist, habe ich Q2 und Q5 ergänzt. Dadurch sollte der Ausgangsstrom auf etwa 300mA begrenzt werden (in der Simulation funktioniert das auch wunderbar). Ich hatte das Gefühl, dass die Schaltung diesmal etwas länger durchgehalten hat, aber letztendlich gab es wieder Rauch. Ich bin langsam mit den Ideen am Ende, fällt da jemandem noch was zu ein? Viele Grüße, Jan
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Jan K. schrieb: > Bei der letzten Version habe ich festgestellt, dass die > Regelgeschwindigkeit stark begrenzt ist, wenn der OP-Amp das Gate des > Last-Mosfets alleine umladen muss (die Gate-Kapazität ist nicht ganz so > klein). Mit welche Höllengeschwindigkeit möchtest du die Last denn ändern, bzw mit welcher Samplerate arbeitet dein DAC?
Es geht nicht darum, den eingestellten Strom schnell zu ändern (der DAC läuft nur mit 1kHz), sondern darum, Schwankungen der angeschlossenen Quelle möglichst schnell auszuregeln. Außerdem soll es später auch noch die anderen Modi (CV, CP und CR) geben, die auf diesem Regelkreis aufbauen, dafür muss hier recht schnell reagiert werden. Ich will innerhalb von einstelligen Mikrosekunden den geforderten Strom erreicht haben. In der alten Version hatte ich einen tl074 direkt am Gate, da war es eher im Bereich von einer Millisekunde, das ist deutlich zu langsam.
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Sicher das du alle mosfets über eine Regelung betreiben möchtest???
Ich wollte es mal probieren, ja (in der alten Version waren sie einzeln geregelt). Die sind alle auf einem Kühlkörper und durch die Source-Widerstände hoffe ich, kein thermal runaway zu bekommen. Ob es wirklich funktioniert kann ich erst sagen, wenn ich es mal mit höheren Strömen getestet habe. Bisher stirbt mir aber vorher der Treiber.
Jan K. schrieb: > Kurz was ich mir dazu gedacht habe: Man kann MOSFETs im Linearbettieb nicht über so kleine Source-Widerstände parallel schalten. Und Gate-Widerstände in der Parallelschaltung sind eher im Schaltbetrieb angeraten, nicht im Linesrbetrieb. Wenn du bei deiner Treiberstufe einen Widesstand vom OpAmp Ausgang zum MOSFET Knotenpunkt legst, so dass kleine Änderungen ohne Transistorverstärkung durchgrleitet werden, wird sie gutmütiger. http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.22.1 http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.13.1
Jan K. schrieb: > im Moment bin ich dabei eine elektronische Last > zu bauen Welchen Strom resp. Spannung soll die Last denn vertragen? Jan K. schrieb: > Ich bin langsam mit den Ideen am Ende, fällt da jemandem > noch was zu ein? Naja... eine Idee hätte ich wohl. Erfahrungsgemäß will die aber niemand hören.
Hallo, die Gate-Kapazitäten sind bei 10nF, wenn Du dann noch schnell schaltest sind die Minitransitoren eindeutig überlastet. Multipliziere mal deine Deine 300mA mit 15V. Gruß Peter
MaWin schrieb: > Man kann MOSFETs im Linearbettieb nicht über so kleine > Source-Widerstände parallel schalten.Und Gate-Widerstände in der > Parallelschaltung sind eher im Schaltbetrieb angeraten, nicht im > Linesrbetrieb. Die Last soll einen maximalen Strom von 20A haben. Laut Art of Electronics sollten die Source-Widerstände so ausgelegt werden, dass ein paar zentel Volt darüber abfallen. Bei Volllast sind es bei mir etwa 0,5V also hoffe ich doch, dass es funktioniert. Zu den Gate-Widerständen sagt dein Link von weiter unten meiner Meinung nach was anderes (ich hoffe ich habs richtig verstanden): "High-voltage power MOSFETs love to RF oscillate at from 10 to 30MHz when used in the linear mode at even modest currents, like 5mA, and with more than say 25V across their drain-source. The easiest way to prevent this is to use two ferrite beads and slip one over both the gate and source leads of a TO-220 part. Sometimes a gate resistor alone can spoil the oscillation (they're always recommended anyway, and especially if you use a gate-source zener, isolate the gate with a resistor), but I have better results and am more comfortable with two ferrite beads." > Wenn du bei deiner Treiberstufe einen Widesstand vom OpAmp Ausgang zum > MOSFET Knotenpunkt legst, so dass kleine Änderungen ohne > Transistorverstärkung durchgrleitet werden, wird sie gutmütiger. Alles klar, werde ich mit einbauen, wenn ich es demnächst repariere. > http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.22.1 > http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.13.1 @Possetitjel: 20A/100V/200W Was wäre denn deine Idee? @Peter: Was schlägst du eher vor? Größere Transistoren (wohl hauptsächlich Q1 und Q4) oder lieber den Strom eher begrenzen?
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Hallo, ich habe gerade eine elektronische Last fertig (kommt in den nächsten Tagen mit allen Infos auf meine HP). Ich habe 8 Transistoren parallel und jeden einen eigenen OP spendiert. Erst deren Eingänge sind parallel angesteuert. Weil bei mir nur eine geringe Kapazität gefüttert werden muß, reicht ein TL074 ohne Treiber. VMOS im Linearbetrieb schwingen meist sehr gerne im höheren HF-Bereich. Hatte mal ein Fall, da waren es 70MHz und das mit ordentlich Power. Viel Ferrit hilft meist, aber leider nicht immer. Gruß Peter
Peter Hofbauer schrieb: > Ich habe 8 Transistoren parallel > und jeden einen eigenen OP spendiert. Erst deren Eingänge sind parallel > angesteuert. Weil bei mir nur eine geringe Kapazität gefüttert werden > muß, reicht ein TL074 ohne Treiber. Hey, genau diesen Aufbau hatte ich auch zuerst (allerdings mit 4 IRFP250 -> wohl größere Kapazität). Was mich da am meisten gestört hat, war die Streuung der Offset-Spannungen der TL074. Im untersten Leistungsbereich fangen die Tranistoren nicht bei der gleichen Schwelle an zu leiten. Dadurch fließt beispielsweise nur ein Viertel (oder bei dir ein Achtel) des eingestellten Stroms, wenn nur der erste Transistor (durch den TL074 mit der geringsten Offset-Spannung) leitet. Sobald man einen höheren Strom einstellt, ist das natürlich kein Problem mehr...
Jan K. schrieb: > @Possetitjel: > 20A/100V/200W Oh! 20A ist hart. > Was wäre denn deine Idee? Bipolartransistoren verwenden. Das sind nämlich auch ganz ohne Regelung schon Stromsenken.
Possetitjel schrieb: > Bipolartransistoren verwenden. Das sind nämlich auch > ganz ohne Regelung schon Stromsenken. Habe ich tatsächlich schon drüber nachgedacht. Allerdings haben die Leistungstransistoren doch eine eher geringe Stromverstärkung, oder? Da müsste ich dann so viel Basis-Strom hineinstecken. Aber ich behalt es mal im Kopf, danke für die Idee.
Jan K. schrieb: > Possetitjel schrieb: >> Bipolartransistoren verwenden. Das sind nämlich auch >> ganz ohne Regelung schon Stromsenken. > > Habe ich tatsächlich schon drüber nachgedacht. Allerdings > haben die Leistungstransistoren doch eine eher geringe > Stromverstärkung, oder? Da müsste ich dann so viel > Basis-Strom hineinstecken. Naja, wenn Du parallelschaltest, musst Du nicht ganz so dicke Brummer verwenden. Die Stromverstärkung sackt nicht so ab, und auch die Kühlung wird einfacher. Von Motorola (=ONSemi) gibts ganz gute Typen. Allerdings fragt sich, ob Du Lust hast, 20 Module a 1A parallelzuschalten...
Jan K. schrieb: > Habe ich tatsächlich schon drüber nachgedacht. Allerdings haben die > Leistungstransistoren doch eine eher geringe Stromverstärkung, oder? Da > müsste ich dann so viel Basis-Strom hineinstecken. Aber ich behalt es > mal im Kopf, danke für die Idee. Definiere "viel Basisstrom". Ein BD677 zum Beispiel hat ne Stromverstärkung von weit über 1000 bei 2 A Ic-Strom, d.h. für 20 A bräuchtest du 10 Module mit einem Summenbasisstrom von ≥ 20 mA. OK, 100V kann der nicht aber ich bin mir ziemlich sicher, dass es auch BiPos gibt, die bei dir besser geeignet sind. Vielleicht mal bei Farnell und co mit der parametrischen Suche ran gehen.
Jan K. schrieb: > Es geht nicht darum, den eingestellten Strom schnell zu ändern (der DAC > läuft nur mit 1kHz), sondern darum, Schwankungen der angeschlossenen > Quelle möglichst schnell auszuregeln Du kannst die Empfindlichkeit deiner Schaltung auf Schwankungen der Quelle am einfachsten erhöhen, indem du den Innenwiderstand deiner Stromsenke erhöhst. Mach aus den 0,1 Ohm Sourcewiderständen 1 Ohm Sourcewiderstände, und schon wirken sich die Schwankungen einen Faktor ~10 weniger aus (ohne dass der OPV irgendwas nachregeln muss). Probleme mit unsymmetrischer Stormverteilung und Offsetspannungen des OPV werden auch um ca. einen Faktor 10 geringer. Mit dem Vorschlag von Possetitjel (bipolare Transistoren) treibst du das natürlich noch mal in eine andere Größenordnung, weil du mit der größeren Steilheit der Bipolaren eine wirklich hochohmige Stromsenke bauen kannst.
Jan K. schrieb: > Peter Hofbauer schrieb: >> Ich habe 8 Transistoren parallel >> und jeden einen eigenen OP spendiert. Erst deren Eingänge sind parallel >> angesteuert. Weil bei mir nur eine geringe Kapazität gefüttert werden >> muß, reicht ein TL074 ohne Treiber. > > Hey, genau diesen Aufbau hatte ich auch zuerst (allerdings mit 4 IRFP250 > -> wohl größere Kapazität). Was mich da am meisten gestört hat, war die > Streuung der Offset-Spannungen der TL074. Im untersten Leistungsbereich > fangen die Tranistoren nicht bei der gleichen Schwelle an zu leiten. Dagegen würde ich umschaltbare Strombereiche vorsehen: ein Bereich meinetwegen 0-2A und in dem wird nur 1 Opamp/Transistor verwendet. Und dann ein 20A-Bereich in dem Du alle Opamps u. Transistoren aktivierst. Das hilft Dir auch deutlich bei der Auflösung der Stromeinstellung.
M. K. schrieb: > Definiere "viel Basisstrom". "Mehr als ein durchschnittlicher OPV schafft." > Ein BD677 zum Beispiel hat ne Stromverstärkung von > weit über 1000 bei 2 A Ic-Strom, Das ist dann ziemlich sicher ein Darlington. Für das Ausregeln von Lastschwankungen (=Störungs- regelung) macht das nicht viel, aber das Verhalten bei Sollwertänderungen (=Führungregelung) wird natürlich lahmer. Wenn man keine Darlingtons nimmt, hat man dieses Problem nicht. -- Man müsste es ausprobieren. > d.h. für 20 A bräuchtest du 10 Module mit einem > Summenbasisstrom von ≥ 20 mA. OK, 100V kann der nicht Das Dilemma ist: Darlingtons können Strom, Spannung und Verstärkung, sind aber dynamisch schlecht. Einzeltransistoren können Strom, Spannung und Dynamik, sind aber bei der Mindestverstärkung teilweise schlecht und stark durch den zweiten Durchbruch begrenzt.
Gibt im isotop To-247 Gehäuse power mosfets für linearbetrieb da reicht dir auch einer fur 50A. Und du kannst da locker 250-500watt drann verbraten?. Z.b.ixys http://www.ixys.com/Documents/Articles/Article_Linear_Power_MOSFETs.pdf Google mal fbsoa?
Jan K. schrieb: > 20A/100V/200W Ich weis nicht, aber 20A bei 100V zu versenken bringt bei meiner Rechnung annähernd 2kW an den Kühlkörper. Und das ist mit 8 IRF250 ganz sicher nicht zu realisieren! ichbin
ichbin schrieb: > Jan K. schrieb: >> 20A/100V/200W > > Ich weis nicht, aber 20A bei 100V zu versenken bringt bei meiner > Rechnung annähernd 2kW an den Kühlkörper. Und das ist mit 8 IRF250 ganz > sicher nicht zu realisieren! Er wird wohl 20A bei 10V und 2A bei 100V als Eckwerte angedacht haben mit den 200W als Maximalheizleistung.
Possetitjel schrieb: > Das ist dann ziemlich sicher ein Darlington. Ja, ist er. Possetitjel schrieb: > Für das Ausregeln von Lastschwankungen (=Störungs- > regelung) macht das nicht viel, aber das Verhalten > bei Sollwertänderungen (=Führungregelung) wird natürlich > lahmer. Naja, hier wäre es dann interessant zu erfahren, was für eine Last genau gebaut werden soll. Ich las hier was von CC, CV, CP, CR Possetitjel schrieb: > Das Dilemma ist: Darlingtons können Strom, Spannung und > Verstärkung, sind aber dynamisch schlecht. Die Frage ist, wie schnell es sein muss. Ich hab mein Labornetzteil mit dem BD677 aufgebaut und das regelt Lastschwankungen innerhalb von 300 us aus und das liegt nicht am BD677, der könnte noch wesentlich schneller sein. ;) Wie gesagt, da müsste man genauer die Anforderungen kennen.
Possetitjel schrieb: >> Ein BD677 zum Beispiel hat ne Stromverstärkung von >> weit über 1000 bei 2 A Ic-Strom, > > Das ist dann ziemlich sicher ein Darlington. > > Für das Ausregeln von Lastschwankungen (=Störungs- > regelung) macht das nicht viel, aber das Verhalten > bei Sollwertänderungen (=Führungregelung) wird natürlich > lahmer. Definiere "lahm". Mit Darlingtons wie MJ3001 hat man ordentliche ELA-Leistungsverstärker hin bekommen - 15kHz = 66µS. Solange hier Reaktionszeiten der Regelung nicht ausdrücklich gefordert werden, sehe auch ich bipolare Darlingtons als Mittel der Wahl. M. K. schrieb: > Definiere "viel Basisstrom". Ein BD677 zum Beispiel hat ne > Stromverstärkung von weit über 1000 bei 2 A Ic-Strom, Für eine elektronische Last würde ich kein "Spielzeuggehäuse" (SOT-32) mit über 3K/W thermischem Widerstand einsetzen, da wäre TO-3 meine Wahl. Für eine gute Lebensdauer würde ich bei TO-3 nicht über 60 Watt pro Transistor gehen. M. K. schrieb: > Die Frage ist, wie schnell es sein muss. Ich hab mein Labornetzteil mit > dem BD677 aufgebaut und das regelt Lastschwankungen innerhalb von 300 us > aus und das liegt nicht am BD677, der könnte noch wesentlich schneller > sein. ;) Jou, je schneller desto schwingt :-)
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Manfred schrieb: > Solange hier Reaktionszeiten der Regelung nicht ausdrücklich gefordert > werden, sehe auch ich bipolare Darlingtons als Mittel der Wahl. Ich würde die nicht nehmen. Langsamkeit an der falschen Stelle macht erst die Probleme. Manfred schrieb: > Jou, je schneller desto schwingt :-) Im Gegenteil, siehe Anhang. Und es ist doch ganz einfach klar, wieso das so ist.
M. K. schrieb: > OK, 100V > kann der nicht aber ich bin mir ziemlich sicher, dass es auch BiPos > gibt, die bei dir besser geeignet sind. Ich werfe mal den BU806 in den Raum Nehme ich gerne für Labornetzgeräte, welche etwas höhere Ausgangsspannungen als 30V haben müssen. Er ist als Darlington relativ schnell, da für ursprünglich für CRT Hor. Endstufe entwickelt. https://www.reichelt.de/BU-Transistoren/BU-806/3/index.html?ACTION=3&GROUPID=2885&ARTICLE=6044 Possetitjel schrieb: > Das Dilemma ist: Darlingtons können Strom, Spannung und > Verstärkung, sind aber dynamisch schlecht. Vielleicht mal den BU806 versuchen wie er sich verhält.
Manfred schrieb: > Für eine elektronische Last würde ich kein "Spielzeuggehäuse" (SOT-32) > mit über 3K/W thermischem Widerstand einsetzen, da wäre TO-3 meine Wahl. > Für eine gute Lebensdauer würde ich bei TO-3 nicht über 60 Watt pro > Transistor gehen. Das war ja auch nur ein Beispiel, dass man dafür nicht soo einen wahnsinnigen Ansteuerstrom braucht. Für ne E-Last würde ich wohl auch eher weniger ein SOT-32 Gehäuse nehmen sondern eher, wie du, Richtung TO-3 oder ggf. ein TO-220 bzw. ähnliches benutzen. In meinem Netzteil benutzte ich den BD677 nur, weil der unnütz in der Schublade lag. ;) Andi_73 schrieb: > Ich werfe mal den BU806 in den Raum Bei Pollin für 12 Cent/Stück gekauft? Ich auch ;)
M. K. schrieb: > Bei Pollin für 12 Cent/Stück gekauft? Ich auch ;) Ich auch, aber schon einige Zeit her. Ich dachte schon die haben den nicht mehr.
Nur nochmal kurz die Lösung, falls jemand mal das gleiche Problem hat: Ich habe Q1 und Q4 durch BD137/138 ersetzt und seitdem keine durchgebrannten Transistoren mehr gehabt. Danke für die Hilfe :)
Schön daß es noch ein Feedback zur Ursprünglichen Fragestellung gibt, erlebt man hier leider viel zu selten. Damit hat wohl Peter Hofbauer schrieb: > Hallo, > die Gate-Kapazitäten sind bei 10nF, wenn Du dann noch schnell schaltest > sind die Minitransitoren eindeutig überlastet. Multipliziere mal deine > Deine 300mA mit 15V. eindeutig recht gehabt und so wie ich es sehe, den mit Abstand sinnvollsten Beitrag geliefert.
Eismann schrieb: > Schön daß es noch ein Feedback zur Ursprünglichen Fragestellung gibt Da stimme ich Dir zu. Vor lauter Bipolaritäten hatte ich damals kaum noch Lust, einen Tipp für ähnliche Konstruktionen mit FET abzugeben. Ich dachte da an den (auch von MaWin vor kurzem mal innerhalb dieser Thematik angesprochenen) FDL100N50F. Der ist längst nicht so teuer wie die "Linear-MOSFETs", welche m.M.n. zwar sicherlich gut sind... ...aber mit minimal mehr bzw. genügend Platz, evtl. schmalerem Geldbeutel als ganze Firmen, und vielleicht leicht geringeren Anforderungen an die Dynamik, stellt dieser doch eine mehr als nur "brauchbare" Alternative dazu dar. Dieser FET hat recht beeindruckende Daten, und wenn man sich vom Spirito-Effekt-Gefährdungsbereich fern hält (so ungefähr "interpoliert", evtl. aber besser, indem man ihn nur für niedrigere Spannungen benutzt), sollte das doch - z.B. hier, 1:1 austauschbar, und in mancher Hinsicht (nur 1 FET, o.g. höherer Abstand zur Gefährdung, ...) besser als die 4 x IRFP250 - wunderbar klappen. Ebenfalls nur, falls das wen mit ähnlichen Plänen wie der TO interessiert.
ArnoR schrieb: > Ich würde die nicht nehmen. Langsamkeit an der falschen Stelle macht > erst die Probleme. Vielen Dank für das Bild! Solche Bilder sind immer sehr lehrreich, da sie eure Erfahrungen widerspiegeln und mir lernenden vielleicht einmal viel Sucherei ersparen. Das sind die Threads und die Beiträge die ich hier so wertvoll finde. Insgesamt allen hier mein Dank für eure Beiträge. Habe diesen Thread die ganze Zeit mit gelesen und schon viel daraus gelernt.
Homo Habilis schrieb: > besser als die 4 x > IRFP250 - wunderbar klappen. den hatte ich mal mit 72W für paar Stunde ohne aufwändige Kühlung belastet. Die geforderte 250W auf 4 Fets sollte problemlos sein. > FDL100N50F. Der ist längst nicht so teuer wie die "Linear-MOSFETs" aber sicherlich teuer als 4x IRFP250 sein. :-)
Homo Habilis schrieb: > in mancher Hinsicht ...natürlich längst nicht in jeder Hinsicht. ^^ Tany schrieb: > aber sicherlich teuer als 4x IRFP250 Hast natürlich völlig recht. ;-) Und umsonst werden diese und ähnliche FETs ja nicht häufig für z.B. A- oder AB-Endstufen verwendet. Allerdings ist zumindest AB-Betrieb etwas schonender für diese, da nur der (weit geringer als bei A-) Ruhestrom wirklich dauerhaft durch läuft. Tany schrieb: > 250W auf 4 Fets sollte problemlos sein In vielen Fällen (und rein von der statischen Wärmeabfuhr her betrachtet): Ja. Ich denke aber, Du kennst die Gründe, aus denen man Parallelschaltung im Linearbetrieb gerne vermeidet. Vielleicht besser als ich. Und der FDL100N50F ist halt m.A.n. etwas universeller verwendbar, bei höherer geforderter Dynamik u./o. höheren Eingangsspannungen von E-Lasten, als schlicht parallel geschaltete 200V-FETs.
Hallo, keine Ahnung, ob es noch interessiert. Bei meiner neuen Stromsenke habe ich in den Endstufen einen BU508 (Zeilenendstufen-Transistor) mit einen VMOS als Darlington geschaltet. Der BU508 ist eigentlich wegen seiner geringen Stromverstärkung dafür nicht geeignet, aber mit VMOS als Treiber ist das kein Problem. Gegenüber einer Lösung mit einen einzigen Power-VMOS ist der Vorteil, das keine HF-Schwingungen auftreten. In meiner alten Schaltung mit IRFP460 (500V/20A) hatte ich mit HF zu kämpfen. Nach versehentlicher Überlast (Spannung zu groß) waren die außerdem oft im Eimer. Die üblichen einfachen Schaltungen haben keinen Überlastschutz. Bei großer Spannung muss die Strombegrenzung so vermindert werden, das die maximal zu "vernichtende" Leistung nicht überschritten wird. Das geht am einfachsten indem der maximal zulässige Strom mit einen Controller berechnet wird. Leider dauert das dauert aber zu lange. Deshalb habe ich meine neue Elektronische Last mit einer rein anlogen Leistungsbegrenzung versehen. Mit AD633 in Divisionsschaltung. Funktioniert perfekt! Habe ich auf meiner HP (www.hcp-hofbauer.de) beschrieben. Nicht über die teilweise etwas seltsame Schaltung wundern, ich wollte nur solche Halbleiter verwenden, die sich in meiner "Bastelkiste" befinden. Mein Bestand an BUs war der eigentliche Auslöser für diese Entwicklung. Endlich konnte ich meine BUs (und etwas von den übrigen Krempel) mal einsetzen. Gruß Peter
um noch mal auf den Ausgangspunkt zurück zu kommen: Wenn Du jeden MOSFET einzeln regelst, wobei der Messshunt von 0,01 auf 0,1 Ohm anwächst, wäre die Regelelung imho wesentlich unkritischer und präziser ausgefallen. Die gleichmäßige Stromverteilung wäre gewährleistet und jeder OP hätte nur ein gate zu treiben.
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