Im MOSFET, in dem Fall ein IRF520 ist eine Diode von S nach D eingebaut wie ich im Datenblatt sehe. Das heisst, wenn ich den für ein Motor verwende, dann brauche ich nicht extra eine Freilaufdiode einzubauen?
Tja ist es eine vom Entwickler absichlich integrierte Freilaufdiode, oder ensteht diese nur 'parasitär' aufgrund des Halbleiterschichtaufbaus?
Akkusammler schrieb: > Das heisst, wenn ich den für ein Motor > verwende, dann brauche ich nicht extra eine Freilaufdiode einzubauen? Doch. Die Freilaufdiode muss antiparallel zum Motor, um die Spannungsspitze beim Abschalten kurz zuschließen. Die Diode im Mosfet hat keine Wirkung, weil sich die Spannung über Drain und Source aufbaut. Vorausgesetzt, der Motor hängt zwischen V+ und Drain und Source liegt auf Masse.
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Akkusammler schrieb: > Im MOSFET, in dem Fall ein IRF520 ist eine Diode von S nach D > eingebaut > wie ich im Datenblatt sehe. Das heisst, wenn ich den für ein Motor > verwende, dann brauche ich nicht extra eine Freilaufdiode einzubauen? Mal davon abgesehen dass diese Diode falsch herum gepolt istfür eine Verwendung als Freilaufdiode: Die Diode ist weiterhin in der Regel sehr schlecht und sollte zu solchen Zwecken durch eine schnelle Si-Gleichrichterdiode ersetzt werden. Sonst hat man ggf. schlechten Wirkungsgrad und hohe Wärmeentwicklung. Aber ja, in gewissen Fällen, wie einem Synchron-Abwärtswandler benutzt man die parasitäre Bodydiode tatsächlich. Daher wird Sie in den meisten Datenblättern von Power MOSFETs auch ziemlich detailliert spezifiziert.
Sascha_ schrieb: > Die Diode ist weiterhin in der Regel sehr schlecht und sollte zu solchen > Zwecken durch eine schnelle Si-Gleichrichterdiode ersetzt werden. > Sonst hat man ggf. schlechten Wirkungsgrad und hohe Wärmeentwicklung. Das war vielleicht mal so. Ich zeige dir Substratdioden in modernen Mosfets, deren Daten suchst du bei normalen Si-Dioden fast vergeblich. Wenn du da überhaupt was findest, dann zum Preis von 5 Mosfets... Das Einzige wo man aufpassen muss, ist der Spannungshub je Zeiteinheit. Z.B. Logik-Mosfets öffnen da gern mal kurz, trotz kurzgeschlossenem Gate.
Falls dieser Mosfet als Schalter für deinen Motor dient (Low-Side-Ansteuerung) ist die parasitäre Diode für den eigentlichen Zweck nutzlos. Du brauchst eine separate Freilaufdiode parallel zum Motor mit der Kathode nach Plus.
Die Freilaufdiode sollte möglichst schon nahe an der QUELLE des Übels sitzen, damit eine böse Abschaltspannung gar nicht erst in die restliche Schaltung gelangen kann (die ich jetzt nicht sehe).
Uwe S. schrieb: > Sascha_ schrieb: >> Die Diode ist weiterhin in der Regel sehr schlecht und sollte zu solchen >> Zwecken durch eine schnelle Si-Gleichrichterdiode ersetzt werden. >> Sonst hat man ggf. schlechten Wirkungsgrad und hohe Wärmeentwicklung. > > Das war vielleicht mal so. Ich zeige dir Substratdioden in modernen > Mosfets, deren Daten suchst du bei normalen Si-Dioden fast vergeblich. > Wenn du da überhaupt was findest, dann zum Preis von 5 Mosfets... > > Das Einzige wo man aufpassen muss, ist der Spannungshub je Zeiteinheit. > Z.B. Logik-Mosfets öffnen da gern mal kurz, trotz kurzgeschlossenem > Gate. Deshalb schrieb ich ja auch "in der Regel" und "ggf.". Dass es da Ausnahmen gibt, war klar.
@Uwe S. (regionalligator) >Sascha_ schrieb: >> Die Diode ist weiterhin in der Regel sehr schlecht und sollte zu solchen >> Zwecken durch eine schnelle Si-Gleichrichterdiode ersetzt werden. >> Sonst hat man ggf. schlechten Wirkungsgrad und hohe Wärmeentwicklung. >Das war vielleicht mal so. Ich zeige dir Substratdioden in modernen >Mosfets, deren Daten suchst du bei normalen Si-Dioden fast vergeblich. >Wenn du da überhaupt was findest, dann zum Preis von 5 Mosfets... Nenne doch mal paar Typen. So richtig fündig bei der Suche nach Mosfets mit Superdioden (z.B. deutlich unter 100ns Recoverytime) bin ich bis jetzt nicht geworden (abgesehen von Mosfet mit eingebauter Schottky). Aber bei der gedachten Anwendung (Freilaufdiode) käme es ohnehin nicht auf die Recoverytime an (abgesehen davon, daß die Bodydiode ohnehin nicht als Freilaufdiode fungieren würde). [gelöscht, Trolle bitte nicht zitieren - Mod.]
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Akkusammler schrieb: > Im MOSFET, in dem Fall ein IRF520 ist eine Diode von S nach D eingebaut Nein. Die Diode zwischen Source und Drain jedes dreibeinigen MOSFET ist nicht "eingebaut", sondern ein parasitärer Effekt der internen Verbindung zwischen Substrat und Drain (ohne diese Verbindung wären Drain und Source austauschbar). > wie ich im Datenblatt sehe. Das heisst, wenn ich den für ein Motor > verwende, dann brauche ich nicht extra eine Freilaufdiode einzubauen? Jein. Die antiparallele Diode zur DS-Strecke eines MOSFET kann als Freilaufdiode benutzt werden. Aber nur in einigen Schaltungen. In anderen Schaltungen (1-Quadrant-Stellern) braucht man die Freilaufdiode an einer anderen Position in der Schaltung.
Axel S. schrieb: > Jein. Die antiparallele Diode zur DS-Strecke eines MOSFET kann als > Freilaufdiode benutzt werden. Aber nur in einigen Schaltungen. In > anderen Schaltungen (1-Quadrant-Stellern) braucht man die Freilaufdiode > an einer anderen Position in der Schaltung. Ich hab IMHO auch schon mal gelesen, daß jemand einen FET (Gate mit Source gebrückt) dediziert als Freilaufdiode erfolgreich eingesetzt hat. 50A Dioden sind wohl nicht so preiswert zu bekommen wie 50A FETs. MfG Klaus
Bei einigen (aber nicht allen) MOSFET's ist im Datenblatt angegeben, wie viel Strom und wie viel Energie diese Diode verträgt. Wenn du so eine Angabe findest und diese Grenzwerte sicher nicht überschreitest, dann spricht meiner Meinung nach nichts dagegen, die Diode aktiv zu benutzen. Bei vielen MOSFETS ist es allerdings eine parasitäre Diode ohne konkrete Belastbarkeitsangaben. In diesem Fall sollte man sie besser nicht aktiv verwenden.
Zum Beispiel im Datenblatt des IRLU024N sind die relevanten Angaben: Avalanche Current: 11A Repetitive Avalanche Energy: 4.5mJ Für ein kleines Relais reicht das aus.
Stefan U. schrieb: > Zum Beispiel im Datenblatt des IRLU024N sind die relevanten Angaben: > > Avalanche Current: 11A > Repetitive Avalanche Energy: 4.5mJ > > Für ein kleines Relais reicht das aus. Der ist selbst ja auch nur für 17 A Drain-Source-Current ausgelegt ;) Der Opa IRLZ44N kann z.B. auch mit der Diode 49 A.
Bei der reverse-Diode ist allerdings meistens nicht der Strom der begrenzende Faktor, sondern die Energie. Beim IRLZ44N sind das 11mJ und beim IRF520 sind es 6mJ. Die sind schnell erreicht, vor allem bei einem Motor.
@ Stefan Us (stefanus) >Zum Beispiel im Datenblatt des IRLU024N sind die relevanten Angaben: >Avalanche Current: 11A >Repetitive Avalanche Energy: 4.5mJ >Für ein kleines Relais reicht das aus. Das hat aber nix mit der Diode zu tun ...
Jens G. schrieb: > @ Stefan Us (stefanus) > >>Zum Beispiel im Datenblatt des IRLU024N sind die relevanten Angaben: > >>Avalanche Current: 11A >>Repetitive Avalanche Energy: 4.5mJ > >>Für ein kleines Relais reicht das aus. > > Das hat aber nix mit der Diode zu tun ... Ja, die Argumentation war aber, dass der Avalanche Durchbruch dem Spulenstrom einen Weg bietet und dass man sich auf diesem Wege eine Freilaufdiode ggf. sparen kann. Und das reicht eben nur für ein kleines Relais aus, denn ab 4,5mJ Avalanche Energie (also 4,5mJ in der Spule gespeichert zum Abschaltzeitpunkt) ist dann Schluss und man braucht ne echte Freilaufdiode.
@ Sascha_ (Gast) >Ja, die Argumentation war aber, dass der Avalanche Durchbruch dem >Spulenstrom einen Weg bietet und dass man sich auf diesem Wege eine >Freilaufdiode ggf. sparen kann. Wo stand denn in diesem Thread etwas zum Avalanchebetrieb geschrieben?
> Wo stand denn in diesem Thread etwas zum Avalanchebetrieb geschrieben? Das ergibt sich hieraus: > Das heisst, wenn ich den für ein Motor verwende, dann brauche ich nicht > extra eine Freilaufdiode einzubauen? Er meinte ziemlich sicher eine solche Schaltung:
1 | |
2 | D S |
3 | VCC o--------(Motor)-------+--|<|--+--------| GND |
4 | | | |
5 | =========== |
6 | | MOSFET |
7 | | |
8 | G |
Es geht um die parasitäre Zenerdiode zwischen D und S. Beim Abschalten des MOSFET begrenzt sie die im Motor induzierte Spannung auf einen Wert, den der MOSFET verträgt - sofern der Energiegehalt nicht zu groß ist und die Sperrschicht nicht thermisch zerstört wird. Diese Zenerdioden vertragen in Durchlassrichtung beträchtliche Ströme, aber in Sperr-Richtung (was hier relevant ist) vertragen sie recht wenig. Sie können die Wärme nur schlecht an den Kühlkörper ableiten.
Oder so eine:
1 | D S |
2 | VCC o------+--|<|--+----(Motor)------| GND |
3 | | | |
4 | =========== |
5 | | MOSFET |
6 | | |
7 | G |
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>> Oder so eine:
So würde ich den N-Kanal MOSFET allerdings niemals verwenden, weil dann
die Spannung am Gate höher sein muss, als VCC.
Das sind keine Zener Dioden sondern ganz gewöhnliche Si-Dioden. Wenn der Motor mit einer H-Brücke angesteuert wird kann man sich die zusätzlichen Dioden sparen... einfach nur beide lowside schalter einschalten... 73
@Stefan Us (stefanus) >> Wo stand denn in diesem Thread etwas zum Avalanchebetrieb geschrieben? >Das ergibt sich hieraus: >> Das heisst, wenn ich den für ein Motor verwende, dann brauche ich nicht >> extra eine Freilaufdiode einzubauen? Naja - sehr weit hergeholt - ich glaube nicht, daß die Eingangsfrage auf diesen Effekt abzielte, zumal der zeitliche Zusammenhang zw. Frage und Antwort schon ziemlich flöten gegangen ist.
Stefan U. schrieb: >
1 | > D S |
2 | > VCC o--------(Motor)-------+--|<|--+--------| GND |
3 | > | | |
4 | > =========== |
5 | > | MOSFET |
6 | > | |
7 | > G |
8 | > |
> > Es geht um die parasitäre Zenerdiode zwischen D und S. Wie kommst du auf Zener diode? Das ist ein schlichter pn-Übergang, vulgo eine Diode. Das Durchbruchsverhalten dieser Diode in Sperrichtung ist genau gar nicht spezifiziert.
Sind die FRED-MOSFETs nicht direkt für solche Anwendungen gedacht, weil die schneller umschalten können? Ich habe so ein Teil aber noch nie irgendwo verbaut (gesehen) oder hätte trotzdem eine externe Freilaufdiode verwendet. Hat jemand Erfahrung mit den Freds?
oszi40 (Gast) schrieb: > Die Freilaufdiode sollte möglichst schon nahe an der QUELLE des Übels > sitzen, damit eine böse Abschaltspannung gar nicht erst in die restliche > Schaltung gelangen kann (die ich jetzt nicht sehe). Besonders bei grossen Strömen bzw. schnellen Schaltflanken sollten/müssen auch die Leitungsinduktivitäten INNERHALB des Freilaufzweiges liegen. Dazu darf die Diode NICHT direkt am Motor (bzw. andere induktive Last) hängen, sondern möglichst "weit weg".
Stefan U. schrieb: > Es geht um die parasitäre Zenerdiode zwischen D und S. Da hat damit nichts zu tun. Bei Zenerdioden unter 5V kommt allein der Zenereffekt zum Tragen, darüber eine Kombination aus Zener- und Avalanche-Effekt. Aber nix Zenereffekt beim Avalanchen.
Was besprecht ihr denn die ganze Zeit die Substratdiode im Mosfet, die wird beim simplen Motorsteller doch gar nicht belastet. Wenn gar keine Freilaufdiode am Motor vorgesehen ist, gerät der Mosfet selbst in den Durchbruch und seine Avalancheeigenschaften sind gefragt. Seine Diode lässt das weiterhin kalt. Natürlich könnte die bei Bedarf auch enorme Leistungen an die Kühlfahne abgeben...es gibt Mosfets, da entsteht an ihr beim max. Dauerstrom mehr Verlustleistung, als am Mosfet. Mosfets mit vernünftigen Dioden wären z.B. IRLB4030, IRFB7430, oder IPP030N10N3 G. Deren Daten sucht man bei normalen SI-Dioden wahrscheinlich vergebens. Schaut euch dazu mal insbesondere die Flussspannungen in den Diagrammen an, da träumen sogar die meisten Schottkydioden von.... Und das sind nur frei aus der Bastelkiste gegriffene Hochleistungs-Mosfets, ich habe nicht eine Suche nach einer besonderen Diode gemacht. Wenn man z.B. nach Cool- oder Optimos mit niedrigerem Strom schaut, findet man sicher auch noch viel schnellere Dioden. Nicht selten passen Schaltzeit des Mosfets mit der Recovery der Diode halbwegs zusammen. Beim alten BUZ11 kann das freilich anders sein...;-)
Uwe S. schrieb: > Was besprecht ihr denn die ganze Zeit die Substratdiode im Mosfet Ich wollte ja nur für Stefan und zukünftige Leser (evtl. sogar über dazu relevante Suchtags hier gelandet) den Unterschied herausstellen. Daß halt hier kein Zenerdurchbruch stattfindet. Uwe S. schrieb: > Schaut euch dazu mal insbesondere die Flussspannungen in den > Diagrammen an, da träumen sogar die meisten Schottkydioden von Zusätzlich noch von den kleineren Sperrströmen, würde ich sagen. Es ist evtl. legitim, geeignete FET-Dioden rein als solche zu verwenden auch ohne den FET. Ist der Wärmeleitwiderstand bei Diode und FET stark unterschiedlich? Uwe S. schrieb: > Nicht selten passen Schaltzeit des Mosfets mit > der Recovery der Diode halbwegs zusammen. Je höher die V(DS), desto weiter entfernt - oder nicht? (Spezialtypen außen vor.) Wie Du sagtest hat auch die Strombelastbarkeit Einfluß, aber die Sperrspannung nach meinen Datenblattstudien zu urteilen mehr. Sehe ich das falsch? (Sollte ich "mehr studieren"?)
Wie können so viele verschiedene Leute so viel Scheisse reden? Alles nur Anfänger hier unterwegs oder was? Die parasitäre Diode, die bei einem NMOS von S nach D leitet, hat überhaupt gar nichts mit den Avalanche-Daten zu tun. Das ist was völlig anderes. Avalanche: DS-Durchbruch bei gesperrtem FET. Üblicherweise 15% über dem maximal spezifizierten VDS. Parasitäre Diode: Leitet immer Richtung SD. Egal, was der FET macht. Wieviel diese Diode verträgt, steht im Datenblatt, NICHT unter Avalache! Und das einzige, was hier Sinn macht, ist der Avalanche Effekt, der zerstörungsfreie Durchbruch, der NICHTS mit der eingebauten Diode zu tun hat. Und ja, kannst du machen, jedoch ist die Energie flöten, da man den Strom üblicherweise nach VCC ableitet und nicht nach GND, was jedoch bei einem Avalanche-Effekt der Fall ist. Jetzt alles klar bei euch?
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ASM Superprofi schrieb: > Die parasitäre Diode, die bei einem NMOS von S nach D leitet, hat > überhaupt gar nichts mit den Avalanche-Daten zu tun. Das ist was völlig > anderes. Schon klar - aber der Zener-Effekt auch nicht... Ohne die Diode könnte man den FET bei DC auch umgekehrt als Schalter, bzw. einen einzelnen FET als AC-Schalter betreiben (und verkehrt herum avalanchen lassen). ASM Superprofi schrieb: > Alles nur Anfänger hier unterwegs oder was? Ich habe nie behauptet, ein Profi zu sein. Ich bin neugierig: Was heißt denn ASM?
Homo Habilis schrieb: > Ohne die Diode könnte man Ich meine theoretisch. @ASM Superprofi: Was wären denn dann hier die begrenzenden Faktoren? Das läßt doch der innere Aufbau bestimmt nicht wirklich zu, oder doch?
ASM Superprofi schrieb: > Und das einzige, was hier Sinn macht, ist der Avalanche Effekt, der > zerstörungsfreie Durchbruch, der NICHTS mit der eingebauten Diode zu tun > hat.
1 | Bei der Drain-Source-Durchbruchspannung U(br)dss bricht die |
2 | Sperrschicht zwischen dem Drain-Gebiet und dem Substrat eines |
3 | Mosfet durch; dadurch fließt ein Strom vom Drain-Gebiet in |
4 | das Substrat und von dort [...] über die bei Einzeltransistoren |
5 | vorhandene Verbindung zwischen Substrat und Source zur Source. |
Meinen zumindest U. Tietze und Ch. Schenk.
huaba schrieb: > ASM Superprofi schrieb: >> Und das einzige, was hier Sinn macht, ist der Avalanche Effekt, der >> zerstörungsfreie Durchbruch, der NICHTS mit der eingebauten Diode zu tun >> hat. >
1 | > Bei der Drain-Source-Durchbruchspannung U(br)dss bricht die |
2 | > Sperrschicht zwischen dem Drain-Gebiet und dem Substrat eines |
3 | > Mosfet durch; dadurch fließt ein Strom vom Drain-Gebiet in |
4 | > das Substrat und von dort [...] über die bei Einzeltransistoren |
5 | > vorhandene Verbindung zwischen Substrat und Source zur Source. |
6 | > |
> Meinen zumindest U. Tietze und Ch. Schenk.
Ist zwar richtig, hat aber praktisch nix mit der Diode zu tun sondern da
kommen noch andere Effekte zum Tragen, man ja auch nicht nur die
parasitäre Diode drin, wer sucht findet in einem Mosfet auch den ein und
anderen Bipolartransistor, die auch für nette Effekte zuständig sind ;)
ASM Superprofi schrieb: > Wie können so viele verschiedene Leute so viel Scheisse reden? Alles nur > Anfänger hier unterwegs oder was? Damit schließt du dich selbst hoffentlich mit ein ;-) > Die parasitäre Diode, die bei einem NMOS von S nach D leitet, hat > überhaupt gar nichts mit den Avalanche-Daten zu tun. Das ist was völlig > anderes. Wirklich? > Avalanche: DS-Durchbruch bei gesperrtem FET. Üblicherweise 15% über dem > maximal spezifizierten VDS. Und was genau bricht da durch? Die PN-Übergang zwischen Substrat und Drain (s. obiges Zitat aus Tietze und Schenk). > Parasitäre Diode: Und wodurch genau entsteht diese parasitäre Diode? Sie wird durch den PN-Übergang zwischen Substrat und Drain gebildet. > Wieviel diese Diode verträgt, steht im Datenblatt, NICHT unter Avalache! Und wo genau entsteht dieser Avalache-Effekt? Am PN-Übergang zwischen Substrat und Drain. > Und das einzige, was hier Sinn macht, ist der Avalanche Effekt, der > zerstörungsfreie Durchbruch, der NICHTS mit der eingebauten Diode zu tun > hat. Vergleich mal meine drei obigen Antwortsätze. Kannst du eine Gemeinsamkeit feststellen? Die Diode ist nicht "eingebaut", sondern ein wesentlicher Teil des Mosfets. Ob nun der Mosfet oder diese Diode durchbricht, ist einerlei. Das sind nur zwei Formulierungen für denselben Effekt. > Jetzt alles klar bei euch? Bei dir auch?
Hört endlich auf Äpfel mit Birnen zu vergleichen. Alle haben irgendwo Recht, aber es wird alles dauernd vermischt und dadurch versteht ihr euch nicht gegenseitig. Der eine redet von parasitären Effekten, der andere vom völlig legitimen Avalanche Betrieb. Es ist übrigens auch legitim, die parasitäre Diode zu verwenden. Da dürfen gerne auch mal AMPS fliessen. Je nach FET. Das steht aber leider nicht in jedem Datenblatt. Letztens habe ich erst einen FET gehabt, der hat 4A DC erlaubt. Aber die Diode nutze ich nur für einen Verpolschutz, deshalb bin ich da nicht so der parasitäre-FET-Dioden-Experte. @Homo Habilis Für sehr kleine Spannungen darfst du den FET gerne als AC Schalter verwenden. Allerdings sind die zu sperrenden Spannungen meistens grösser als 0.5V. Deshalb nur theoretisch. Warum die parasitäre Diode entsteht, kann ich dir nicht sagen. Das ist Spezialwissen. Kann man bestimmt ergoogeln. Aber ja, so ein FET ohne parasitäre Diode wäre sicher ein gutes Produkt. ASM steht für Assembler.
Yalu: Habe ich irgendwo geschrieben, die Diode sei eingebaut? Die Definition von parasitär ist doch bereits, dass es halt immer dabei ist, ob man will oder nicht.
Die einzige Diode, die in manchen FETs wirklich eingebaut wird, ist die GS Schutzdiode.
Übrigens wird in jeder H-Brücke und auch in jeder 3-Phasenendstufe ganz selbstverständlich von der Body Diode der MOSFet- bzw. IGBT Endstufen Gebrauch gemacht. Die Dioden leiten in diesem Fall eine etwaige Gegen-EMK auf die Versorgung der Endstufe ab, die deswegen auch gut abgeblockt werden sollte.
ASM Superprofi schrieb: > Yalu: Habe ich irgendwo geschrieben, die Diode sei eingebaut? Ja. Ich habe den entsprechenden Satz doch oben zitiert.
Ach Mist. OK ich hab was falsches geschrieben. Kann schonmal im Eifer passieren :)
So wie es aussieht, ist in diesem Thread nicht nur alles gesagt worden, sondern mittlerweile auch von jedem gesagt. <seufz>
M. K. schrieb: > wer sucht findet in einem Mosfet auch den ein und > anderen Bipolartransistor, die auch für nette Effekte zuständig sind ;) Das Verhalten für einfache vertikale Mosfet ist in http://www.vishay.com/docs/90160/an1005.pdf recht anschaulich erklärt. Auch nach diesem PDF setzt der Avalanche-Durchbruch zuerst am PN-Übergang Wanne-Substrat ein. Erst durch Temperaturerhöhung steigt der Basiswiderstand, so dass nun auch der BJT zu leiten beginnt.
Matthias S. schrieb: > Übrigens wird in jeder H-Brücke und auch in jeder 3-Phasenendstufe ganz > selbstverständlich von der Body Diode der MOSFet- bzw. IGBT Endstufen > Gebrauch gemacht. Macht aber doch nur Sinn wenn die Quelle niederohmig genug ist, oder?
ASM Superprofi schrieb: > Warum die parasitäre Diode entsteht, > kann ich dir nicht sagen So wie sie auch in jedem anderen Chip entsteht, zur Isolierung von Strukturen vom Substrat. Bei Chips kann sie das Marketing immer noch (gegen kleinen Aufpreis) als ESD-Diode verkaufen. Sie bei den FETs als eingebaute Freilaufdiode anzupreisen, würde das Marketing sicher toll finden. MfG Klaus
> Übrigens wird in jeder H-Brücke und auch in jeder 3-Phasenendstufe ganz > selbstverständlich von der Body Diode der MOSFet- bzw. IGBT Endstufen > Gebrauch gemacht. Relevant ist das nur während der Kommutierungsphase, weil der betreffende MOSFET nach der Totzeit ebenfalls angesteuert wird. Der durchgeschaltete MOSFET hat i.d.R. kleinere Durchlassspannung als die Diode. Solch eine parasitäre Diode ist nur in MOSFET und Darlingtontransistoren "integriert", NICHT in IGBT: https://www.mikrocontroller.net/articles/IGBT
ASM Superprofi schrieb: > Ach Mist. OK ich hab was falsches geschrieben. Kann schonmal im Eifer > passieren :) Das kann jadem passieren, aber in Verbindung mit so einem Auftritt: ASM Superprofi schrieb: > Wie können so viele verschiedene Leute so viel Scheisse reden? Alles nur > Anfänger hier unterwegs oder was? sollte man soviel Eier in der Hose haben und sich entschuldigen!
Sascha_ schrieb: > Und das reicht eben nur für ein kleines Relais aus, denn ab 4,5mJ > Avalanche Energie (also 4,5mJ in der Spule gespeichert zum > Abschaltzeitpunkt) ist dann Schluss Wird nicht ein Grossteil der Energie im Spulenwiderstand "vernichtet"?
> Wird nicht ein Grossteil der Energie im Spulenwiderstand > "vernichtet"? Wenn die Spule während des Freilaufs "satt" kurzgeschlossen ist, wird nur diese wärmer.
> Geht aber um nen Motor. ;)
Auch der hat 'ne Spule.
Was die nicht aufnimmt, muss halt woanders hin ...
Klaus schrieb: > So wie sie auch in jedem anderen Chip entsteht, zur Isolierung von > Strukturen vom Substrat. > ... Autsch, das musst du noch mal nachschlagen. Diese Diode entsteht doch nicht wegen einer Isolierung vom Substrat.
M. K. schrieb: > Klaus schrieb: >> So wie sie auch in jedem anderen Chip entsteht, zur Isolierung von >> Strukturen vom Substrat. >> ... > > Autsch, das musst du noch mal nachschlagen. Diese Diode entsteht doch > nicht wegen einer Isolierung vom Substrat. Eigentlich sind es sogar 2 PN Übergänge (vulgo Dioden), die sowohl Drain als auch Source vom Substrat isolieren. Anderenfalls würde der Strom einfach immer übers Substrat fließen. Da aber Source mit dem Substrat verbunden wird, bleibt der PN Übergang am Drain, die Substratdiode. MfG Klaus
M. K. schrieb: > Macht aber doch nur Sinn wenn die Quelle niederohmig genug ist, oder? Klar, wer wird schon einen Motor aus einer hochohmigen Quelle speisen :-P Aber Ernst beiseite, das ist u.A. auch der Grund dafür, das anständige BLDC Endstufen so dicke Elkos zum Sieben auf dem Board haben. Die Rücksproddelei der Gegen EMK würde sonst die Versorgung verseuchen.
Klaus schrieb: > Eigentlich sind es sogar 2 PN Übergänge (vulgo Dioden), die sowohl Drain > als auch Source vom Substrat isolieren. OK, das kann man auch als Isolierung betrachten, ich hab einen PN-Übergang bisher jedoch noch nie als Isolierung betrachtet, sprich ich finde du drückst dich unglücklich aus.
M. K. schrieb: > OK, das kann man auch als Isolierung betrachten, ich hab einen > PN-Übergang bisher jedoch noch nie als Isolierung betrachtet, sprich ich > finde du drückst dich unglücklich aus. Im Gegenteil, ich hab das so gelernt: wenn ich Strukturen auf einem Halbleiter isolieren muß, erzeuge ich eine Diode in Sperrichtung zwischen Struktur und Substrat, einen PN Übergang. Ist der einfachste Weg. MfG Klaus
Klaus schrieb: > M. K. schrieb: >> OK, das kann man auch als Isolierung betrachten, ich hab einen >> PN-Übergang bisher jedoch noch nie als Isolierung betrachtet, sprich ich >> finde du drückst dich unglücklich aus. > > Im Gegenteil, ich hab das so gelernt: wenn ich Strukturen auf einem > Halbleiter isolieren muß, erzeuge ich eine Diode in Sperrichtung > zwischen Struktur und Substrat, einen PN Übergang. Ist der einfachste > Weg. Yep. Dito hier. Je nach Autor heißen die per Sperrschicht isolierten Gebiete dann "Inseln" oder "Wannen". Letzteres ist besonders anschaulich, weil die 3-D Geometrie auf dem Chip tatsächlich die Form einer Wanne hat. Die Alternative ist SOI - Silicon On Insulator, meist mit Saphir als Isolator - dann heißt es SOS. Ist aber viel teurer. Bei einem MOSFET geht das aber natürlich nicht. Da beruht das ganze Prinzip darauf, daß der Kanal sich zwischen den gleichartig dotierten Source- und Drain-Gebieten durch ein entgegengesetzt dotiertes Substrat ausbildet. Vor dem Aufbringen der Metallisierung haben sowohl Source als auch Drain einen pn-Übergang zum Substrat. Die Metallisierungslage verbindet dann Source und Substrat und überbrückt so einen der beiden pn-Übergänge. Der andere bildet dann die bekannte Body-Diode.
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Bearbeitet durch User
Klaus schrieb: > Im Gegenteil, ich hab das so gelernt: wenn ich Strukturen auf einem > Halbleiter isolieren muß, erzeuge ich eine Diode in Sperrichtung > zwischen Struktur und Substrat, einen PN Übergang. Ist der einfachste > Weg. Also ich kenne da eher die STI-Methode und da wird mit SiO2 isoliert. Die mag nicht so einfach herzustellen sein wie eine PN-Isolation, dafür benötigt sie auch nicht so viel Platz (bei gleicher Isolationsfähigkeit). Naja, hat halt alles seine Vor- und Nachteile.
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