Hallo ! ..ich weiß für Elektrotechniker eine einfach Sache, aber nicht für mich: Materialbedingt ergeben "herkömmliche" Transistoren immer die berühmten 0.7 V zwischen Basis und Emitter falls der Transistor schaltet. Es gibt doch auch Transistorn mit weniger als 0.7 V - wie werden die bezeichnet bzw. wo finde ich Tabellen in denen auch UBE angegeben ist. In den Listen bei z.B. Conrad steht alles mögliche aber nie UBE - weil UBE bei gängigen Transistoren immer 0.7 V beträgt ? Danke !
Hallo Kai die 0.7 Volt sind materialbedingt (Silizium). Wirklich weniger hat Germanium. Vereinzelt gibts noch welche (z.B. Reichelt: AC125..., und in der Reihe der japanischen Transistoren 2SB... gibt es meines Wissens auch noch ein paar Germanium-Vertreter.) Die Germanium-Transistoren haben ein Ube von etwa 0,35 Volt. Nachzulesen in den dazugehörigen Datenblättern. Gerhard
Danke für die Antwort, gibt es bei Germanium-Transistoren im Vergleich zu den Silizium irgendetwas besonderes zu beachten - außer den 0.7 <=> 0.35 V?
Hallo Kai die Germanium-Transistoren sind, wenn ich mich richtig erinnere etwas langsamer und sie sperren nicht so gut wie Silizium-Transistoren. Da die Germanium-Technik nicht grossartig weiterentwiklet wurde (zumindest für diskrete Bauelemente) schauts schlecht aus für schnelle Schaltanwendungen und Leistungselektronik. Aber sonst gibts dabei nix zu beachten. Das Angebot an solchen Transistoren ist ziemlich geschrumpft - ich weiss ja nicht was Du damit anstellen willst. Aber die meisten heute erhältlichen Transitore dürften für Audio-Anwendungen gedacht sein. Gerhard
Es gibt nicht viel, in denen die alten Germanium-Typen besser sind. Es hat schon seine Gründe, warum die schon lange niemand mehr verwendet: Sperrstrom ist grösser, vorzugsweise PNP, oft ohne Komplementärtyp, Sperrschichttemperatur 90-100°C statt 150-200°C somit viel aufwändigere Kühlung.
Es gibt auch Si-Ge Mischkristalle für sehr hohe Frequenzen, ich meine der BFP620 von Infineon ist so ein Typ. Mit dieser Technik kann man teure GaAs-Transistoren ersetzen. Wo die Schwellenspannung liegt weiß ich nicht, es soll aber eher ein Si-Kristall sein, das Ge bildet nur 10 Prozent oder so. Wenn es nur auf niedrige Kollektor-Emitter-Spannung ankommt, sind FET die bessere Wahl. Das mit 90 Grad sollte man ernst nehmen, darüber treten bleibende Veränderungen auf, was bei Si erst über 250 Grad auftritt.
Hallo, da ich grade letzte Woche meine Klausur in Halbleiter-Bauelemente geschrieben habe...muss ich hier doch meinen Senf dazu geben: @Gerhard: Die Aussage 0.7V als Ud am PN-Übergang seien nur Materialbedingt und auf das SI zurückzuführen stimmt so nicht ganz. Vielmehr ist Ud = (Kb*T/e)*ln(na*nd/Ni²). Ni ist zusätzlich auch nochmal von der Temperatur abhängig! Worauf ich hinaus will ist eigentlich nur...dass die allgemein verbreitete Meinung SI->0.7V und GE->0.3V eigentlich nicht richtig ist, es hängt vielmehr von der Dotierung ab! @Christoph Kessler: Was die Temperatur angeht treten im GE keine bleibenden Veränderungen auf...man erreicht nur "früher" den Intrinsisch (=selbst) leitenden Bereich und der Transistor leitet auf Grund von Thermisch generierten Ladungsträgern (Bandgap ist kleiner als bei SI). Gruß, Nikias, der HL hoffentlich bestanden hat :-) * (Kb soll die Boltzmann-Konstante sein, T die Temperatur, e die Ladung eines Elektrons, na die Akzeptor-Dotierungsdichte des P-SI und nd die Donator-Dotierungsdichte des N-SI, Ni ist die einzige wirkliche Materialabhängige Größe in diesem Term und für SI ca. 10^10/cm³, für GE ist Ni ca. 2*10^13)
> @Gerhard: Die Aussage 0.7V als Ud am PN-Übergang seien nur > Materialbedingt und auf das SI zurückzuführen stimmt so nicht ganz. > Vielmehr ist Ud = (Kb*T/e)*ln(na*nd/Ni²). Ni ist zusätzlich auch > nochmal von der Temperatur abhängig! Worauf ich hinaus will ist > eigentlich nur...dass die allgemein verbreitete Meinung SI->0.7V und > GE->0.3V eigentlich nicht richtig ist, es hängt vielmehr von der > Dotierung ab! Und wenn wir schon beim Klugscheissen sind: Der PN-Spannungsabfall hängt auch noch vom Strom ab. Nun überleg dir mal ob du einen Arbeitspunkt beim Transistor wirklich unter Beachtung all dieser Gesetzmässigkeiten berechnen willst.
Während der Theoretiker noch den spezifischen Leitwert des Germaniums in der Tabelle sucht, hat der Praktiker seine mit Faustformel dimensionierte Schaltung schon im Gange. Merke: Manchmal ist ein Taschenmesser mehr wert, als ein Spannungsmesser. :-)) MfG Paul
Die Schwellspannung ändert sich um etwa -2mV/°, also einfach die Schaltung auf 120°C aufheizen und schon hast Du: 0,7V-100*2mV = 0,5V Peter
Da der Temperaturgang von 2mV/K ziemlich linear ist, könnte man auch bei einem NF-Verstärker UBE eines Vorstufentransistors auswerten und feststellen, ob gerade heiße Musik läuft. ..in diesem Sinne vorwärts zu neuen Daten! MfG Paul :-))
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