Hallo, Gegeben ist ein analoges(!) Oszibild (Nordmende SO3313). Nun möchte ich einen speziellen Bereich darauf genau betrachten. Bisher habe ich immer den Messbereich verkleinert. Jetzt die Frage eines Laien: Schadet es dem Gerät, wenn ich ein 50V Impuls (20V Maßstab) vergrößere (dann im 100mV Maßstab) um die nachfolgende Abklingung genau zu betrachten. Das Signal ist 250µs lang und der zu betrachtende Bereich 10µs. Ich muss die Strahlintensität deutlich nachregeln. Bisher ging alles gut, doch es soll mich noch ein paar Jahre begleiten. Oder kann man einen Spannungsbegrenzer mit Widerstand + Z-Diode verwenden? Das werde ich probieren, ich will später den Bereich mit einem µC auswerten. MfG Robert
Nein, das tut dem Oszi keinen Schaden an. Grundsätzlich kann man sagen, dass ein Signal, die im unempfindlichsten Messbereich noch komplett darstellbar ist, auch im empfindlichsten Bereich keinen Schaden anrichtet. Der Y-Verstärker wird dadurch zwar hoffnungslos übersteuert, aber das macht dem nicht aus. Dadurch, dass der Y-Verstärker beim Übersteuern das Ausgangsignal begrenzt, bekommt das Ablenksystem gar nichts von dem hohen Eingangssignal mit. Du musst also nicht befürchten, dass der Elektronenstrahl so stark abgelenkt wird, dass er oben aus dem Oszigehäuse herausschießt ;-) Erst wenn die Signalspannung so hoch werden kann, dass sie nicht einmal im unempfindlichsten Bereich dargestellt werden kann, solltest du ins Handbuch schauen, wo die maximal erlaubte Spannung liegt. Wenn du diesen Wert überschreitest, kann das Oszi kaputt gehen, und das unabhängig vom eingestellten Messbereich. Bei neueren Geräten liegt die Grenze in der Größenordnung von 300V. Wie das bei deinem Oldtimer aussieht, musst du selber nachschlagen.
aber es kann sein, dass das gezoomte Signal verfälscht dargestellt wird.
Danke euch ! Mein Oszi geht laut Radiomuseum bis 350V am Y-Kanal. Die Spannung wird vom MOSFET auf max. 60V begrenzt. Da die Spule einen Entladewiderstand von 470 Ohm hat, da muss der FET wohl ganz schön leiden ): Aber da heut Sonntag ist. Es geht mir insgesamt darum ein Pulse Inductor zu bauen und anfangen will ich damit, den Kurvenverlauf zu studieren. Da muss sich schon ein kleiner Schreibtischschraubstock über der Spule(170mm, 1,6Ohm, 30Windungen) befinden, um einen Unterschied um "0,1V" erkenntlich zu machen. So einen deutlichen Unterschied wie in manchen Internetquellen sehe, kriege ich leider noch nicht hin. Meine Parameter habe ich nach der Quelle: https://www.lammertbies.nl/electronics/PI_metal_detector.html gerichtet, jedoch ist mir der Spulenwiderstand zu gering ausgefallen. Dort wird die Kurve mit DSP ausgelesen. Ich will einen anderen Weg gehen, da ich kein Schatzsucher werden möchte. -entweder man guckt wie lange die Kurve bis 0V braucht, dann gehts vielleicht auch diskret -oder man nimmt einen ADC (ein 100khz langt zu) und sampled einen Bereich der Kurve (als Ergebnis erhoffe ich mir als eine Art Integral) MfG Robert
Robert schrieb: > Die > Spannung wird vom MOSFET auf max. 60V begrenzt. Wenn du die Schaltung so aufgebaut hast, wie in deinem Link, wird die Ausgangsspannung doch auf 0.7V begrenzt (durch die Dioden).
nee, ich hab nicht den Schaltplan kopiert. Nur die Idee und die Spulendaten.
Kommt das Signal aus der Übersteuerung, kannst Du der Darstellung nicht trauen. Geht es in die übersteuerung, geht das oft gut. Als generelle Regel gilt, sofern man dem Bild trauen möchte: "Do not drive the trace off screen" Zitat Jim Williams.
Robert schrieb: > ich hab nicht den Schaltplan kopiert. Nur die Idee Die Dioden gehören aber zu der Idee... ;-) Vor allem auch, um den FET nicht gleich zu killen.
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Das Signal kommt aus der Selbstinduktion (ca. 25µs und >-55V) und geht dann in den Positiven Bereich zurück (>4µs). Diesen will ich untersuchen. So werde ich jetzt doch den Z-Dioden Aufbau fertigen. Und der FET muss aushalten bis die Geschäfte öffnen (: Die Frage die ich mir noch beantworten muss ist, wie wichtig diese Selbstinduktion der Spule für meine Vorhaben ist. Im Link steht, dass man 500V-Breakdown FETs nehmen soll. MfG
...wenn man der englischen Sprache nicht mächtig ist. In meinem Link steht alles drin was ich wissen wollte.
Robert schrieb: > So werde ich jetzt doch den Z-Dioden Aufbau fertigen. Da ist keine Z-Diode drinnen. Aber.... keine schlechte Idee... Wenn man ein paar starke Dioden als Zener benutzt, bekommt das dem FET gut, und die Auswertung wird auch einfacher. Probiere mal die Schaltung im Anhang, die dürfte etwas empfindlicher als das Original sein. Du bräuchtest dann noch einen Komparator, dessen Schwelle bei ca. 12.5V liegt, und dann muss nur noch die Periodendauer des vom Komparator ausgegebenen Signals gemessen werden...
Oder besser gleich so, dann kann man den Komparator direkt aus den 12V versorgen. Schwelle wäre dann 10V.
So könnte das dann mit Komparator aussehen, der dann einen Kondensator auflädt. Die Änderung der Suchspuleninduktivität bewirkt dann eine Änderung der maximalen Spannung im Kondensator. Der Kondensator hält dann den Spitzenwert bis zum nächsten Trigger-Impuls (Sample&Hold). Wenns nicht schon so spät wäre, würde ich es ja direkt grad selber zusammenlöten... ;-)
Yalu X. schrieb: > Grundsätzlich kann man sagen, dass ein Signal, die im unempfindlichsten > Messbereich noch komplett darstellbar ist, auch im empfindlichsten > Bereich keinen Schaden anrichtet. Der Eingangsteiler hat im empfindlichsten Bereich keine Abschwächerfunktion mehr. Ob der Feldeffekttransistor am Gate wirklich 350V aushält? Selbst die Schutzdioden vom Eingang gegen Masse und gegen +UB sind nicht unendlich belastbar. Ich jedenfalls würde über diese Leiter nicht gehen. Mal davon abgesehen wird ein derart hoffnungslos übersteuerter Y-Verstärker keine sinnvollen Ergebnisse mehr bringen. Ralph Berres
Zum Thema Spannungsfestigkeit des Eingangs wollte ich noch sagen, das im Millimessbereich Strahlengänge auftauchen wo keine hingehören. Aber das lässt sich ja so in etwa lösen
1 | +12V 4.7k |
2 | ___ |
3 | -------------o----o----|___|--o----o----o |
4 | | | | | |
5 | 400µH C| .-. - D1 |D2 |
6 | C| | |470R ^ V Messklemmen |
7 | C| | | | - |
8 | | '-' | | |
9 | | | | | |
10 | | | | | |
11 | o----o-----------o----o----o |
12 | ||-+ |
13 | ||<- IRF3205 |
14 | Pulse ----||-+ |
15 | | |
16 | 0V | |
17 | --------------o------------ |
18 | | |
19 | === |
20 | GND |
21 | |
22 | (created by AACircuit) |
D1 und D2 sollen Dioden sein. Bei meinen antiparallelen Schottky-Dioden hat es den 12V Impuls gar nicht begrenzt und die >55V Selbstinduktionsspannung auf ca 35V. (SK84) Die Z-Dioden haben schon besseren erfolg gebracht, jedoch wird die Kurve zu stark "geglättet". @Joe: Darf man die Spannung an dieser Stelle überhaupt begrenzen ? Ich meine für den Zweck (welchen Einfluss hat es auf die Wirbelstrominduktion?). Da ich das wissentlich noch nicht durchdrungen habe werde ich das heute noch testen. Aber aus dem Link: [quote] ...Not many commercially available electronics components will be able to handle this voltage and especially power MOSFETs used for driving metal detector search coils breakdown anywhere between 300 and 750 Volts, depending on brand and model. This means that during the first stage of the coil discharge, the voltage over the coil will be limited to around 500 Volts, with part of the current flowing through the dampening resistor, and part of it through the driver MOSFET. This is less then ideal because a higher discharge voltage means a faster switching off of the magnetic field, but we should be happy that this intrinsic behaviour of the MOSFET is in fact preventing other components from being damaged. ... [/quote] MfG
Robert schrieb: > Darf man die Spannung an dieser Stelle überhaupt begrenzen ? Ich > meine für den Zweck (welchen Einfluss hat es auf die > Wirbelstrominduktion?). Ich finde sogar, man muss es tun. 500V halte ich für unverantwortlich hoch. Ob die 2A bei 500V über den 680 Ohm Widerstand fließen, oder über die Dioden mit viel kleinerem Widerstand, ist für das Magnetfeld ja egal. Unterschied ist eben, die Spannung bleibt handlich (und ungefährlich).
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Bildet nicht eher der FET mit seinen parasitären Kapazitäten und die Spule einen Schwingkreis, der im Anschluss (wenn der FET wieder sperrt) eine gedämpfte Schwingung erzeugt? Die Frequenz der gedämpften Schwingung in Verbindung mit der einhergehenden Dämpfung (zeitlicher Verlauf) sei jetzt Indiz über Blech, Gold, Alu usw. Also so kenn ich das. Nicht nur einen abklingenden Impuls, sondern es wird eine Impulsfolge ausgewertet. Die Nulldurchgänge sind die Frequenz, das Integral der Spannung die Abklingdauer. StromTuner
In diesem Fall ist die Dämpfung so stark, dass kein (kaum) Nachschwingen auftritt. Daher gehe ich davon aus, dass nur der abklingende Impuls ausgewertet wird, und die Anwesenheit von Metall die Abklingzeit verkürzt/verlängert.
Sehr interessante Ideen. Die Idee mit dem OP der einen Kondensator lädt finde ich gut. Wenn ich statt der Dioden an einem 1:10 Spannungsteiler messe (ich weiß ist immernoch böse), dann sehe ich in der Tat eine Schwingung. Siehe mein Bild im Anhang. Anfangs bin ich davon ausgegangen, das man den "Rückschwung" nach der Selbstinduktion untersucht. So habe ich das aus diversen Internetseiten erlesen können. Das fand ich interessant: https://www.youtube.com/watch?v=vO7YKBRQPQE Leider verstehe ich mal wieder kein Wort. So habe ich das ganze erstmal wie im Link aufgebaut. 500V Fet, Parallelwiderstand an der Spule, 2x 1N4148er seriell mit 470ohm ( (; ) Jetzt merkt man die Selbstinduktion durch die Haut (nicht nachmachen) Die beiden anderen Bilder im Anhang sind einmal mit Seitenschneider auf der Spule und einmal ohne. Da die Dioden vermutlich trotzdem zu langsam sind kommt der Strahl anscheinend immernoch weit von oben herab ): Leider sieht man bei 10-15cm entfernung keine Veränderung mehr. Ich bin langsam der Auffassung, dass ich die Spule miserabel gewickelt habe. Ich habe PVC-Isoliertes ~0,5mm² Kupferkabel, um eine d=174mm Keilriemenscheibe gewickelt. edit: zu den Bidern: Im ersten habe ich Spule-FET gegen GND gemessen und in den anderen beiden hinter den Dioden wie im Link. Nicht verwirren lassen. MfG
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