Hallo alegemein! Kan jemand mir erklären in zwei Worten was der Unterschied zwischen EEPROM und Flash ist. Die Frage ist wozu braucht mann EEPROM mit 512b wenn es Flash mit 8Kb gibt?
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flash = teuer, mit der datensicherheit ist das beim flash auch so eine sache, ist beim eeprom mit sicherheit besser.
auweia, Beim Flash muß Du einen ganzen Sektor löschen um wieder was neues einzuschreiben. Dagegen kannst Du beim EEPROM jedes einzelne Byte umprogrammieren immer wann Du es willst. Das das Flash seinen Namen hat ist wohl klar oder? Es geht sehr schnell zu löschen und zu beschreiben, viel schneller als beim EEPROM eine gleiche Speichergröße zu programmieren Reiner
Hi und Flash ist viel günstiger als EEPROM. Liegt einfach am einfacheren Aufbau der einzelnen Speicherzellen -> kleinere Fläche -> mehr Chips/Wafer Matthias
Die einzelnen Speicherzellen sind beim EEPROM und beim Flash dieselben, also auch deren prinzipiellen Eigenschaften wie z.B. Haltbarkeit. Der einzige Unterschied liegt in der Ansteuerelektronik. EEPROMS lassen sich zellenweise adressieren, Flashspeicher dagegen nur sektorweise, wobei je nach Exemplar die Sektoren unterschiedlich groß sein können.
Hallo zusammen ! Danke für die Erklärung, jetzt ist mir klar. Andrey Richter
Sorry, dass ich dieses alte Thema nochmal ausgrabe, aber es interessiert mich nunmal. Auf folgender Seite steht, dass bei EEPROMs das Löschen/Schreiben 2-4ms dauert. Bei Flash-EEPROMs dahingegen nur 10 µs. Wie kann das sein, wenn es sich um dieselben Speicherzellen und nur um eine andere Adressierung handelt? http://www.rolf-geyer.de/EEPROM/EEPROM.htm mfg D. Fries
@D. Fries (Gast) >Auf folgender Seite steht, dass bei EEPROMs das Löschen/Schreiben 2-4ms >dauert. Bei Flash-EEPROMs dahingegen nur 10 µs. >Wie kann das sein, wenn es sich um dieselben Speicherzellen und nur um >eine andere Adressierung handelt? Naja, nicht ganz. Flash kann nur blockweise gelöscht werden. Je nach Typ umfasst ein Block (Page, Sektor) 1...ganz viele kB!). Da wird alles PARALLEL gelöscht, auch in 2-4ms. Das entspricht zurückgrerechnet auf einen einzelnes Byte eben die von dir genannten 10us. MFg Falk
Flash -> schneller (Schreiben und Lesen), teurer, mehr Schreibzyklen (~100.000) EEPROM -> langsamer (Schreiben und Lesen), günstiger, weniger Schreibzyklen (~10.000) Das sind aber nur allgemeine Angaben, es gibt auch Flash mit nur 1000 Schreibzyklen, da hat man weniger Zyklen in Kauf genommen und an anderer Stelle dafür gewonnen. cu
> Das entspricht zurückgrerechnet auf > einen einzelnes Byte eben die von dir genannten 10us. Ah, das macht dann natürlich Sinn. Also eigentlich dauert das Löschen/Schreiben genau gleich lang, nur dass bei Flash eben mehr auf einmal gelöscht/geschrieben wird.
> EEPROM -> langsamer (Schreiben und Lesen), günstiger, weniger > Schreibzyklen (~10.000) Diese Aussage macht mich nun aber etwas stutzig. Ich hab hier ein Script in dem steht, dass bei EEPROM bis zu 10 Millionen Lese/Schreibzyklen möglich sind. Ist diese Aussage komplett falsch oder bezieht sie sich auf bestimmte Umstände?
@D. Fries (Gast) >> EEPROM -> langsamer (Schreiben und Lesen), günstiger, weniger >> Schreibzyklen (~10.000) Er meint FLASH. >Ich hab hier ein Script in dem steht, dass bei EEPROM bis zu 10 >Millionen Lese/Schreibzyklen möglich sind. Im Extremfall. Gängig sind 100k bis 1Million.# >Ist diese Aussage komplett falsch Nein, das Postiung von ist yxcv verdreht. Siehe auch Siehe auch Speicher. MFG Falk
Der Ersatz für EEPROMs ist eigentlich NOR-Flash, da diese auch Byteweise beschrieben und gelesen werden können. Bei NAND ist das nicht ganz so einfach. Nur das Löschen bei NOR-Flash erfolgt ach Blockweise. Bei einem 16 MB NOR-Flash von Intel sind es z.B. je 128 KiB große Blöcke. Kann aber auch variieren. Auch die Schreibzyklen sind meist mit 100k-1 Mio angegeben. Bei EEPROM sinds meist 10-100k. Aber die Flashzellen sind nicht gleich nach 1 Mio putt. Da kannst du auch mehrere Millionen mal raufschreiben. Problem ist dass sie dann langsamer werden. Wenn es anfangs z.B. 70µs zum Schreiben benötigt hat, sinds nach 1 mio mal schon 700µs. Es wird garantiert, dass der Block eine Millionen schreibzyklen aushält. Aber um diese Garantie zu geben muss sehr viel spielraum vorhanden sein. c't hat mal einen USB-Stick 16 Millionen mal beschrieben und es wurden keine Fehler festgestellt.
Man kann das nicht eindeutig unterscheiden. Vielleicht so: Ein EEPROM ist immer auch byteweise beschreibbar und mit Autoerase. Alles andere ist Flash. Es gibt auch EEPROMs die sind sektorweise oder komplett löschbar bzw. seitenweise beschreibbar. Es gibt auch Flash mit Autoerase (AT29C512). Es gibt auch Flash mit byteweise Schreiben. Peter
Hallo Leute Bitte entschuldigt, dass ich dieses Thema nochmals aufgreiffe, Diskussionen darum nerven mich einfach schon zu lange, als das ich darüber hinwegschauen könnte. Unabhängig vom Umfang, der Qualität und der Korrektheit des Wissens, welches die Beteiligten hier über Flash und Eeprom Speicher zusammengetragen haben: Eeprom ist auch heute noch ein Akronym für electrically ereasable programmable read only memory. Seit es Flash Speicher gibt können diese elektronisch gelöscht und beschrieben werden, ein Vergleich von Flash- und Eeprom Speichern kann so also nicht erstellt werden. Flash ist eine mögliche Eeprom Technologie, der Begriff Eeprom distanziert diese elektronisch lösch- und programmierbaren nur lese Speicherbausteinen lediglich von den nicht nur (z.B. optisch löschbaren) elektronisch löschbaren nur lese Speicherbausteinen. Flash=Eeprom Eeprom=nicht nur Flash Deam, lange ists her... Rd. hpil. Hheenz
EEPROM -> teuer und langsam, aber Bitweise Beschreibbar. Flash-EEPROM -> billig in größeren Bauformen zu fertigen und eigentlich schnell zu beschreiben, aber nur seitenweise. Sollte auch der Grund dafür sein warum Flash gewonnen hat und EEPROM nur was für Spezialfälle ist, der Preis und die Baugröße...
Andreas Klepmeir wrote: > EEPROM -> teuer und langsam, aber Bitweise Beschreibbar. > Flash-EEPROM -> billig in größeren Bauformen zu fertigen und eigentlich > schnell zu beschreiben, aber nur seitenweise. > > Sollte auch der Grund dafür sein warum Flash gewonnen hat und EEPROM nur > was für Spezialfälle ist, der Preis und die Baugröße... So vielleicht: "Gewöhnliche" EEPROM -> teuer und langsam, aber Bitweise Beschreibbar. Flash-EEPROM -> billig in größeren Bauformen zu fertigen und eigentlich schnell zu beschreiben, aber nur seitenweise. Sollte auch der Grund dafür sein warum Flash EEPROM gewonnen hat und "gewöhnliche" EEPROM nur was für Spezialfälle ist, der Preis und die Baugröße... Der zulässige Temperaturbereich der Flash EEPROM und nicht deterministische Schreibzeiten sind Gründe, um auf "gewöhnliche" EEPROM zurückzugreiffen.
Als EEPROM Ersatz wird eigentlich NOR-Flash verwendet. Das ist genauso byteweise zu beschreiben wie EEPROM auch, nur eben nur blockweise zu löschen. Meist 64 oder 128 KB Blöcke. Manche haben auch kleinere Blöcke am Anfang und Ende für einen Bootsektor (8-32 KB)
Hey, sorry dass ich das aufgreife aber ich würde gerne wissen was "ns" heißt und "us". Bedeutet dass das man einen Byte in 10ns beschreiben/löschen kann? oder wie ist es?
Kroixen schrieb: > ich würde gerne wissen was "ns" heißt und "us". "us" ist Unfug von schreibfaulen Zeitgenossen oder solchen mit verkrüppelter Tastatur/Zeichensatz. Es heißt "µs". https://de.wikipedia.org/wiki/Internationales_Einheitensystem#SI-Basiseinheiten https://de.wikipedia.org/wiki/Vors%C3%A4tze_f%C3%BCr_Ma%C3%9Feinheiten#SI-Pr.C3.A4fixe
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