Hallo, ich suche suche einen Transistor, mit dem mich mit einem ATmega8 ich eine Heizfolie (1 A 12 V 12 W) mit einem ATmega8 schalten kann. Mit einen BD140/BD139 sollte das Schalten von 1A ja möglich sein, jedoch ist der BE-Strom relativ hoch. MOS Transistoren kommen, wenn ich das richtig verstanden habe, aufgrund der relativ hohen GS-Spannung nicht in Frage, da ich ihn ja möglichst voll aussteuern will. Leider kenne ich mich überhaupt nicht mit verschiedenen Transistortypen aus. Hat jemand eine Idee, wie ich das am besten machen könnte? MfG Markus
Hallo Markus, nimm doch einen Logic Mosfet. Z.B. BUK100-50GL oder IRLL014N die brauchen zumindest keinen Basisstrom. Und nicht vergessen von dem Gate zum Kontroller 100 Ohm und vom Gate 10KOhm nach Masse Pulldown. Denn wenn der Kontroller auf Reset steht und der Eingang des Mosfets driftet kann er durch die Verlustleistung kaput gehen. Mit Transistoren müsstest du einen Darlington nehmen (NPN) und einen Vorwiderstand mit 680Ohm. Z.B. TIP120 Die Mosfet Variante ist aber immer besser, da die Verlustleistung (also Wärmeentwicklung) geringer ausfällt. Gruß Sascha
hallo, dann gck doch mal nach logik level mosfets! und wenn du nicht alt zu oft schaltest, was bei ner heizung nicht der fall sein sollte, kannst die mit nen kleinen R direkt an den µC hängen. den r aber nicht vergessen, weil der strom (je ach fet) durch seine gategapazität sehr viel höher sin könnte als der µC verträgt. dann lieber mit R die schaltflanke schwächen oder zusätzlichen treiber nehemen. guck mal irl540 oder ähnlich, gibt auch noch in kleiner, so großen strom braucht du ja nicht mfg
> den r aber nicht vergessen, weil der strom (je ach fet) durch seine > gategapazität sehr viel höher sin könnte als der µC verträgt. dann > lieber mit R die schaltflanke schwächen oder zusätzlichen treiber > nehemen. Stimmt... die Kapazität hab ich vergessen. Die ATmega sollten aber den Ausgangsstrom begrenzen und nicht kaputt gehen... Ich dachte auch, dass ein MOS-Transistor die bessere Wahl wäre, habe aber gelesen, dass diese eine relativ hohe Gate Spannung benötigen würden. Ich schau mir die vorgeschlagenen Transistoren gleich mal an. > und wenn du nicht alt zu oft schaltest, was bei ner heizung nicht > der fall sein sollte, kannst die mit nen kleinen R direkt an den µC > hängen. Ich hatte zuerst überlegt, ob ich die Heizungstemperatur per PID-Algorithmus per PWM relegn lasse. Dann hättte ich sie häufig schalten müssen. Ich denke aber, dass das im Endeffekt unsinn ist, weil es nicht so sehr auf Temperaturstabilität ankommt.
Ich würde einen Blick ins Datenblatt des MOSFET werfen, da auch die Logikkompatiblen bei 5V Gatespannung nicht den angegebenen Maximalstrom beherrschen. Bei PWM (wie oben gesagt) ist der Ausgang des µC definitv tot. Bei direkter Anschaltung der Gate enstehen Stromspitzen bis 80mA! Schon deshalb und um den MOSFET ganz durchzuschalten (höhere Gatespannung) würde ich einen Treiber vorschalten.
Du bist ja ein ganz Schlauer - wirf du doch mal einen Blick ins Datenblatt moderner Fets. http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf7455.pdf 100A bei 3,2V Ugs Pulsbelastung Auch interessant: Fig.13 Das Diagramm hört bei Ugs 4,5V auf, Rdson von ca. 0,0065R, in Worten 6,5mR. Das ganze im läppischen SO8. Und hier gehts um mickrige 1A, welche ab und zu eingeschaltet werden. Was willst du mit einem Gate-Treiber?
Ich hatte auch mal einen FET (waren sogar 2 parallel an dem Mega8. Da ist nix kaputtgegangen auf dem Oszi sieht es dann nur nicht mehr sehr rechteckig aus sondern man sieht das aufladen am Anfang. Trotzdem sollte man das natürlich so nciht machen, wollte nur sagen, dass auch nach einigen Stunden nichts kaputtgegangen ist. Was es für FETs waren weiß ich nicht mehr genau. SK 2049 oder so aus einer alten USV waren zumindest im TO-220. Gruß Philipp
Ich denke ich werde kein PWM nutzen, wobei hier die Kapazität auch nicht besonders stören sollte. Die PWM-Frequenz muss bei einer Heizfolie sowieso nur wenige Hz betragen. Ich denke ich werde einen IRL1004 benutzen, da ich bei Reichelt bestellen wollte und keinen der vorgeschlagenen Logik-Level-Transistoren gefunden habe. Die Bezeichnungen haben mir aber sehr weiter geholfen ;) Wenn ich das Richtig verstanden habe, habe ich eine Kapazität von 5-6 uF, die ich sicherlich durch einen Widerstand ausgleichen kann. Dann muss ich wohl gleich nochmal durchrechnen, welche größe ich da benötige und wie sich da die Einschaltzeit verändert. Zumindest DS-Widerstand (wenn ich das Datenblatt beim Überflogen richtig verstanden habe) bei 4,5 V GS grade mal 0,25 Ohm betragen. Das sollte für meine Anwendung mehr als ausreichen. Dann werde ich wohl mal das Einschaltverhalten durchrechnen. Ich hoffe, ich habe das alles soweit richtig verstanden ;). Ich habe wie gesagt noch nicht so häufig mit Transistoren gearbeitet. Vielen Dank, Markus
du kannst mit dem r nicht die kapazität ausgleichen, du reduzierst nur den maximalen ladestrom. (t=0) durch die kombi aus R und C entsteht ein tiefpass, was bedeutet, dass der transistor nicht schaltet, sondern "langsam" leitend wird. mit langsam meine ich langsamer als ohne R! und in dieser Phase, wo sich die gatekapazität läde und der trans nicht vollständig geschaltet ist, entsteht mehr wärme, weil sein R überm kanal da noch größer ist. deshalb, war auch dr hinweis mit der pwm und schnellem schalten. selbst wenn du den 3 mal pro sekunde schaltest sollte das noch unkritisch sein. aber im kHz oder MHz - bereich wirds kritisch. wie schon gesagt, für ne heizfolie, die sowas von träge ist, spielen solche freuqeunzen keine rolle. es sei denn du willst auch halbwarm ;-) einstellen können. die gatekapazität, steht im datenblatt und sollte weit unter dem µF bereich liegen. ich denk mal eher wenige nanos
ähm... sorry... klar... ich meine nicht uF, sonder nF... Die Liegt bei um die 5600 pF, also etwa 5-6 nF. Hält ja nicht ganz so genau ;). Ich will auch nicht die Kapazität ausgleichen, sondern wie du schon gesagt hast, den Ladestrom regeln. Da die Kapazität ja voll Sperrt, wenn sie geladen ist, sollte ich auch kein Problem mit der maximalen Schaltspannung haben. Das Problem ist eher, dass bei meiner DGL mal wieder ganz komische Werte für die Ladezeit raus kommen. Ich schau mir das heute Abend noch mal an, aber ich denke, dass man auch einige male pro Sekunde schalten kann. Ich muss auch nochmal genau ausrechnen, welchen Widerstand ich denn nun an den Ausgang hängen muss. Ich denke, 100 Ohm werden zu knapp sein, weil dann immernoch kurzzeitig ein relativ hoher Strom anliegt, wobei ich mir da nicht ganz sicher bin, wie hoch der Innenwiederstand des ATmega Ausgangs. Vielen Dank nochmal.
Auch wenn es jetzt sicher wieder großes Geschrei geben wird; Für einen einmaligen kurzen Impuls (schön schwammig formuliert) setze ich bei Bedarf auch den doppelten "maximalen DC-Strom laut Datenblatt" an. Man sollte auch bedenken, dass die Ausgangspin-FETs einen nicht verschwindenden Widerstand haben und so den Strom begrenzen. Direktes (einmaliges) Laden eines 1nF-Kondensators mit Ausgangspin würde ich auch noch als unkritisch betrachten. Die Gate-Kapazität von vielen Logic-Level-Mosfets liegt AFAIK darunter. Den 100 Ohm Serienwiderstand hätte ich übrigens auch empfohlen. unkritisch an.
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